多参数流水线A/D转换器的系统模型设计与仿真

提出了一种多参数流水线A/D转换器(ADC)的系统模型,该模型充分考虑了实际电路中存在的热噪声和各种非理想特性,通过对一个12位流水线ADC进行仿真,给出了在理想和各种非理想特性影响下系统性能的变化。得出的结果能有效地指导实际电路设计。     

MEASUREMENT OF NON-UNIFORM RESIDUAL STRESSES BY COMBINED MOIRE INTERFEROMETRY AND HOLE-DRILLING METHOD： THEORY, EXPERIMENTAL METHOD AND APPLICATIONS

Hole-drilling method is one of the most convenient methods for engineering residual stress measurement. Combined with moiré interferometry to obtain the relaxed whole-field displacement data, hole-drilling technique can be used to solve non-uniform residual stress problems, both in-depth and in-plane. In this paper, the theory of moiré interferometry and incremental hole-drilling (MIIHD) for non-uniform residual stress measurement is introduced. Three dimensional finite element model is constructed by ABAQUS to obtain the coefficients for the residual stress calculation. An experimental system including real-time measurement, automatic data processing and residual stresses calculation is established. Two applications for non-uniform in-depth residual stress of surface nanocrystalline material and non-uniform in-plane residual stress of friction stir welding are presented. Experimental results show that MIIHD is effective for both non-uniform in-depth and in-plane residual stress measurements. The project supported by the FRAMATOME ANP     

浅谈基于Nagios的故障告警系统

网络管理员需要随时掌握网络的运行情况,并且能够要能及时发现并解决问题。概述了Nagios开源软件的工作原理、并且介绍如何实现中文短信和邮件告警。分析了Nagios开源软件在实际工作中所产生的效益。     

微测辐射热计焦平面阵列非均匀性及片上校正电路的研究

非均匀性研究对于无温度稳定装置的微测辐射热计焦平面阵列极其重要.通过建立模型研究了各种因素对焦平面非均匀性的影响.在此基础上,提出了一种新的片上校正电路结构及其校正因子的计算方法,并采用为各像元提供不同暗电流的方法对输出非均匀性进行了校正.最后使用该结构模型进行了模拟仿真.结果显示,经过7位片上校正后,输出最大偏移从输出摆幅的49.7%降到了0.8%,输出均匀性得到了很大提高.     

一种基于0.5μmCMOS工艺的补偿型电流控制振荡器设计

提出了一种基于比较器的CMOS电流控制振荡器电路,该振荡器采用偏置电流对电容充放电,产生精准锯齿波,比较器及后续电路产生时序方波作为比较器输入,从而产生周期振荡.自偏置电路利用电阻和PNP管相反的温度系数产生PTAT、NTAT两路电流,叠加得到一路与温度无关的基准电流、实现了温度补偿;高摆幅共源共栅电流镜结构具有高PSRR实现了电源电压补偿.本设计采用0.5 μmCMOS工艺,典型情况下,振荡器频率为1.224 MHz,占空比为50%,通过spectre仿真结果表明:该振荡器在3.3 V～5 V的工作电压下、-40～120℃温度范围内都具有较好的工作频率.     

一种高精度曲率补偿带隙基准电路

设计了一种高精度高阶补偿的带隙基准参考电压电路,通过Buck氏电压转移单元和与 温度无关的电流对VBE进行高阶补偿.测试表明,温度在-45℃～125℃时,温度系数为5.9X 10-6V/℃,在3.5～5.5 V之间的电压调整率为0.4 mV/V.采用低压共源共栅电流镜结构,以减少对电源电压的依赖,消除了精度与余度之间的矛盾.     

一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计

设计一种低温漂低功耗的带隙基准结构,在传统带隙基准核心电路结构上增加一对PNP管,两个双极型晶体管叠加的结构减小了运放的失调电压对输出电压的影响,降低了基准电压的温度失调系数.电路设计与仿真基于CSMC0.5μm CMOS工艺,经流片,测得室温下带隙基准输出电压为1.326 65 V,在-40～+85℃范围内的温度系数为2.563 ppm/℃;在3.3 V电源电压下,整个电路的功耗仅为2.81μW;在2～4 V之间的电源调整率为206.95 ppm.