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1.
研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.  相似文献   
2.
制作并测试了12信道总传输速率为37.5Gbit/s的高速并行光发射模块,其中单信道传输速率为3.125Gbit/s.模块采用波长为850nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为光源.耦合过程采用了一种利用倒装焊设备进行激光器阵列与列阵光纤之间的无源对准耦合的方法.在单信道8mA的工作电流下,可以得到3.125Gbit/s的清晰眼图.  相似文献   
3.
与CMOS工艺兼容的硅高速光电探测器模拟与设计   总被引:11,自引:9,他引:2  
用器件模拟的方法,设计了一种与常规CMOS 工艺兼容的硅高速光电探测器,该探测器可与CMOS接收机电路单片集成,对该探测器进行了器件模拟研究,给出了该探测器的电路模型.通过MOSIS(MOS implementation support project) 0.35μm COMS工艺制做了该探测器,实际测试了该器件的频率响应和波长响应,探测器频率响应在1GHz以上,峰值波长响应在0.69μm.  相似文献   
4.
曹青春  王安国  唐君 《现代导航》2011,2(4):268-270
针对传统的天文惯性组合定位定向法不能有效修正惯性导航系统传感器误差所造成的导航误差,研究了一种新的惯性天文融合方法。利用天文导航系统量测的姿态,根本上抑制陀螺漂移误差,进而提高系统的姿态、速度及定位精度。  相似文献   
5.
MOSFET的损耗分析与工程近似计算   总被引:1,自引:0,他引:1  
罗四海  娄本超  唐君  李彦 《电子设计工程》2011,19(21):136-138,145
根据MOSFET的简化模型,分析了导通损耗和开关损耗,通过典型的修正系数,修正了简化模型的极间电容。通过开关磁铁电源的实例计算了工况下MOSFET的功率损耗,计算结果表明该电源中工况下的MOSFET功率损耗比较小,可以长时间可靠稳定的工作。  相似文献   
6.
采用钨丝掩模技术,通过调整制作过程中的工艺参数,研制出批量器件阈值在2 m A以内,最低阈值为1.2 5 m A的85 0 nm垂直腔面发射激光器.同时对TO封装的器件进行了高频特性测试,结果表明3d B带宽最高为4 .0 GHz,在应用于光通信收发模块的商品化同类器件中处于较好的水平,适合中、高速光通信应用  相似文献   
7.
高速率并行光发射模块的研制   总被引:1,自引:1,他引:0  
介绍了有关并行光发射模块设计与制作的最新进展,制作并测试了12信道并行光发射模块,单信道传输速率大于2.5Gbit/s(最高可达3Gbit/s),12信道并行总传输速率为30Gbit/s。模块采用波长为850nm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)作光源,激光器与驱动电路芯片直接用Au丝连接,输出光束直接耦合进入12信道的光纤阵列中,在单信道8mA的工作电流下,可以测到最高为3Gbit/s的清晰眼图。  相似文献   
8.
报道了关于并行光发射模块的设计与制作.优化设计、制作并测试了12信道并行光发射模块,单信道传输速率可达3Gbit/s.采用波长为850nm的垂直腔面发射激光器作光源,激光器与驱动电路芯片直接用金丝连接.输出光束直接耦合进入12信道的光纤阵列中.采用小型化可插拔封装结构以便在应用中实现热插拔.模块的测试结果表明,在8mA的工作电流下,测到3Gbit/s的清晰眼图.  相似文献   
9.
RCE光电探测器顶部DBR的优化   总被引:2,自引:4,他引:2  
对研制的 VCSEL 结构外延片制成的谐振腔增强型 (简称 RCE)光电探测器进行了物理分析和实验研究 ,由于 VCSEL 与 RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同 ,通过腐蚀 VCSEL 器件顶部 DBR,改变顶镜反射率 ,能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的 RCE光电探测器 ,实现 VCSEL 与 RCE探测器的单片集成 .  相似文献   
10.
杨沛  唐君  袁芳  郭玉洁  张旭 《电子元件与材料》2022,41(6):616-620+626
无线能量传输系统(WPT)具有高度的灵活性和便利性,可作为电源元件广泛应用于可穿戴和便携式电子设备领域。但受传输频率、发射模块功率放大电路的损耗等因素对传输效率和传输距离的影响,WPT无法充分发挥其预期的潜力。为改善WPT的传输效率,提出了一种高效率氮化镓E类功率放大器,并通过理论分析确定了工作频率和功率管型号,然后运用ADS软件对基于氮化镓(GaN)的E类功率放大电路进行了参数设计和仿真调试。仿真结果表明,在工作频率为13.56 MHz、负载为50Ω的情况下,功率附加效率(PAE)最大可达97.4%,输出功率可达44.4 dBm,同时在20~100Ω负载范围内,PAE都能达到90%以上,符合分析结果,可用于提高WPT系统的传输效率和传输距离。  相似文献   
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