采用IP+ATM方案实现多业务网络系统建设

本文在比较IP网和ATM网的基础上，着重介绍IP over ATM的优点，并对多协议标记交换（MPLS）这一IP over ATM的先进技术作详细论述。     

纳米磁性液体对多元多相体系结晶特性的影响

以HCFC141b气体水合物结晶生成体系为对象,通过实验研究了磁场作用下纳米磁性液体对多元多相体系结晶生成特性的影响.重点研究了互不相容的水相与HCFC141b液相间、水相与气相(水蒸汽与HCFC141b蒸气)间的质量传递现象.结果发现,在旋转磁场作用下,纳米磁性液体能显著增强相间的质量传递和热量传递,使得结晶生成性能包括生成温度、生成速率等得到很大的提高.     

直升机目标被动声跟踪算法及其仿真研究

本文提出了包含多普勒和声传播时间延迟的接收信号模型;提出了在直升机目标做匀速直线运动的条件下,将声基阵获得的测向信息与多普勒频移信息融合,估计目标运动参数的算法,并用蒙特卡罗方法分析了该算法的估计精度;仿真结果表明该算法可实现较高的估计精度,测距精度满足实用要求;最后研究了应用该算法的自适应跟踪问题．     

显示系统各种干扰的成因分析及预防

921监显系统是由邻频监控、数字电视、电视导播等子系统构成.系统中既有视频信号,也有邻频信号,又有VGA等计算机信号.设备多,信号线、电源线数量大、距离近,稍不注意就会引起相互干扰,严重影响显示质量.针对这种现象进行了比较深入的分析,找到了干扰的原因,弄清了形成干扰所必须具备的条件.并采用内外结合,标本兼治,综合治理的指导思想,提出了较为完善、系统的解决方案.     

光探测器芯片的高频特性测量

为了克服用共面探针测量光探测器芯片的高频特性对电极结构的限制．提出了一种精确测量光探测器芯片的阻抗和频率响应的新方法。对于任意电极结构的探测器芯片，首先把芯片与测试夹具连接，通过一系列的校准和测量，可以得到夹具的S参数，进而利用微波理论扣除整个测试夹具的影响，得到探测器芯片的S参数，计算出光探测器的阻抗和频率响应特性。用该方法对P极和N极共面的光探测器芯片的阻抗和频率响应特性进行了测量，并与直接用微波探针测量的结果相比较，验证了该方法在50MHz～16GHz的频率范围内的正确性。     

EMT与β沸石的异丁烷／丁烯烷基化反应性能比较

异丁烷／丁烯烷基化反应是生产高辛烷值汽油的重要途径［‘j．目前,工业生产烷基化汽油使用HF或H。SO。作为催化剂,存在严重的环保和安全问题．用固体酸催化剂替代液体酸的研究已有30多年历史．90年代初,一种新型六方相八面沸石（现称为EMT）被合成出来［‘j,这种沸石是具有两维交叉直孔道体系的大孔沸石［’‘,且其H型结构具有强酸性“’,因而很快受到人们的重视．St6cker等人‘’‘使用半批量式反应器的研究表明,HEMT是一种优良的异丁烷／丁烯烷基化催化剂．另外,Corma等人＊‘使用固定床反应器的研究表明,HS沸石对该烷基…     

电吸收调制器和DFB激光器集成器件的测量

提出了一种测量电吸收调制器和激光器集成器件芯片散射参数的新方法.根据电吸收调制器和封装寄生参数的等效电路模型,对测量的反射系数进行拟合,得到封装寄生参数和电吸收调制器的等效电路元件的参数值.通过分析发现测试封装寄生参数对电吸收调制器的测试结果有很大影响.去除了封装寄生参数的影响后,得到了调制器的反射和传输参数的真实频响特性     

分子筛和γ-Al_2O_3混合载体上负载Ni和W的加氢裂解催化剂的EXAFS研究

运用EXAFS技术对Ni和W负载于 4种改性Y分子筛与Al2 O3 混合载体上的加氢裂解催化剂进行了研究 ,结果表明 ,硫化态催化剂中W和Ni均未被完全硫化 ,除硫化态外 ,大部分W处于钨氧硫 (WOS)状态 ,而部分Ni为氧化物 ,不同分子筛对Ni和W的硫化程度的影响不同 .另外催化剂中存在少量的NiWS相 ,载体的B酸位与催化剂中的NiWS相的多少有较好的相关性     

混合型延迟反馈光学双稳系统的模结构

本文报导了延迟反馈光学双稳系统在恒定输入光强时的非稳输出振荡特性及其模结构实验结果。采用最小平方拟合方法将实验测量结果与线性稳定性分析的理论计算作了比较,二者符合得很好。     

一种快速瞬态响应的无片外电容LDO

设计了一种快速瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)。采用具有摆率增强作用的缓冲级电路,可以在不额外增加静态电流的同时检测输出端电压,在负载瞬间变化时增大功率器件栅极电容的充放电电流。缓冲级电路还引入了简单的负反馈技术,增加了环路的相位裕度。采用SMIC 180 nm的CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,当输入电压为1.4~5 V时,该LDO的输出电压为1.2 V,最大负载电流为300 mA; 负载电流在1 mA和300 mA间变化时,最大过冲电压为76.5 mV,响应时间仅为1.5 μs。