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研究了在热载流子注入HCI(hotcarrier injection)和负偏温NBT(negative bias temperature)两种偏置条件下pMOS器件的可靠性.测量了pMOS器件应力前后的电流电压特性和典型的器件参数漂移,并与单独HCI和NBT应力下的特性进行了对比.在这两种应力偏置条件下,pMOS器件退化特性的测量结果显示高温NBT应力使得热载流子退化效应增强.由于栅氧化层中的固定正电荷引起正反馈的热载流子退化增强了漏端电场,使得器件特性严重退化.给出了NBT效应不断增强的HCI耦合效应的详细解释. 相似文献
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A low-voltage triggering silicon-controlled rectifier(LVTSCR),for its high efficiency and low parasitic parameters,has many advantages in ESD protection,especially in ultra-deep sub-micron(UDSM) IC and high frequency applications.In this paper,the impact factors of the snapback characteristics of a LVTSCR and the configuring modes are analyzed and evaluated in detail.These parameters include anode series resistance,gate voltage,structure and size of devices.In addition,a double-trench LVTSCR is presented that can increase the hold-on voltage effectively and offers easy adjustment.Also,its snapback characteristics can obey the ESD design window rule very well.The strategy of ESD protection in a RFIC using a LVTSCR is discussed at the end of the paper. 相似文献
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快速图像匹配相关系数算法及实现 总被引:1,自引:0,他引:1
最大归一互相关图像匹配算法是图像匹配中的常用算法,其关键是解算活动图与基准图间的相关系数。针对相关系数计算量大的特点,分析了FFT的基与FFT处理速度之间的关系以及基16FFT算法特点,提出用基16FFT算法计算相关系数,相关系数的处理时间大幅减小;同时针对高基蝶形单元设计复杂、使用不灵活等特点,提出采用级连思想实现主基16蝶形单元,使处理器的设计复杂度降低。实验证明,将主基16FFT处理器用于相关系数的计算中,使最大归一互相关图像匹配处理速度达到国际领先水平。 相似文献
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该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步。首先注入的热电子在薄栅氧化层中产生陷阱中心,然后空穴陷入陷阱导致薄栅氧击穿。 相似文献
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