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本文对绝缘栅双极晶体管(IGBT)在无汞平面光源驱动电源中的应用可行性进行了分析。同时对IGBT和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能进行了比较,对IGBT在无汞平面光源中应用的可行性进行了分析。结果表明IGBT在大电流应用场合更具优越性,同时IGBT的温度特性优于MOSFET,采用IGBT可以简化电路结构。基于上述分析,设计了一组采用IGBT的12寸无汞平面光源的驱动电源,实验结果表明采用IGBT可以简化电路结构,降低电路成本。  相似文献   
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