GaAs IC CAD方法

本文重点论述ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ方法，包括：精确的ＧａＡｓ ＭＥｓＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等有源器件模型；大、小信号模型参数提取；噪声模型；成品优化；高频、高速微带传输线模型；电路模拟与优化；砷化镓门阵等。还评述了ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ集成软件包及进一步工作。     

（PdCl2—PVP）／Al2O3催化剂中Pd状态的探讨

氯化钯先锚定在聚乙烯吡咯烷酮上后进一步负载到Al_2O_3上所制的催化剂[简称(PdCl_2-PVP)/Al_2O_3]是一种活性、选择性高,稳定性好的烯烃、二烯烃和多烯烃加氢催化剂。本文结合加氢反应,使用XPS、FT-IR、电镜及用CO为探针的FT-IR,对这种催化剂进行了考察。实验说明,在这种催化剂中,钯的价态是在0—2之间。红外光谱在486cm~(-1)处有一微弱的小峰,说明存在Pd—N的配位键。催化剂中钯含量低时(0.2wt％)稳定性好,不吸附CO,活性中心是络合钯原子;当钯含量较高时(0.7wt％),催化剂的初活性虽不低,稳定性却较差,这种催化剂能吸附CO,IR谱图上仅在1919cm~(-1)处有CO桥式吸附态的伸缩振动。表明除络合钯原子外,还有聚集的钯金属存在。FT-IR尚表明,PVP在Al_2O_3上可能并非单纯的物理吸附。电镜结果表明,PVP在Al_2O_3上呈30—70(?)的微球状,(PdCl_2-PVP)/Al)_2O_3上的(PdCl_2-PVP)亦呈微球状,与前者无明显区别,这种催化剂中其活性中心是络合钯原子。     

基于多核异构的异源图像融合抗晕光系统设计

针对异源图像融合抗晕光算法复杂,应用于视频实时处理困难,设计了基于嵌入式多核异构架构的异源图像融合抗晕光系统。将系统控制和图像融合抗晕光算法分别在ARM和FPGA中实现,解决了数据串行和任务顺序执行导致的系统实时性问题,消除了融合图像中的晕光痕迹。经实验验证,多核异构的抗晕光系统晕光消除度和系统实时性均满足系统需求。     

低压高频PWM DC/DC转换器芯片设计

便携式电子设备对电源管理芯片的设计提出了新的挑战。文中采用新的设计方法和思路 ,设计了一个开关电源PWMDC/DC转换器芯片 ,启动电压最低至 1V ,功率管开关频率高达 6 0 0kHz,采用PWM PFM间歇工作方式 ,较好地克服了开关电源轻负载时效率低的问题 ,电源效率一直保持较高 ,适用于寻呼机、手机等便携式电子设备。     

Formation and dissociation of protonated cytosine–cytosine base pairs in i-motifs by ab initio quantum chemical calculations

Formation and dissociation mechanisms of C-C＋ base pairs in acidic and alkaline environments are investigated, employing ab initio quantum chemical calculations. Our calculations suggest that, in an acidic environment, a cytosine monomer is first protonated and then dimerized with an unprotonated cytosine monomer to form a C-C＋ base pair; in an alkaline environment, a protonated cytosine dimer is first unprotonated and then dissociated into two cytosine monomers. In addition, the force for detaching a C-C＋ base pair was found to be inversely proportional to the distance between the two cytosine monomers. These results provide a microscopic mechanism to qualitatively explain the experimentally observed reversible formation and dissociation of i-motifs.     

钯(0)/铜(I)协同催化脱羧不对称4+2环加成反应合成四环香豆素（英文）

香豆素衍生物是天然产物中广泛存在的一类化合物,具有丰富的生理活性,因而受到广泛关注.其中四环香豆素结构包含多个连续的手性中心和复杂的四环结构,其手性合成是化学领域的挑战之一.利用简单易得的香豆素衍生物例如3-氰基香豆素作为原料设计手性催化反应,是构建这些复杂香豆素衍生物的有效方法.迄今为止,关于3-氰基香豆素的不对称转化依然很少,因为氰基和酯基间较长的距离限制了它们与金属离子形成刚性的环状过渡态.如果仅以氰基作为活化位点,较弱的配位能力、与反应位点较远的距离对手性诱导构成挑战.协同催化可以有效提升反应选择性和活性,近年来逐渐成为研究重点.特别是钯/铜协同催化取得较大的进展,然而仍存在一些局限性,例如每次催化循环形成一个碳碳键,只能合成简单的化合物,铜的活化模式也仅局限于和酰胺或醛亚胺酯形成刚性结构,相应亲核试剂范围有待扩展.因此,本文发展了一种新的钯/铜协同催化策略,通过金属钯形成烯丙基钯物种活化烯基苯并噁嗪酮,铜作为路易斯酸活化3-氰基香豆素,实现了两者的脱羧不对称[4+2]环化反应,不仅解决了单一催化剂立体选择性控制不足的问题,而且合成了具有三个连续手性中心的香豆素衍生的稠环.该方...     

GaAs MESFET大信号S参数仿真

本文从砷化镓肖特基势垒场效应晶体管大信号模型出发，采用谐波平衡法求出稳态解，获得了大信号Ｓ参数。所开发的软件可财时获得大小信号Ｓ参数，并在同一Ｓｍｉｔｈ圆图上显示出来，也可进行增益压缩等特性的分析。该软件已和参数提取，电路分析软件串成一体实现了从ＧａＡｓ材料器件物理参数出发直接设计出微波单片集成电路的新思路。     

离子注入的砷化镓微波场效应晶体管

用硫离子直接注入掺铬半绝缘衬底作成沟道区,制成了砷化镓微波场效应晶体管,这样就避免了生长外延层。这一离子注入法已用于制作0.25微米厚、厚度及载流子浓度均匀的n型层,对不同的样品载流子迁移率在2410～3620厘米2/伏·秒范围。由于均匀性好,用此注入层制作的场效应晶体管同一个片子上各个管芯的跨导和夹断电压重复性好,其偏差不超过±10％。通常,掺铬的砷化镓满足于制作场效应晶体管,然而为了获得最高的迁移率希望铬的补偿最小。表征微波特性的S参数测量推算出f_(max)=20千兆赫,然而因阻抗失配和管壳参量的影响,传输增益大约在7千兆赫截止。     

GaAs中 Si~+离子注入的研究及器件制造

本文简单地介绍了在国内我们最早开展的 GaAs 中 S~+、O~+、Si~+等离子注入的研究及其在研制 GaAsMES FET 系列中的应用情况。着重分析了自1979年以来我们在半绝缘 GaAs 衬底上 Si~+离子注入形成 n 型有源层和制备 n~+区的实验结果。讨论了器件研制的初步结果。     

何祚庥院士和理论物理研究所

何祚庥先生是《物理》杂志第一任主编。今年适逢何先生80华诞,本刊特邀约中科院理论物理研究所学术委员会主任欧阳钟灿和本刊副主编刘寄星撰文祝贺。感谢何先生为《物理》所做的贡献,祝何先生健康长寿。