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宽带射频功放晶体管非线性输出电容研究 总被引:2,自引:0,他引:2
分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容Cout与宽带功放效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,利用Cout控制漏极端电压电流波形能减轻对谐波阻抗的精确要求,使高效率阻抗区域扩大化,从而使宽带功放匹配变为可能。选用GaN HEMT器件设计2~3 GHz频段射频功率放大器,实测结果为该放大器最高漏极效率(DE)为81.7%,功率附加效率(PAE)78.3%,功率为40.75 dBm。在1 GHz带宽内PAE也可达65%以上。实测结果验证了原理分析的可靠性,提出的方法不仅可用于宽带GaN功率放大器设计,对其他类型的微波功放设计同样有借鉴作用。 相似文献
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分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容寄生参数Cout与功率放大器效率的关系。通过建立非线性电路模型分析得出,Cout与外部合适的匹配电路结合能产生类似电压半正弦波,电流方波的最优效率波形。选用GaN HEMT 器件设计S频段射频功率放大器,实测结果显示该放大器最高漏极效率(DE)为81.7%,功率附加效率(PAE)78.56%,功率为41.16dBm,在100M带宽内PAE也可达74.49%以上,并且结构简单。实测结果验证了原理分析的可靠性。 相似文献
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