光电子能谱研究O2和Rb在InSb（111）表面上共吸附

本文利用光电子能谱（ＸＰＳ和ＵＰＳ）技术研究了室温下Ｏ２和Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上共吸附，分析了碱金属Ｒｂ在ＩｎＳｂ（１１１）表面上吸附的键合状态以及对衬底的催化氧化作用。结果表明，Ｒｂ与ＩｎＳｂ表面上的Ｓｂ发生化学反应，Ｒｂ在ＩｎＳｂ表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率，衬底表面上的Ｉｎ和Ｓｂ被氧化，分别生成锑和铟的氧化物。在Ｏ２吸附的过程中，还观察到两种Ｒｂ的氧化物，即过氧化铷（Ｒｂ２Ｏ２     

基于FPGA与指纹识别的支付系统设计

随着科学技术的飞速发展,大型支付系统如支付宝、微信等广泛地融入到人们的生活中,但是它并不适用于小型门店消费与充值等应用场景。为了能够实现具有独立记录的小型支付系统,文章提出了一个基于FPGA的指纹支付系统。该系统采用键盘、显示器以及传感器等外设,当键盘获取到输入信息后,它将信号送到FPGA中,通过VGA协议显示到显示器。指纹模块通过UART通信协议完成数据传输与控制,获取FPGA发来的控制信息后进入录入、验证等状态。系统联调表明,它具有开户、查询、充值和消费等功能,不依赖账户的识别模式,依托于指纹搜索结果,适用于小规模应用场景。     

Pt/Si界面化学键性质的研究

在超高真空系统中,超薄层 Pt淀积膜原位蒸发在原子清洁的 Si(111)表面上形成 Pt/Si界面.利用光电子谱技术(XPS和UPS)研究了Pt/Si 界面的化学性质.测量了Si2p和Pt 4f芯能级和价带电子态,并着重研究这些芯能级及电子态在低覆盖度时的变化.由 Si(2p)峰的强度随 Pt 覆盖度的变化可以清楚证明:在 300 K下淀积亚单原子层至数个单原子层 Pt的 Pt/Si(111)界面发生强烈混合作用,其原子组伤是缓变的.由于Si原子周围的 Pt原子数不断增加,所以 Pt 4f芯能级化学位移随 Pt原子覆盖度的增加而逐步减小,而Si 2p芯能级化学位移则逐步增大.同时,Pt 4f峰的线形也产生明显变化,对称性增加;Si 2p峰的线形则对称性降低.淀积亚单原子层至数单原子层Pt的UPS谱,主要显示两个峰:-4.2eV(A峰),-6.0eV(B峰).A峰随着覆盖度的增加移向费米能边,而B峰则保持不变.这说明Ptd-Sip键合不受周围Pt原子增加的影响.利用Pt/Si界面Pt原子向Si原子的间隙扩散模型讨论了所观察到的结果.     

非均匀线阵的快速求根MUSIC方法

相对于均匀阵列,非均匀阵列在增大天线孔径、避免栅瓣方面具有明显优势。针对非均匀线阵DOA估计带来的高计算量问题,提出了一种快速的实多项式求根MUSIC方法。该方法利用小角度范围内的导向矢量可以利用低阶多项式很好近似的特性,将非均匀线阵DOA估计问题转化为多组低阶实多项式求根问题。由于低阶实多项式具有计算量小以及数值稳定性好等优点,而且多组多项式求根可以并行实现,该方法能够快速地实现非均匀线阵DOA估计,非常适合于工程应用。     

电子能谱仪中金属硅化物的原位制备装置

本文介绍了在电子能谱仪中为原位制备金属硅化物样品而设计和安装的高温电子束加热装置和石英振子膜厚测量装置，着重介绍了它们的基本原理、结构和使用性能，并以Ｐｄ／ｓｉ 系统为例作了简要说明．     

K对InP（100）表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱研究了Ｋ对Ｐ型ＩｎＰ（１００）表面的催化氧化反应过程．对于Ｏ２／Ｋ／ＩｎＰ（１００）体系的Ｐ２ｐ、Ｉｎ４ｄ和价带光电子能谱研究可知，在氧吸附的过程中，Ｏ和Ｐ、Ｉｎ之间发生了化学反应，Ｏ更易于与Ｋ在吸附过程中与ＩｎＰ（１００）衬底之间的界面反应形成的Ｋ－Ｐ化合物中的Ｐ健合．碱金属Ｋ的存在并不直接和Ｏ发生作用，而是起到一种催化剂的作用，增加了电荷向氧传输的能力．使得Ｏ２的分解和吸附变得更加容易．在Ｉｎ４ｄ芯能谱中，Ｉｎ－Ｏ之间的反应并不是很明显，而在价带谱中则可以明显地看到Ｉｎ－Ｏ之间反     

MoSi_2硅化物的形成及电子结构的研究

利用XPS、UPS、AES、X-光衍射和拉曼散射等技术,研究了在稳态热退火条件下共溅射的Mo-Si合金膜,硅化物的形成及电子结构特性.     

低重频数据辅助的近程杂波抑制方法

针对机载非正侧视雷达的距离非平稳杂渡抑制问题,提出了一种低重频数据辅助的俯仰预滤波方法,用于滤除距离非平稳的近程杂波.该方法在无俯仰主瓣杂波信号的低重频数据域选取训练样本,并采用自适应俯仰空间频率补偿技术估计协方差矩阵,能够得到较理想的俯仰自适应方向图.推导了近程杂波俯仰维杂波秩的计算公式,为近程杂波抑制提供了理论支撑.在滤除距离非平稳的近程杂波后,能为方位-多普勒空时自适应处理器提供距离平稳的训练样本,使其性能明显改善.仿真实验验证了该方法的有效性.     

同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响

利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Ｎａ吸附下于Ｐ型ＩｎＰ（１００）表面对其氮化反应的影响．通过Ｐ２ｐ、Ｉｎ４ｄ芯能级谱的变化，对Ｎａ／ＩｎＰ（１００）表面的氮化反应的研究表明，碱金属Ｎａ的吸附对ＩｎＰ（１００）无明显的催化氮化作用，即使采用Ｎ２／Ｎａ／Ｎ２／Ｎａ／Ｎ２／Ｎａ／ＩｎＰ（１００）的类多层结构，在室温下也只有极少量的氨化物形成，而无明显的催化氮化反应发生．碱金属吸附层对Ⅲ－Ⅴ族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制，碱金属对元素半导体的催化氮化反应，吸附的碱金属与元素半     

机载正侧阵雷达杂波自由度分析

 该文主要分析远场条件下机载正侧阵雷达任意波束宽度杂波在各种阵元间距情况下的自由度.首先从距离波数域出发分析任意波束宽度的杂波在各种阵元间距情况下的空间自由度,然后通过空时等效原理将二维空时杂波转化为一维空间杂波,得到不同系统参数情况下的空时杂波自由度,给出了适用范围广的杂波自由度确定方法.最后通过仿真实验验证了上述分析的正确性.