一种改进的基于110GHz在片S参数测试的HEMT器件寄生电阻提取方法

提出了一种改进的高电子迁移率晶体管寄生电阻提取方法,该方法利用了特殊偏置点 （V_gs > V_th, V_ds = 0 V）的等效电路模型, 推导了寄生电阻的表达式,采用半分析法对寄生电阻进行了优化。1 ~110 GHz S参数实测结果和仿真的S参数一致,证明该方法是有效的。