用光声谱法研究硅单晶中~(31)P~+离子注入

本文报道用光声谱法在近红外波段研究硅单晶中~(31)P~+离子注入效应,得到了注入剂量为10~(12)cm~(-2)-10~(15)cm~(-2)范围内的光声信号幅值随注入剂量变化的关系.对于先经退火后进行离子注入的样品,其剂量低到 5×10~(11)cm~(-2)的离子注入效应也能被检测到.在1×10~(12)-5 × 10~(13)cm~(-2)低剂量范围内,光声信号明显地随注入剂量而增加.因此,光声谱法是研究离子注入造成的晶格损伤的有效手段,有希望发展成为硅中离子注入剂量的无接触、快速、非破坏性的测量方法.     

用光声谱法研究硅单晶中~(31)P~ 离子注入

本文报道用光声谱法在近红外波段研究硅单晶中~(31)P~ 离子注入效应,得到了注入剂量为10~(12)cm~(-2)-10~(15)cm~(-2)范围内的光声信号幅值随注入剂量变化的关系.对于先经退火后进行离子注入的样品,其剂量低到 5×10~(11)cm~(-2)的离子注入效应也能被检测到.在1×10~(12)-5 × 10~(13)cm~(-2)低剂量范围内,光声信号明显地随注入剂量而增加.因此,光声谱法是研究离子注入造成的晶格损伤的有效手段,有希望发展成为硅中离子注入剂量的无接触、快速、非破坏性的测量方法.     

用光声谱研究硅单晶中~(31)P~ 离子注入

本文报道用光声谱法在近红外波段(0.8～1.6μm)研究硅单晶片中~(31)P~ 离子注入的效应,得到了低剂量情况下的结果,并认为有希望成为硅中离子注入剂量的检测方法。低注入剂量情况下,离子注入会在半导体中造成局域能级,在高剂量下离子注入则使半导体晶片的晶格完全破坏,变成非晶硅。光谱测试表明,在1.1～1.38μm波长范围内,单晶硅几乎是     

国产新型高密度光栅光谱仪数据处理方法研究

由上海棱光技术有限公司与中国农业大学联合研发的S450型近红外高密度光栅光谱仪,使用高速采集技术可得到高密度光谱（波长范围900~2 500 nm,采集间隔0.1 nm,光谱包含16 001个数据点）,本文采用该仪器并以小麦、烟草样品为实验对象,针对高密度光谱的数据特点,采用S.G.（savitzky-golay）平滑、固定窗口组合滑动窗口平滑(FCMWS和一阶导数（FD）等数据处理方法,并应用偏最小二乘法（PLS）对小麦粗蛋白、烟草烟碱及总糖含量进行建模和预测,对仪器整体性能以及数据处理方法的参数优化等,进行了评价和比较研究。结果表明：（1）小麦、烟草样品的原光谱经S.G.平滑结合一阶导数预处理后,模型性能大幅提高,通过对参数拟合阶次M和平滑点数N进行优化得出,当M一定时,N可选取范围较宽,且当M=2和N处于201～801区间时模型效果理想且稳定;（2）FCMWS方法对小麦、烟草样品的原光谱进行两层平均平滑,经调整优化平滑参数K₁和K₂（K₁为第一层平滑的固定窗口大小,K₂为第二层滑动窗口大小）得出：两层平滑参数相乘约为150~310时,模型性能稳定且较优,同时FCMWS方法极大地提高了建模速度;（3）以小麦样品为对象,同时在两台S450型光谱仪上采集样品光谱,对比分析了仪器间的性能差异,结果表明光谱经S.G.平滑或FCMWS方法处理后,不同仪器模型间相互预测数据的相对偏差小于2.00%,远低于预测值与参考值间的相对偏差,说明上述两种方法均可降低仪器的台间差异,实现台间模型的稳定传递。研究结果表明,国产S450型高密度光栅光谱仪结合数据平滑去噪技术,已满足小麦、烟草等农产品品质检测和模型传递的性能要求,且该光栅型仪器成本相对较低,对农业领域推广近红外快速检测技术的应用具有实际意义。