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提出了一款应用于Ku波段的宽带高增益基片集成腔(Substrate Integrated Cavity,SIC)圆极化阵列天线。通过引入沿SIC口径面对角线放置的一对半月形寄生贴片和SIC底部馈电纵缝,使SIC中的TM_(211)和TM_(121)谐振模式幅值相等、相位相差90°,产生高增益圆极化辐射。同时,双寄生贴片还引入了一种背腔缝隙耦合振子圆极化辐射模式,扩宽了天线高增益圆极化辐射带宽。在此基础上,设计了一款2×2单元顺序旋转馈电的SIC圆极化阵列天线。阵列天线采用双层基片集成波导顺序相移馈电网络进行馈电,进一步增大了天线的圆极化带宽。综合考虑天线的-10 dB反射系数带宽、3 dB轴比带宽和3 dB增益带宽,测试结果表明,圆极化阵列天线的有效带宽为10.74-13.30 GHz(21.3%),在通带范围内最大增益为14.50 dBi。 相似文献
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利用传统固相反应法制备了具有不同LaAlO3含量的0.7CaTiO3-0.3(LaxNd1–x)AlO3(以下简称CTLNA)系微波介质陶瓷,研究了所制CTLNA陶瓷的微观结构和微波介电性能。结果表明,用x=0.5的La3+取代Nd3+能有效促进样品晶粒的均匀分布,降低样品的气孔率。少量添加SrTiO3能进一步增加样品的致密度,提高CTLNA系微波陶瓷的介电性能。经原料组分及工艺优化,制备的0.7(Sr0.01Ca0.99)TiO3-0.3(La0.5Nd0.5)AlO3样品密度高、晶相均匀,其微波介电性能如下:εr=45.87,Q.f=41 612 GHz(4 GHz),τf=10×10–6/℃。 相似文献
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通过时域有限差分法,研究了非均匀弯折线单极子天线各弯折节的线宽和线长对天线谐振特性的影响,并对背面耦合贴片的作用进行了分析。结果表明,弯折节的线宽和线长对天线的谐振特性有较强的调节作用;适当改变各弯折节的线宽和线长可以有效地调节天线两个最低谐振频率的相对位置;耦合贴片可以在不影响第一谐振模式的基础上,有效地改善第二谐振模式的谐振特性,增加天线第二谐振模式的阻抗带宽。最后制备出一种背面带有耦合贴片的非均匀弯折线单极子天线,该天线的频带能够有效覆盖IEEE 802.11b/g(2.4-2.484 GHz)和IEEE 802.11a(5.15-5.35 GHz,5.725-5.825 GHz)三个频段,能够满足WLAN应用。 相似文献
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B2O3掺杂对Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO陶瓷介电性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用XRD和SEM对B2O3掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO(简称为BSTM)陶瓷致密化行为和介电性能进行了研究。结果表明:掺杂适量B2O3可明显降低BSTM陶瓷的烧结温度,在1480℃时即可烧结致密化,比未掺杂的BSTM陶瓷烧结温度降低70℃;掺杂量不同,则B2O3在陶瓷体中的存在形式不同,引起其介电性能相应变化;1480℃下烧结,B2O3掺杂量为0.8%(质量分数)时,10kHz下测得试样的εr为138,tanδ为0.0034,εr可调率达12.6%(3MV/m),性能有所提高。 相似文献
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采用传统陶瓷工艺制备了(1-x)(Bi1/2Na1/2)TiO3-xKNbO3(x=0.01,0.02,0.04,0.6,0.08,0.12)无铅压电陶瓷。利用热重-差热(TG-DSC)、X-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等分析技术,研究了(1-x)(Bi1/2Na1/2)TiO3-xKNbO3无铅压电陶瓷的制备工艺条件对陶瓷晶体结构、压电性能的影响。TG-DSC、XRD的结果表明,该体系的的最佳预合成温度在800~850℃;SEM及性能测试的结果表明,该体系随KNbO3含量的增加,烧结温度提高,烧结的温度范围变窄,当x>0.1时,烧结的温度范围只有5~10℃。 相似文献
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