铜互连中SiCOF/a-C∶F双层低介电常数薄膜的制备和表征(英文)

用等离子体化学气相淀积系统制备了一种新颖的SiCOF/a-C∶F双层低介电常数介质薄膜,并用红外光谱表征了该薄膜的化学结构.通过测量介质的折射率发现该薄膜长时间暴露在空气中,其光频介电常数几乎不变.然而,随退火温度的增加,其光频介电常数则会减小.基于实验结果讨论了几种可能的机理.二次离子质谱分析表明在Al/a-C∶F/Si结构中F和C很容易扩散到Al中,但在Al/SiCOF/a-C∶F/Si结构中,则没有发现C的扩散,说明SiCOF充当了C扩散的阻挡层.分析还发现在SiCOF和a-C∶F之间没有明显的界面层.     

ARGET ATRP 与ROP 结合制备pH 响应两亲性聚合物分子刷及其自组装研究

结合电子转移活化剂再生-原子转移自由基聚合(ARGET ATRP)和开环聚合(ROP)法合成了一种具有无规疏水/ pH 响应结构的两亲性聚合物分子刷聚(甲基丙烯酸聚丙交酯酯-co-甲基丙烯酸)-b-聚甲基丙烯酸单甲氧基聚乙二醇酯 [P(PLAMA-co-MAA)-b-PPEGMA]. 通过核磁共振氢谱(¹H NMR)和凝胶渗透色谱(GPC)表征了聚合物的结构、分子量及分子量分布. 优化了反应条件并合成出分子量可控、分子量分布窄的聚合产物. 采用动态光散射法(DLS)、扫描电子显微镜(SEM)研究了聚合物分子刷在水溶液中自组装胶束的粒径、形貌及pH 响应行为. P(PLAMA-co-MAA)-b-PPEGMA 自组装形成粒径分布均匀的球形胶束. 且随着溶液pH 值从7 降低至3, 胶束中的PMAA 逐渐去离子化, 溶胀的胶束逐渐收缩, 粒径由200～300 nm 减小至150 nm 左右; 但当pH 值减小到2 以下, 胶束表面电荷量非常小, 胶束聚集, 使得粒径增大.     

Band Structures of Metal-Oxide Capped Graphene： A First Principles Study

We perform a first-principles calculation based on density functional theory to investigate the interface between single layer graphene and metal oxides. Our study reveals that the monolayer graphene becomes semiconducting by single crystal SiO2 and Al2O3 contact, with energy gaps to - 0.9 and - 1.8 eV, respectively. We find the gap originates from the breakage of π bond integrity, whose extent is related to the interface atom configuration. We believe that our results highlight a promising direction for the feasibility to apply large scale graphene layers as building blocks in future electronics devices.     

石墨烯基红外探测器的高k栅氧集成

从石墨烯发现与制备出发,综述了室温下双层石墨烯或石墨烯带禁带在0～250 meV可调的特性,及其在中远红外探测器的背栅、顶栅结构中作为栅氧形成材料的应用,并介绍了目前各种先进工艺.     

一种1090ES相位编码信号的同步算法

载波同步是对1090MHz扩展电文(1090MHz Extended Squitter,1090ES)的相位编码信号进行相干解调的前提和基础,研究针对这种调制方式的基于数据辅助的载波频偏估计算法。构建了1090ES相位编码信号的频偏估计模型,提出了一种基于遗传算法的频偏估计算法,详述了该算法的特点及其实现步骤,并通过MATLAB仿真,分析比较了该算法与Kay算法、Fitz算法及M&M算法的频偏估计性能。该算法的频偏估计范围可以达到采样频率的50%,在信噪比高于3 dB时,频偏估计的均方误差接近于修正的克拉美罗界,并且可以同时兼顾频偏估计精度和频偏估计范围。     

基于前导脉冲辅助的相位调制1090ES信号载频同步算法

基于相位调制扩容1090ES信号为ADS-B带来新的功能和应用,载波频率同步是扩容信号需解决的一项关键技术。针对扩容1090ES信号的突发载频同步问题,提出了一种基于频偏捕获和相位误差跟踪环的快速同步方法,频偏捕获采用前导辅助脉冲相关性判决进行二叉树频率搜索,捕获载频偏差并校正得到频偏较小的基带信号,相位误差跟踪环实现对小频偏信号进行频率估计和补偿。仿真结果表明:该方法适用于基于相位调制的扩容1090ES信号接收系统。     

Memory Effect of Metal--Insulator--Silicon Capacitors with SiO2/HfO2/Al2O3 Dielectrics

Charge trapping characteristics of the metal-insulator-silicon （MIS） capacitors with Si02/HfO2//A12O3 stacked dielectrics are investigated for memory applications＇. A capacitance-voltage hysteresis memory window as large as 7.3 V is achieved for the gate voltage sweeping of ±12 V, and a fiat-band voltage shift of 1.5 V is observed in terms of programming under 5 V and I ms. Furthermore, the time- and voltage-dependent charge trapping characteristics are also demonstrated, the former is related to charge trapping saturation and the latter is ascribed to variable tunnelling barriers for electron injecting and discharging under different voltages.     

原子层淀积技术应用于太阳电池的研究进展

原子层淀积(ALD)是一种先进的纳米级薄膜生长技术,在微电子和光电子领域有着广泛的应用前景,尤其在提高太阳电池的光电转换效率方面正发挥越来越大的作用,很可能成为下一代太阳电池工艺中的重要方法。文章综述了近年来ALD技术在太阳电池领域的应用研究进展,详细介绍了ALD技术应用在不同类型太阳电池的最新研究成果和存在的问题,并对其发展趋势进行了展望。     

掺氮氧化铪的光学特性研究

掺氮氧化铪是半导体工业非常重要的材料。在本论文中,我们利用Hf[N(C₂H₅)(CH₃)]₄ 和 H₂O₂作为原子层淀积的前驱体,制备了二氧化铪材料。然后,我们使用快速热退火的办法,在不同温度下,对二氧化铪进行了氮掺杂工艺。我们对掺氮二氧化铪的组分,跟硅界面的稳定性以及薄膜材料的光学特性随退火温度的变化进行了细致的研究。研究发现,随着退火温度的提高,二氧化铪薄膜材料的氮组分从1.41% 上升至 7.45%,相应的,薄膜材料的禁带宽度从5.82 eV 降低为 4.94 eV。     

基于Al2O3/Pt纳米晶/HfO2叠层的MOS电容存储效应研究

采用电子束蒸发Pt和后快速热退火的方法,研究了退火条件对Pt纳米晶的生长特性的影响,结果显示Pt纳米晶的密度随退火温度的升高和退火时间的延长均表现出先增大后减小的趋势.在800℃下退火20 s能得到分布均匀的、密度为30×10¹¹ cm^-2的Pt纳米晶.进一步研究了基于Al₂O₃/Pt纳米晶/HfO₂叠层的MOS电容结构的存储效应,表明其在-3—+8 V扫描电压范围下C-V< 关键词： Pt纳米晶 快速热退火 原子层淀积 存储效应