硅基自旋量子比特技术研究进展

量子芯片是运用量子力学基本原理构建实用化计算机的基础.各国研究团队通过近几年的卓越研究工作,将硅基量子比特芯片技术发展成量子计算的核心方向之一.文章重点归纳了Si自旋量子比特的主要类型,分析了可靠量子计算实现所要求的高保真度、长程耦合等指标的关键技术.这些技术的研究表明,硅是一个能实现全面量子计算发展的可行平台.     

扩展阻抗匹配范围的低损耗SAW—TV—IF滤波器

已研制成一种用于彩色电视接收机中频电路的新型低损耗SAW滤波器。这种SAW滤波器由一个变迹双向换能器和一个不变迹群型单向换能器组成。单向换能器的设计采用不同指对数的。发射和反射电极来扩展阻抗匹配范围。作为相移器的薄膜电容器整体地制作在128°Y-X LiNbO_3基片上。从而,在既不增加器件基片尺寸又不增加电子元件数目的情况下,可同时获得11.3dB的低插损并无需调整阻抗匹配。     

日本SAW器件的应用现状及未来趋势

10年前日本便开始了SAW器件的大量生产.首先是TV-IF级用的横向滤波器,接着4年后就是用于录像机RF—转换器的SAW谐振器.至今日本SAW器件的年产量达100万件,总产量已达500万件.本文评述了日本日益扩大且大有潜力的SAW的应用市场.SAW器件的主要市场之一是电视相关产品,如立体声或双声道电视、CATV(共用天线)转换器、卫星TV调谐器以及高清晰度电视机.另一个市场是电讯系统,如播叫器、无塞绳电话、单元式电话及家用安全装置.由于目前日本无线电法的放宽,预计电讯市场将迅速地发展.在日本,SAW器件的开发不仅注重于设计技术,而且更注重于材料的改进.本文将讨论已开发的SAW基片及上述领域中应用的SAW器件功能和前景.     

高性能可变电容加速度计

本文介绍一种采用硅微加工技术制作的可变电容式加速度传感器.传感器采用了中位面、平面片悬置,气体阻尼和过量程止动.传感器由三块硅基片制成,硅基片采用了阳极粘合技术粘到硅酸盐玻璃镶嵌物上.典型的传感器有效电容为7pF,修正电容为3pF,响应为0.05pF/G,谐振频率为3.4kHz,阻尼临界值为0.7.采用这种传感器的加速度计具有极好的灵敏度和带宽,以及显著的耐冲击性能.     

借助Sumitomo公司的技术Epson转向SAW开发

日本Seiko Epson公司与Sumitomo电子公司达成一项协议，即，Epson公司将从Sumitomo电子公司获得金刚石基SAW相关技术的专利、技术及生产设备。     

简讯

Sawtek公司推出移动电话用 K-PCSSAW滤波器Sawtek公司的这种手机用 K- PCS RF SAW滤波器具有相当低的插损 ,其采用的是 2 mm× 2 m m的倒装片外壳。滤波器(85 6 0 82 )中心频率为 176 5 .0 MHz,带宽为 30 MHz,插损为 2 .7d B(最大 )。另一种滤波器 (85 6 0 83)中心频率为 185 5 .0 MHz,带宽为 30 MHz,插损为 2 .5 d B(最大 )。村田公司的 RF SAW滤波器体积仅为 2 .5× 2× 1(mm3)日本村田推出了世界上最小的用于 W- CDMA 的 RF SAW滤波器 ,两种滤波器 (SAFSE1G95 KBOTOO 和SAFSE2 G14 KBOTOO型 )的最大尺寸为 2 …     

声模式耦合速率陀螺

本文以陀螺仪为目的,描述了声场旋转的惯性效应来确定物体的角速度。我们采用了一种用来增加声质点速度和伴生哥氏力的声共振腔。两个垂直轴模式的“陀螺耦合”在驱动模式和谐振腔旋转产生的模式之间产生。由于过程中包括了粘滞和热力现象,“哥氏声压力源”仅分布于边界层内。计算清楚地表明,它能达到的灵敏度超过0.01°/s。充满空气和调到第一轴模式(0,0,1)的矩形谐振腔可测角速度的范围为0.01—100°/s,不确定性低于0.1°/s,且具有很好的线性度。     

声加速度计

本文讨论了近年来研究的一些声加速度计的特性。这些加速度计采用压电晶体和微型机械悬臂梁作为谐振元件,而悬臂梁内含压电电容器,压阻电路,或声表面波振荡器。另一些加速度计采用一种具有闭环伺服电子线路的力再平衡技术。加速度计的灵敏度受重量和频率响应的限制,电压型加速度计灵敏度可达300mV/g,SAW加速度计可达10000Hz/g。动态范围达10~7,频率比例系数稳定性达10~(-3)ppm时,加速度计的测量范围为10μg—200000g。加速度计可以是分离的、混合集成的或整体的。     

薄膜体声波谐振器(FBAR)技术及其应用

薄膜体声波器件具有体积小,成本低,品质因数(Q)高,功率承受能力强,频率高且与IC技术兼容等特点,适合于工作在1~10 GHz的RF系统应用,有望在未来的无线通讯系统中取代传统的声表面波(SAW)器件和微波陶瓷器件。该文综合阐述了薄膜体声波技术的基本原理、最新发展及应用。分析了FBAR器件的三种结构及其制作方法。还简要讨论了薄膜体声波技术的未来发展趋势及面临的挑战。