关于S0I（SIMOX）材料在注入过程中粒子污染的研究

本文描述注氧机在制作SOI（SIMOX）材料时，注入过程对顶层硅中产生粒子污染的影响。结合SIMS测试结果，从光路结构，电器参数、靶室等方面阐述粒子污染的机理，并提出相应的解决措施。     

He离子注入非晶Fe40Ni38Mo4B18合金的CEMS研究

对非晶态合金Fe_(40)Ni_(38)Mo_4B_(18)在室温下注入了120keV 2.0×10~(18)、2.5×10~(18)、3.0×10~(18)/cm~2三种剂量的~4He~+离子,借助内转换电子穆斯堡尔谱(CEMS)分析方法研究了注入非晶态合金的微观结构变化。结果表明:在注入近表面层,样品密度随剂量而增加;表面受到横向张应力的作用。分析认为,这是由于在注入层产生了He与类空位的复合体气泡结构所致。     

强流氧离子注入机注入均匀性分析及提高

对强流氧离子注入机的注入靶室进行分析探讨,对影响均匀性指标的靶盘结构、束的形状和束扫描注入方式进行研究,结合主体硬件,增加晶片自旋装置和采用新的扫描方式,来提高注入均匀性指标。     

一台专用强流氧离子注入机的研制

制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了S0I材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别：注氧时间长，注入剂量大，注入过程中要求晶片保持600℃左右的高温，金属污染非常低。本文着重介绍一台专用强流氧离子注入机主要结构单元的研制方法及工艺试验结果分析。     

等离子体浸没Pd离子注入为选择性Cu无电镀形成活化图形

应用等离子体浸没Pd离子注入技术和Cu无电镀实现了Cu互连的选择性电镀。Pd原子从带负电压的靶上被溅射出来,然后在ArECR等离子体中电离成离子并注入到带负脉冲高压的SiO_2基片中。本研究发现:Cu电镀所需的Pd活化剂剂量为5×10~(14)/cm~2量级;直接的Pd PⅢ注入,可省去通常的使用PdCl_2溶液的中间活化步骤。     

休斯公司利用聚焦离子束技术曝光出宽1200nm的线条图形

最近,美国Malibu,Calif.休斯研究所的一组科技人员在GaAs圆片上的PMMA抗蚀剂涂层上成功地制造出清晰明瞭的宽120(?)线条(见下图)。所用曝光工具为超高强度聚焦镓离子束。 休斯公司的科学家相信本实验的成功是量子效应器件变成现实的一个重要突破。这种器件基于量子力学基本原理,其工作速度比通常IC器件的极限速度至少大10倍。     

非晶态合金及其离子注入效应

非晶态合金是一种新型的具有独持优异性能的无机材料,其工业应用潜力是无与伦比的。非晶态合金的离子注入效应则是近十多年内发展起来的用离子束技术研究非晶态合金问题的新领域,它主要研究离子注入引起的非晶态合金的结构变化和有关现象,并用以测定非晶态合金的抗辐照损伤能力,为探索高抗辐照损伤能力的材料提供依据。 本文在简述非晶态合金主要优良性能之后,介绍非晶态合金离子注入效应研究的基本内容和取得的结果。包括:注入非晶态合金的结构状态;非晶态合金中注入He的研究及由此引起的注入条件(能量、剂量、束流密度)、合金成分、注入前样品的不同预处理等对注入效应的影响。     

聚焦离子束用静电透镜特性的计算

聚焦离子束技术是一项有前途的微细加工技术,聚焦光学系统的设计是该技术的关键之一。本文介绍用于聚焦离子光学系统的静电透镜特性计算程序,该程序可计算任何旋转轴对称静电透镜的特性,可用于寻求球差和色差系数较小的静电透镜的电极结构。