属间远缘杂交水稻耐旱性生理特性的比较研究

采用在ＹＯＳＨＩＤＡ水稻专用培养营养液中添加一定量的ＰＥＧ ６０００的方法，比较研究了模拟干旱胁迫条件下属间远缘杂交新型水稻品种“远诱１号”（Ｙ）及其水稻亲本“圭６３０”（Ｇ）、高梁亲本“桃长红”（Ｔ）以及生产推广杂交组合“汕优６３”（Ｓ）等试验材料某些生态生理特性的差异。研究结果表明，在－１．０ＭＰａ的高渗胁迫下，Ｙ、Ｇ、Ｔ的萌发系数均有不同程度的下降，正常培养条件下的萌发系数ＧＣ分别为３６．９     

A New Simple Ultrahigh Speed Decoding Algorithm for BCH Code

1　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　Ｍｏｄｅｒｎｄｉｇｉｔａｌｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓｙｓｔｅｍｓｏｆｔｅｎｒｅｑｕｉｒｅｅｒｒｏｒ ｆｒｅｅｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ .Ｅｒｒｏｒｃｏｎｔｒｏｌｃｏｄｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｈａｓｂｅｅｎｕｓｅｄｗｉｄｅｌｙｉｎｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓｙｓｔｅｍ .Ａｎｄｉｔｈａｓｂｅｅｎｉｍｐｒｏｖｉｎｇｔｈｅｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓｙｓｔｅｍ ｇｒｅａｔｌｙ ,ｅｓｐｅｃｉａｌｌｙｉｎｗｉｒｅｌｅｓｓｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓｓ…     

基于优化ESMD-ICA的海面微弱目标检测

针对强海杂波背景下的海面微弱目标检测问题,提出基于优化ESMD-ICA的检测算法.利用小波模极大值去噪算法对信号预去噪,再采用优化ESMD-ICA去噪算法,最后用优化灰狼算法(GWO)改进的ELM模型对重构的去噪信号做预测.利用IPIX雷达实测数据验证新算法,实验证明:新算法在抑制海杂波前提下,未破坏信号的混沌性质,新预测模型的检测性能远胜于传统预测模型(BP神经网络).新算法在去噪效果、模型训练与检测时间以及检测器稳定性等方面均表现良好,有利于算法广泛应用于实际工程.     

GaN基HEMT微加速度计的压阻系数测试

介绍了GaN基HEMT微加速度计结构的设计、加工及测试过程,并对结果做出了分析。通过喇曼测试与ANSYS仿真软件相结合的方式进行应力测试分析,利用安捷伦4156C测试仪对GaN基HEMT进行不同应力状态及不同温度下IDS-VDS特性测试,并通过相关测试数据计算分析GaN基HEMT的压阻系数及其变化规律。结果表明:常温下GaN基HEMT的等效压阻系数为(2.47±0.04)×10-9Pa-1,高于Si的压阻系数(7.23±3.62)×10-10Pa-1。同时测试了HEMT在-40~50℃的输出特性,实验结果表明,HEMT饱和源漏电流随着温度的升高而下降。压阻系数具有负温度系数,且压阻系数随着温度的升高以226TPa-1/℃的速率减小。     

采用动态波长分插复用器的光突发交换环网中的控制协议研究

提出了一种光突发交换(OBS)环网控制协议——延迟光突发固定周期(DBFP)协议。它采用动态波长分插复用器(WADM)。即采用波长可调发送可调接收(TTTR)机制．通过提前的光突发控制分组(BCP)．为光突发数据分组(BDP)预留资源，并利用固定长度的光纤延迟线(FDL)将突发数据包延迟同定的时间，以便等待所有已经预留的突发数据包发送完毕，从而完全避免突发数据包冲突问题。仿真结果表明。延迟光突发固定周期协议能完全避免突发数据包冲突。同时有效地实现了波长统计复用、按需分配和空间重用，波长重用效率高达160％。从而提高链路利用率．特别适合于突发性的业务；并且延迟光突发固定周期协议所引入的时延为1ms左右．对业务的影响不大。     

光突发交换及其关键技术研究

文章介绍了光突发交换网络的恰量时间协议、网络结构和突发控制分组结构,重点研究了光突发交换网络的竞争解决方案、QoS解决方案和突发会聚机制等关键技术．     

网络新品4则

无线高速以太网络摄像机 Cellvision CAS-200W网络摄像机向用户提供了LAN/WAN上有线或无线监控解决方案,在因特网的范围内进行监控及远程警报查证。CAS-200W无线网络摄像机工作于IEEE 802.11b无线     

基于场景模式通信网络应急保障方法探索

提出了通信保障应急预案的场景概念,并通过分析严重影响通信系统的灾害性事件及其对通信系统的影响程度,归纳为不同的场景,再将各种可能的事件置于相应的场景中,提出了5大场景预案核心环节和灾后快速业务评估方法,为编制有针对性的、多专业立体联动的通信保障预案提供了有效方法奠定基础,使得预案更具有可操作性,有效降低了通信系统因火灾...     

GaAs基共振遂穿二极管的材料结构研究

用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD.主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,V<,p>降低到了0.41 V.同时常温下测试了其中一种设计结构的敏感单元在四种不同发射极面积下的I-V特性曲线.最后对器件阱结构和发射...