电子束辐照对单根Zn2 GeO4纳米线电学特性的影响

利用透射电子显微技术,对Zn2 GeO4纳米线的微观结构以及元素成分进行了表征。采用STM?TEM电学测试样品杆在透射电子显微镜内原位构建一个基于Zn2 GeO4纳米线的金属－半导体－金属（ M?S?M）结构,在结构两端加电,发现随着辐照强度的增加,流过纳米线的电流增加且I?V曲线的开启电压减小。进一步分析表明这是由于金属电极中的电子受到更强的激发更容易越过金属与半导体形成的肖特基势垒,因此在原位TEM电学测试过程中,应该考虑到电子束辐照的影响,以便获得更加准确的测量结果。     

应用ASP和ADO实现计算机远程在线考试系统

随着多媒体网络教学的初具规模，作为辅助教学的网络考试系统的需求将与日俱增。本着大众化普及教育的原则，利用ASP（Active Server Pages）和ADO（ActiveX Database Object）技术，采用B／S模式，研究开发了一套计算机远程在线考试系统。该系统使用方便、操作简单，具有很强的学科通用性。通过测试和运行表明：这种无纸化的网络考试系统不仅可以大大减轻教师的工作量，而且因不受时空的限制更显其灵活性和科学性。     

Cu/Al引线键合界面金属间化合物生长过程的原位实验研究

铜引线键合由于在价格、电导率和热导率等方面的优势有望取代传统的金引线键合, 然而Cu/Al引线键合界面的金属间化合物(intermetallic compounds, IMC)的过量生长将增大接触电阻和降低键合强度, 从而影响器件的性能和可靠性. 针对以上问题, 本文基于原位高分辨透射电子显微镜技术, 研究了在50–220 ℃退火温度下, Cu/Al引线键合界面IMC的生长问题, 实时观测到了Cu/Al IMC的动态生长及结构演变过程. 实验结果表明, 退火前颗粒状的Cu/Al IMC 分布在键合界面, 主要成分为Cu₉Al₄, 少量成分为CuAl₂. 退火后Cu/Al IMC的成分是: 靠近Cu一端为Cu₉Al₄, 远离Cu的一端为CuAl₂. 同时基于原位观测Cu/Al IMC的动态生长过程, 计算得到了Cu/Al IMC 不同温度下的反应速率和激活能, 给出了基于原位实验结果的Cu/Al IMC的生长公式, 为优化Cu/Al引线键合工艺和提高Cu/Al引线键合的可靠性提供了指导.     

“传感器实验”混合式教学的探索与实践

介绍了在教育信息化的形势下“传感器实验”采用线上线下混合式教学模式的意义，以引导学生主动使用、方便使用，实现差异化教学为目的，搭建合理的在线学习网络平台。实践表明，“传感器实验”的混合式教学，在丰富教学资源、实现多种教学手段的基础上，充分调动了学生学习的主动性、积极性，实现差异化学习，进而很好地实现学生实践动手能力和创新思维能力的提高，并得到教学相长的效果。     

Raman spectroscopy characterization of two-dimensional materials

Two-dimensional(2D) materials have become a hot study topic in recent years due to their outstanding electronic,optical, and thermal properties. The unique band structures of strong in-plane chemical bonds and weak out-of-plane van der Waals(vdW) interactions make 2D materials promising for nanodevices and various other applications. Raman spectroscopy is a powerful and non-destructive characterization tool to study the properties of 2D materials. In this work, we review the research on the characterization of 2D materials with Raman spectroscopy. In addition, we discuss the application of the Raman spectroscopy technique to semiconductors, superconductivity, photoelectricity, and thermoelectricity.     

单晶CuS纳米线的电沉积合成及结构表征

采用多孔AAO模板辅助的有机溶剂电化学沉积技术,制备出尺寸均匀,平均直径30nm的单晶CuS纳米线。利用透射电子显微技术研究了纳米线的晶体结构和元素成分,分析了不同沉积电流密度对CuS纳米晶形核及生长过程的影响。研究结果表明,电流密度过小,容易导致S单质向S2-还原速度竞争不过Cu2+与S2-反应成核的速度,从而出现Cu34S32(即CuS0.95);电流密度过大,则会导致成核过程抑制生长过程,得到的CuS纳米晶均为多晶形态。