烷基醇聚氧乙烯醚中二噁烷的测定

 采用顶空气相色谱法测定了烷基醇聚氧乙烯醚中的二口恶烷。研究了顶空条件，标准曲线的相关系数为０．９９８９，检出限为２０μｇ／Ｌ，回收率为９１．６％～９７．６％，相对标准偏差小于２．５％。     

锌族和钛族卤化物振动光谱的理论计算

采用ab initio RHF,MP2和B3LYP方法以及LanL2DZ和SDD基组计算了四面体锌族卤素阴离子化合物(MX₄^2-,M=Zn(Ⅱ),Cd(Ⅱ),Hg(Ⅱ);X=F^-,Cl^-,Br^-,I^-)和钛族卤化物(MX₄,M=Ti(Ⅳ),Zr(Ⅳ),Hf(Ⅳ);X=F^-,Cl^-,Br^-,I^-)的几何构型和振动频率。计算结果表明,LanL2DZ基组是合适的基组,能得到合理的电荷分布,几何参数以及振动频率。在锌族卤化物的计算中发现,角弯曲振动频率与实测值相当一致,键伸缩振动频率略为偏低,这主要是由于计算的键长略为偏长所致。MP2方法计算的振动频率更接近于实测值。在钛族卤化物的计算中,三种计算方法都相当地再现了实测值,而以B3LYP方法更为满意。     

Introducing voids around the interlayer of AlN by high temperature annealing

Introducing voids into AlN layer at a certain height using a simple method is meaningful but challenging. In this work, the AlN/sapphire template with AlN interlayer structure was designed and grown by metal-organic chemical vapor deposition. Then, the AlN template was annealed at 1700 ℃ for an hour to introduce the voids. It was found that voids were formed in the AlN layer after high-temperature annealing and they were mainly distributed around the AlN interlayer. Meanwhile, the dislocation density of the AlN template decreased from 5.26×10⁹ cm^-2 to 5.10×10⁸ cm^-2. This work provides a possible method to introduce voids into AlN layer at a designated height, which will benefit the design of AlN-based devices.     

AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件

AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料.经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展.以此为基础,AlGaN基紫外光电器件制备领域也得到长足发展.在本综述中,主要介绍了高质量AlGaN基材料的MOCVD外延生长方法、掺杂方法以及近年来在紫外发光、紫外探测器件方面取得的进展.     

基于原位共角椭偏与反射谱的TiO2薄膜光学常数分析

为了分析溶胶-凝胶法制备的TiO₂薄膜的光学常数,采用旋涂法制备了多层TiO₂薄膜,利用扫描电镜对表面形貌进行了分析,利用椭圆偏振光谱对薄膜的折射率色散和孔隙率进行了拟合分析,并利用原位共角反射光谱对拟合结果进行了验证,得到了TiO₂薄膜厚度、孔隙率和折射率色散曲线。结果表明,TiO₂薄膜厚度与旋涂层数成线性关系,薄膜孔隙率约为15%且与旋涂层数无关,New Amorphous色散模型可以较好地拟合溶胶-凝胶旋涂方法制备的TiO₂薄膜在1.55eV~4.00eV波段的椭偏光谱。该研究为溶胶-凝胶法制备的TiO₂薄膜的光学常数测量提供了参考。     

含有界随机参数的双势阱Duffing-van der Pol系统的倍周期分岔

讨论简谐激励作用下含有界随机参数的双势阱Duffing-van der Pol系统的倍周期分岔现象.首先用Chebyshev 多项式逼近法将随机Duffing-van der Pol系统化成与其等价的确定性系统，然后通过等价确定性系统来探索该系统的倍周期分岔现象.数值模拟显示随机Duffing-van der Pol 系统与均值参数系统有着类似的倍周期分岔行为，同时指出，随机参数系统的倍周期分岔有其自身独有的特点.文中的主要数值结果表明Chebyshev 多项式逼近法是研究非线性随机参数系统动力学问题的一种有效方法. 关键词： Chebyshev多项式 随机Duffing-van der Pol系统 倍周期分岔     

直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜

通过直流磁控反应溅射装置,在蓝宝石(0001)衬底和氮化的蓝宝石(0001)衬底上成功制备了氮化铝(AIN)薄膜。利用X射线衍射仪、原子力学显微镜和双光束扫描分光计,研究了蓝宝石氮化对AIN薄膜结构、应力、晶粒尺寸、形貌和光学性质的影响。X射线衍射研究表明:制备的AIN薄膜具有较强的(0002)择优取向,蓝宝石衬底的氮化不仅能够改善AIN结晶质量,而且还可以减少薄膜的残余应力。但是,原子力学显微镜结果表明:在蓝宝石衬底上制备的AIN薄膜的晶粒大小分布比在氮化的蓝宝石衬底上制备的AIN薄膜的晶粒大小分布更加均匀。我们认为,蓝宝石衬底在氮化的过程中形成的AIN具有过多的位错和缺陷,正是这些位错和缺陷造成了在氮化的蓝宝石衬底上制备的AIN薄膜的晶粒大小分布的不均匀性。吸收光谱显示:蓝宝石衬底的氮化并没有对AIN薄膜的光学性质产生明显的改善。     

随机Bonhoeffer-Van der Pol系统的随机混沌控制

讨论了具有有界随机参数的随机Bonhoeffer-Van der Pol系统的随机混沌现象，并利用噪声对其进行控制.首先运用Chebyshev多项式逼近的方法，将随机Bonhoeffer-Van der Pol系统转化为等价的确定性系统，使原系统的随机混沌控制问题转换为等价的确定性系统的确定性混沌控制问题，继而可用Lyapunov指数指标来研究等价确定性系统的确定性混沌现象和控制问题.数值结果表明，随机Bonhoeffer-Van der Pol系统的随机混沌现象与相应的确定性Bonhoeffer-Van der Pol系统极为相似.利用噪声控制法可将混沌控制到周期轨道，但是在随机参数及其强度的影响下也呈现出一些特点.     

选择液相外延法制备GaAs SNOM微探尖

使用GaAs(001)衬底模拟垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片表面,采用选择液相外延技术在其上面制备了用于超高密度光存储的扫描近场光学显微术GaAs微探尖阵列,并用扫描电子显微镜对微探尖阵列进行了表征.结果表明,在合适的条件下,微探尖呈金字塔状,并且有着较好的分布周期性.这对解决微探尖与VCSEL出光窗口的对准问题、批量制备问题和实现多探尖并行扫描具有实际应用价值.     

大孔吸附树脂X—5在萃取色层中的应用(Ⅰ)——水中痕量镉的测定

大孔吸咐树脂x—5对有机萃取卉咤双硫—甲基异丁基酮(MIBK)有良好的吸咐性能。该树脂吸咐上述有机萃取剂后可作为萃取色层柱的固定相,在pH6～8的条件下,以柠檬酸铵为掩蔽剂,抗坏血酸为保护剂可对水中痕量镉进行富集、分离,然后用0.5M盐酸洗脱,进行原子吸收测定。本文研究了该色层柱的制备、性能、吸咐容量、最佳分离条件及共存离子的干扰,方法可用于环境水质和饮用水中痕量镉的监测,精密度优于5％,回收率为97～103％,水中常见的十三种共存离子不干扰测定。