全玻璃平板型夫实荧光光源的工艺探讨

提出并研制出一种新型平板式全玻璃真空荧光光源（VFLS）管,与国际上传统的真空荧光光源管比较,新的器件在大面积碳场发射阴极,厚膜管结构和制造工艺等方面是新颖的。从真空荧光光源管内的工作原理出发,分析了该器件工作时管内发生的主要物理过程,详细介绍了研制VFLS管的制造工艺,并讨论了此工作目前存在的问题及前景。     

平行平面形真空微电子二极管的二分之三次关系式

从泊松（Poisson)方程出发,出了平行平面形真伫微电子二极管中考虑空间电荷效应的二分之三次方关系式,并列举了此关系式的有关应用。     

真空微电子平板摄像管10×10像素驱动电路的设计与制作

真空微电子平板摄像是一种全新的摄像理论,它采用碳纳米场发射阴极、栅极和阳极(收集极)三极管结构。介绍了真空微电子平板摄像管驱动电路的设计要求、设计思路和电路测试结果,实验中采用的栅极驱动对驱动电路(扫描电路)起到了关键作用。     

真空热预处理在平板摄像管CdSe多层靶面制作中的作用

为了研制用于真空微电子平板摄像管(FPC)的具有高感光度的CdSe多层光导材料，发展了包括真空热预处理(VHPT)和非真空热后处理(NAHT)在内的新型热处理工艺。重新装配的蒸发设备和具有结晶和氧化功能的新型炉具满足两种热处理工艺并同其他工艺一起可制造出新的高性能的CdSe多层光导靶。实验结果表明，CdSe多层光导靶的灵敏度提高，而清晰度(分辨率)保持不变，介绍了与VHPT工艺有关的实验结果。     

在烧结氧化中Se气氛对真空微电子平板摄像管CdSe靶面性能的影响

CdSe是研制高灵敏真空微电子平板摄像管光导靶材材料，在CdSe靶材的结晶过程中Se氛对形成完整的晶格结构起了至关重要的作用。介绍了精确控制Se气氛的实验装置和Se气氛对CdSe光导靶性能影响的实验结果。     

靶面淀积参数对真空微电子平板摄像管特性的影响

为了开发用于真空微电子平板摄像管的高灵敏度CdSe多层光导材料，改建了一台能精确控制CdSe材料的蒸发速率、厚度和基体温度的高真空蒸镀设备，开发了由真空热预处理，非真空热后处理二种处理新工艺，制造出了新的高性能的CdSe多层光导靶，使CdSe多层光导靶的灵敏度提高了两个数量级，而清晰度（分辨率）保持不变，介绍了CdSe蒸发工艺对靶面特性的影响。     

低惰性高分辨率的硒化镉摄像管靶面

介绍了一种改进了的硒化镉摄像管靶面,该靶面由光电导层硒化镉、氧化层硒酸镉、传输层及扫描阻挡层硫化锑组成。传输层独创性地采用了具有内建电场作用的非晶态 As_2Se_3和高暗电阻率材料的非晶态 As_1Se_9的复合结构,从而使靶面的惰性和分辨率得到了显著改善。比较详细地分析了这种靶面的工作原理,同时还介绍了制作这种靶面的工艺方法。     

平面平行真空微电子二极管中二分之三次方关系式的应用

在一定的假定条件下，考虑空间电荷影响，平面平行真空微电子（P—VMD）二极管中电流一电压近似按二分之三次方关系式工作。本文在此关系式及Forler—Nordheim场发射方程的基础上，通过解简化立方方程，进一步推导出管内的电位、电场强度、电子速度和空间电荷密度的分布函数。P-VMD二极管在保持管内结构与阴极表面电场强度不变，并工作在典型工作状态（归一化电位系数P=2／3）情况下，考虑空间电荷影响时的阳极电压、阳极电场强度和阳极电子速度分别比无空间电荷影响时增加约50．00％，73．21％和22．47％。P—VMD二极管内的空间电荷密度分布函数为正割函数，在阳极表面附近为最小，在阴极表面处为无穷大，这是由于本文假设在阴极表面处的电子初速度为零的缘故。