5.2GHz 0.18μm CMOS射频低噪声放大器的设计

采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计应用于IEEE 802.11a的无线局域网络的低噪声放大器（LNA）。整个电路采用1.8V单电源供电,输入输出匹配良好。用ADS模拟软件对电路进行分析优化,结果表明：在中心频率5.2GHz处,噪声系数为2.51dB,功率增益为17.373dB。     

小面积低功耗RFID射频前端电路设计

提出了一个适用于EPC Gen2协议的小面积低功耗RFID射频前端电路的设计方案.射频前端电路包括整流器、ASK解调器、ASK和BPSK调制器和传感器模块,射频的工作频率为860～960 MHz.基于具有不挥发存储器和肖特基二极管选项的0.35μm CMOS工艺,设计了RFID射频前端电路.采用开关电容电路技术实现了小面积低功耗RFID射频前端电路.     

小面积低功耗RFID射频前端电路设计

提出了一个适用于EPC Gen2协议的小面积低功耗RFID射频前端电路的设计方案. 射频前端电路包括整流器、ASK解调器、ASK和BPSK调制器和传感器模块，射频的工作频率为860～960MHz. 基于具有不挥发存储器和肖特基二极管选项的0.35μm CMOS工艺，设计了RFID射频前端电路. 采用开关电容电路技术实现了小面积低功耗RFID射频前端电路.     

增光子相干态的相位性质

利用PB相位理论研究了增光子相干态(Photon—Added Coherent States)的位相性质。计算了增光子相干态光场的位相概率分布函数，并进行了数值模拟。     

小面积低功耗RFID射频前端电路设计

提出了一个适用于EPC Gen2协议的小面积低功耗RFID射频前端电路的设计方案.射频前端电路包括整流器、ASK解调器、ASK和BPSK调制器和传感器模块,射频的工作频率为860～960 MHz.基于具有不挥发存储器和肖特基二极管选项的0.35μm CMOS工艺,设计了RFID射频前端电路.采用开关电容电路技术实现了小面积低功耗RFID射频前端电路.     

CMOS超高频整流器

提出了一个适用于无源UHF RFID标签芯片的全CMOS整流器.整流器包括射频-直流转换电路、偏置电路、直流-直流转换电路和振荡器电路.整流器的工作频率范围是860～960 MHz.基于0.18μm,1p6m的标准数字CMOS工艺,设计并实现了无源UHF RFID标签芯片的整流器.该设计采用开关电容电路技术动态地消除了CMOS管开启电压的问题,在标准数字CMOS工艺下实现了高效率的超高频整流器.整流器的面积为180μm×140μm.当输入900MHz,-16dBm的射频信号时,整流器的输出电压为1.2V,启动时间为980μs.     

用于测试SDRAM控制器的PDMA

设计了一种用于测试SDRAM的可编程直接存储器存取控制模块(PDMA)，把设计的PDMA作为IP软核，在基于PCI环境的RTL仿真平台上进行功能仿真、综合并将结果下载到PFGA上，建立基于FPGA的测试平台进行硬件测试验证。结果表明，板上PDMA工作频率66MHz，达到快速访问的设计要求。PDMA仿真了多个IP与SDRAM的数据交换，并且建立在通用的PCI环境下。因此本设计方法和建立的仿真测试环境可用于不同的IP，是解决不同IP开发中十分重要的仿真测试方案，大大缩短了IP开发的测试和验证的时间，对于发展IP软核有重要意义。     

数字IC端口的设计

本文讨论了IC进入深亚微米(DSM)阶段后，数字IC端口的设计所面对的困难。主要介绍了ESD保护、驱动电路设计以及端口设计的SPICE模型仿真验证。     

CMOS超高频整流器

提出了一个适用于无源UHF RFID标签芯片的全CMOS整流器.整流器包括射频-直流转换电路、偏置电路、直流-直流转换电路和振荡器电路.整流器的工作频率范围是860～960 MHz.基于0.18μm,1p6m的标准数字CMOS工艺,设计并实现了无源UHF RFID标签芯片的整流器.该设计采用开关电容电路技术动态地消除了CMOS管开启电压的问题,在标准数字CMOS工艺下实现了高效率的超高频整流器.整流器的面积为180μm×140μm.当输入900MHz,-16dBm的射频信号时,整流器的输出电压为1.2V,启动时间为980μs.