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1.
周均 《电信快报》2015,(4):43-47
电子政务作为国家信息化建设的重点领域和关键,建设统一电子政务平台是推进政府管理方式创新,提高政府公信力和执行力,加快服务政府、责任政府、法治政府、廉洁政府建设的重要举措。文章首先阐述电子政务系统的现状和挑战,分析统一电子政务平台建设目标和建设内容,重点提出统一电子政务平台建设方案。最后提出统一电子政务平台建设带来的经济和社会效益。  相似文献   
2.
高效液相色谱法测定方便面中丙烯酰胺   总被引:3,自引:0,他引:3  
建立了一种检测方便面中丙烯酰胺的液相色谱方法。萃取剂选择1g/L的蚁酸溶液,将萃取液以12000r/min,2℃离心18min,上清液再以14500r/min,0℃离心18min,可分离基质中淀粉、蛋白质、脂肪等干扰物;方法采用ZORBAX SB-C18(250mm×4.6mm,5μm)色谱柱,流动相为A(乙腈∶水=1∶24(V/V))和B(乙腈),流速0.5mL/min,在丙烯酰胺的最大吸收197nm处检测,提高了方法的检出限及回收率。该方法有良好的线性关系(r=1.00000),检出限为48.0μg/kg。回收率94.4%~109.8%,相对标准偏差为4.9%~5.6%。  相似文献   
3.
规划设计出一条时效性强、经济性高的三维(3D)航迹,这是当前国内外无人机应用领域急需处理的一个难题。蚁群算法在规划航迹环节中暴露出航迹长度和平滑性不够的问题,鉴于此,本课题研究中改进了蚁群系统,采用蚁群粒子群融合算法。结合实验仿真结果,认为在3D静态环境内蚁群粒子群融合算法能为无人机规划出一条相对理想的航迹,具有推广价值。  相似文献   
4.
在等离子激发条件下,进行了SiO_2,和SiON介质薄膜生长实验,研究了沉积参数射频功率、反应压力、反应气体流量比及总流量、反应温度对沉积薄膜的生长速率、均匀性和折射率的影响,并优化了工艺条件,得到了生长速率为150nm/min、均匀性为±0.44%、折射率n为1.463±0.002的SiO_2和生长速率为117nm/min、均匀性为±3.0%、折射率n为1.506±0.004的SiON介质薄膜。还介绍了这两种介质薄膜的应用。  相似文献   
5.
周均 《有线电视技术》2006,13(3):134-136
与模拟电视系统比较,数字电视系统能够提供更多的节目内容和更好的节目质量,因此数字电视系统取代模拟电视系统已经成为了不可逆转的趋势.无论是发达国家还是发展中国家,数字电视系统的推广都成为了整个社会的热点.各国政府也将推广数字电视作为发展电视产业和提高国民生活质量的重要手段之一.  相似文献   
6.
南光明  周均 《有机化学》2012,32(9):1695-1699
首次以芳基三氮烯为新型亲电底物进行Stille偶联反应研究.反应在室温、氩气保护下进行.溶剂、两底物物质的量比、催化剂用量等影响收率的因素被优化,取得最佳的优化条件,获得较好的收率.芳基三氮烯通过助催化剂路易斯酸迁移到钯化合物,偶联反应由钯催化剂催化完成.产物纯化通过硅胶柱层析完成,结构被1H NMR,13C NMR确定.  相似文献   
7.
建立了QuEChERS前处理-高效液相色谱-串联质谱法(HPLC-MS/MS)同时检测植物源性食品中噻氟隆和炔草隆残留的分析方法。样品以酸化乙腈提取,经石墨化碳黑(GCB)净化。采用C18色谱柱进行分离,以甲醇-0.1%甲酸溶液(含5mmol/mL乙酸铵)为流动相,梯度洗脱。质谱采用电喷雾正离子电离(ESI+),多重反应监测模式(MRM)检测。以保留时间和特征离子对进行定性,基质匹配外标法定量。结果表明:在葡萄、葡萄干、西红柿、大米、苹果、枸杞、黄瓜、小麦粉、白菜9种基质中,噻氟隆和炔草隆在各自线性范围内线性关系良好(相关系数r2均大于0.997);噻氟隆和炔草隆的定量限(S/N=10)分别为0.4、1.0μg/kg,在3个加标水平(1、2、10倍定量限)下,噻氟隆的回收率为84.7%~107.7%,相对标准偏差为4.2%~16.3%;炔草隆的回收率为74.7%~110.0%,相对标准偏差为4.3%~12.8%。该方法简单、快速、准确、灵敏、安全,适用于植物源性食品中噻氟隆和炔草隆残留的快速确证和定量分析。  相似文献   
8.
周均 《微电子学》1999,29(1):10-14
介绍了一种单层多晶硅CMOS工艺。该工艺采用P型衬底,N型P型双埋层,N型薄外延结构,掺杂多晶硅作为CMOS晶体管栅极和双极NPN晶体管的发射极。CMOS晶体管采用源漏自对准结构,钛和铝双层金属作为元件互连线,PECVDSiNx介质作为钝化薄膜。  相似文献   
9.
周均  袁博鲁 《电子器件》1997,20(1):56-62
本文介绍一种高性能2.0umBiCMOS工艺。该工艺采用P型衬底N型P型双埋层,N型薄外延结构,掺杂多晶作为CMOS晶体管栅杉双极晶体管的发射极。CMOS晶体管源漏自对准结构,钛和铝双层金属作为元件互连和PECVD SiNx介质作为钝化薄膜。  相似文献   
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