自聚焦棒耦合性能的分析

本文采用光线光学的原理分析了自聚焦棒（ＧＲＩＮ）的光学性能，在折射率分布为抛物线近似的条件下，推导出较为简单的ＧＲＩＮ中的光线轨迹方程，并实验测量了ＧＲＩＮ的耦合效率，从而由理论和实验两方面讨论ＧＲＩＮ的聚焦特性。     

光电变色器件用纳米晶氧化钛薄膜的微结构与特性

纳米晶TiO2薄膜在光电变色器件中具有很重要的作用。它的微结构直接影响染料的吸附、光的散射以及电荷输运的特性。因此，探索TiO2薄膜的微结构(如粒径、表面形貌和厚度等)及光电性能是非常有意义的。采用电子束蒸发工艺制备了光电变色器件用纳晶TiO2薄膜，利用原子力显微镜、X射线衍射、俄歇电子能谱等手段对纳米晶TiO2薄膜的表面形貌、结晶状态及组分进行了分析。从理论上研究和讨论了纳米晶TiO2薄膜晶粒尺寸对光电性能的影响，并用量子限制效应解释了吸收光谱峰值波长随粒径减小而发生蓝移的现象。     

InP与In_（1－x）Ga_xAs_yP_（1－y）／InP的电解液电调制反射

研究了ＩｎＰ样品和Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ液相外延片在３００～８００ｎｍ范围内的电调制反射光谱。利用Ａｐｓｎｅｓ三点法计算了临界点能量、增宽因子和自旋轨道分裂值。通过实验曲线与理论公式的拟合，确定了临界点能维数及相位因子。并且间接提供了被测Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ四元合金的组份值及其它临界点能量值Ｅ０和Ｅ２。     

自组装技术在MEMS中的应用

起源于生物化学领域的自组装技术正被广泛地应用到了化学、材料、生物、电子、机械等不同的学科中。在MEMS和NEMS中,自组装作为一种新型的“自下而上”的微(纳)结构制备和装配技术而得到积极的关注,并显示出良好的应用前景。在阐述自组装技术发展的基础上,介绍了该技术在MEMS中的典型应用,讨论一些待解决的关键问题,最后展望了自组装技术的发展趋势。     

多晶硅微悬臂梁断裂的可靠性预测模型

分析了多晶硅微悬臂梁断裂失效机理,利用威布尔分布理论建立了多晶硅微悬臂梁在轴向拉抻和垂直两种受力方式下的断裂可靠性预测模型,模型考虑了由于实际加工工艺所带来的残余应力因素,模型所得的预测曲线与实验数据比较吻合。     

电解液电反射谱实验的一种新方法(英文)

<正> The electrolyte electroreflectance (EER) spectra has advantages of high sensitivity and high resolution with wide applications in studying band structure, optical properties and analying semicondoctor composition.The paper emphasizes an improvement about EER spectra measurement. In the previous method, the measuring accuracy is limited because the operating properties of photomultiplier are affected by variation of its operating veltage.     

硅基双势垒金属-绝缘层-金属-绝缘层-半导体隧道发光结

讨论了硅基双势垒金属－绝缘层－金属－绝缘层－半导体（MIMIS）隧道发光结的结构、制备方法及发光特性。所制备的样品最大发光亮度达到1．9cd/m^2、光谱的峰值波长移到了蓝绿光区，表明双势垒MIMIS隧道发光结的性能优于单势垒金属－绝缘层－半导体（MIS）隧道发光结。利用量子力学的共振隧穿效应对它作了较好的解释。     

SnO2电热膜的特性

文章讨论了喷涂热解工艺制备的ＳｎＯ２薄膜的导电机制，从理论和实验上对其电热特性进行了分析，得到一些有益的结果。     

InP与In1—xGaxAsyP1—y／InP的电解液电调制反射光谱

研究了ＩｎＰ样品和Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ液相外延片在３００～８００ｎｍ范围内的电调制反射光谱，利用Ａｐｓｎｅｓ三点法计算了临界点能量，增宽因子和自旋轨道分裂值。通过实验曲线与理论公式的拟合，确定了临界点能维数及相位因子，并且间接提供了被测Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ四元合金的组份值及其它临界能量值Ｅ０和Ｅ２。     

双绝缘层MIMIS隧道结发光性能的研究

介绍了一种新型光电器件,即双绝缘层MIMIS隧道发光器件的结构和制备.根据量子力学隧穿共振效应解释了该结构发光光谱的特点,利用俄歇谱仪和原子力显微镜分析了器件失效的原因,对进一步优化双绝缘层MIMIS器件的结构和工艺条件具有一定的指导意义.