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本文报道了我们关于N型InSb光子牵引效应的研究工作。不同于P型Ge的价带间跃迁,N型InSb的红外吸收是自由载流子吸收,是二阶量子跃迁过程。除了电子和光波的相互作用外,还同时有电子和声子或杂质中心的相互作用。我们研究了在这种情况下,载流子和光波的动量交换如何引起光子牵引效应。由于InSb是典型的窄禁带半导体,电子有效质量很小,可以指望它有较强的光子牵引电流。对N-InSb光子牵引的报道是很少的。 相似文献
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一、引言由于1960年第一台激光器的问世,喇曼光谱工作在沉闷二十年后,又蓬勃地发展起来。在光谱技术不断改进的基础上,喇曼光谱的应用也从原来主要局限于化学结构分析等少数几个领域深入到了物理学、化学、生物学、矿物学和医学等各个方面,在石油化工等工业部门,喇曼光谱技术也得到了应用。因此,在物理、化学、化工、生物医学和地质矿产等专业的大学生中开设喇曼光谱实验课已日益显得必要。教育部1980年制定的“综合性大学物理专业近代物理实验大纲”、近年已出版或待出版的大学“化学物理实验”教材和大学“近代物理实验”教材中,都已把喇曼光谱列为教学内容之一。 相似文献
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研究固体材料的法拉弟旋转,作为一种获得固体能带参数和研究不同色散机构的重要实验方法,一直受到人们极大的关注。到目前为止,已有不少文章详细地报道了对Ge、Si和Ⅲ-Ⅴ族及Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的法拉第旋转的研究。1978年,R.K.Ahrenkiel等研究了x值为0.37的Hg_(1-x)Cd_xTe材料的法拉第旋转。他们的研究表明,Hg_(1-x)Cd_xTe材料具有很高的品质因数,是做波长为10.6μm高能光学隔 相似文献
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本文研究主要是在TEA CO_2激光器的10.6μm波段,利用窄脉冲激光峰值测量仪仔细地测量了P型锗的吸收随光强变化的非线性饱和现象。用非均匀展宽的二能级系统分析了P型锗轻、重空穴带之间的电子跃迁过程,并和实验结果进行了比较。由P型锗的能带结构可知,红外吸收可以发生在轻、重空穴价带和自旋轨道分裂带之间。在忽略光子动量的竖直跃迁过程中,吸收频率为ν_0的入射光子后,处于基态E_1(k)的 相似文献
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InSb中电子的自旋反转喇曼散射是获得红外波段连续可调谐激光以及研究InSb能带结构的一种手段。我们在~7K下,观察了以TEACO_2激光器为入射泵浦光、在n型InSb样品上产生的自旋反转受激喇曼散射光的输出。所用的TEACO_2激光器用光栅选支,可选出46条振动线。本实验用9.6微米(1042cm~(-1))波长的输出。输出脉冲能量~0.5焦耳,脉冲宽度~200毫微秒,前沿~50毫微秒。用能量计和光子牵引检测器检测。样品尺寸4×4×8毫米的n-InSb,浓度~1.1×10~(16)厘米~(-3),所用磁场为我系自制超 相似文献