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SiC MOSFET是制作高速、低功耗开关功率器件的理想材料,然而,制作反型沟道迁移率较高的SiC MOSFET工艺尚未取得满意结果。通过在N0中高温退火可以显著地提高4H—SiC MOSFET的有效沟道迁移率;采用H2中退火制作的4H—SiC MOSFET阈值电压为3.1V,反型沟道迁移率高于100cm^2/Vs的栅压的安全工作区较宽。N20退火技术由于其的安全性而发展迅速并将取代N0。 相似文献
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