小切角衬底上4H-SiC同质外延薄膜的形貌

4H-SiC外延薄膜是加工高频、大功率电子电力器件的理想半导体材料,而使用不同斜切角的衬底进行外延生长的工艺不同.在1.2°小切角的4H-SiC离轴衬底上采用化学气相沉积(CVD)法生长同质外延薄膜.为了改善外延薄膜的表面形貌,对生长温度、原位表面处理和C/Si比这三个重要的生长参数进行了优化.利用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)观察外延薄膜的表面形貌,发现较高的生长温度和较低的C/Si比可以有效降低缺陷密度和表面粗糙度.在生长前使用硅烷气体进行原位表面处理可以有效减小外延薄膜表面的台阶聚束效应.低温光致发光测试表明生长的外延薄膜质量良好.     

蓝牙技术在无线监控中的应用

介绍了蓝牙技术的特点，蓝牙系统的组成，及其在无线监控系统中的应用。并提出了一种模型，有一定的实际意义。     

159W X波段固态空间功率合成放大器

 根据径向波导的主模特性,提出了一种基于径向波导的空间功率合成系统和它的简化模型.利用HFSS(High Frequency Structure Simulator)软件,开发出了16路宽带空间功率合成电路和159W X波段放大器模块.结果发现,无源合成网络在整个X波段合成效率都优于88%,放大器模块在其工作频率内(11.9GHz~12.3GHz),合成效率优于83%.     

大型风力发电机组的功率曲线

介绍了国产化风机功率曲线的测量方法.     

基于PCI总线的视频硬件压缩系统设计和实现

提出视频硬件压缩系统的一种设计方法，介绍了具体设计步骤和方法，并得出结论，实验证明该系统可以完全达到视频数据传输的要求。     

用于SiC和蓝宝石衬底的AlGaN/GaN HEMT热解析模型

研究了温度的升高对低场迁移率及阈值电压的影响,建立了模拟AlGaN/GaN HEMT直流I-V特性的热解析模型。模型考虑了极化、材料热导率、电子迁移率、薄层载流子浓度、饱和电子漂移速度及导带断续的影响。模拟结果表明,低场迁移率随温度的升高而下降,阈值电压随温度的升高略有增加,但变化很小,而沟道温度随漏压的增加上升很快,并最终导致输出漏电流的下降。最后将模拟结果与实验值进行对比,符合较好,证明了该模型的正确性,并可以应用于SiC和蓝宝石两种不同衬底AlGaN/GaN HEMT器件的模拟。     

蓝牙与其他短距离无线通信技术的比较

介绍了三种常用的短距离无线通信技术,并和蓝牙技术作了比较。从比较结果可以看出,这三种无线技术都 有各自的优势和应用领域,并且在很大程度上与蓝牙技术相互补充。     

蓝牙安全机制在无线耳机中的应用

作为一种新的低功耗、低成本、短距离的无线通信技术，蓝牙技术在各个领域得到广泛应用。同时，安全问题是越来越受到重视。本文着重介绍了蓝牙耳机中的安全措施。最后，本文还举例说明了安全措施具体的步骤。     

电网末端电力变压器原边缺相故障分析

分析了电网末端电力变压器原边缺相故障特征,并提出了故障判据。