Temperature dependent interfacial and electrical characteristics during atomic layer deposition and annealing of HfO2 films in p-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors

We have investigated the temperature dependent interfacial and electrical characteristics of p-GaAs metal-oxide-semiconductor capacitors during atomic layer deposition(ALD) and annealing of HfO₂ using the tetrakis(ethylmethyl) amino hafnium precursor. The leakage current decreases with the increase of the ALD temperature and the lowest current is obtained at 300℃ as a result of the Frenkel-Poole conduction induced leakage current being greatly weakened by the reduction of interfacial oxides at the higher temperature. Post deposition annealing(PDA) at 500℃ after ALD at 300℃ leads to the lowest leakage current compared with other annealing temperatures. A pronounced reduction in As oxides during PDA at 500℃ has been observed using X-ray photoelectron spectroscopy at the interface resulting in a proportional increase in Ga₂O₃. The increment of Ga₂O₃ after PDA depends on the amount of residual As oxides after ALD. Thus, the ALD temperature plays an important role in determining the high-k/GaAs interface condition. Meanwhile, an optimum PDA temperature is essential for obtaining good dielectric properties.     

基于IP的SCDMA移动市话系统切换方案

信威公司的MoIP（Mobile overIP）正是顺应无线IP网发展的一个产品概念。该公司的SCDMA无线用户环路是国际上第一套同时应用智能天线技术，采用SWAP空间信令，利用软件无线电实现的同步CDMA无线通信系统。系统中的无线基站通过E1直接接入PSTN交换机或通过基站控制器接入交换机。而在新的IP移动市话系统中基站将直接作为网关接入IP网。它使运营商可利用其城域宽带数据网络发展费用低廉的移动市话应用。IP移动市话的网络结构如图1所示。现行的几种移动IP技术，没有一个能真正适合移动市话系统切换特点的。为了解决互通性问题，…     

搭建属于你的在线实时采集系统——HTML5在嵌入式系统中的应用

如今的信息社会,信息就是金钱．凡是信息。便必然承载着时效性．过时的信息将不再具有价值？由此可见。信息实时性的重要性．     

让邮件“闪”进你的手机

电子邮件已经有将近十几年历史,越来越成为人们依赖的主要通讯方式,更成为商务沟通的必备方式之一。但也往往由于人们工作太忙或出差在外而错过了接受邮件,导致耽误了重要的事情。“闪游”的出现很好地帮我们解决了这个问题。     

Interfacial characteristics of Al/Al2O3/ZnO/n-GaAs MOS capacitor

The interfacial characteristics of Al/Al2O3/ZnO/n-GaAs metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor are investigated. The results measured by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) show that the presence of ZnO can effectively suppress the formations of oxides at the interface between the GaAs and gate dielectric and gain smooth interface. The ZnO-passivated GaAs MOS capacitor exhibits a very small hysteresis and frequency dispersion. Using the Terman method, the interface trap density is extracted from C-V curves. It is found that the ZnO layer can effectively improve the interface quality.     

功率器件IGBT槽栅设计尺寸对直流参数影响的研究

IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一。本文首先简要介绍IGBT及历代器件工艺的发展,提出了一种槽栅IGBT的工艺流程,并研究了其槽栅设计尺寸对器件主要直流参数的影响。     

影响IGBT器件短路能力的一种栅极振荡现象研究

功率器件IGBT由于其优异特性而广泛应用于电机、电焊机和功率开关等领域,是功率器件的主流产品之一。本文首先介绍了IGBT的短路特性及测试方法和条件,分析了栅极异常振荡对IGBT的短路电流的影响,提出了改善IGBT器件短路能力的方法。     

多亚甲基桥连双甲巯咪唑的合成与鉴定

在ＰＴＣ条件下合成了多亚甲基桥连的双甲巯咪唑化合物１￣４，并通过元素分析、ＩＲ、＾１Ｈ和＾１３Ｃ ＮＭＲ波谱确定了化合物的结构。     

基于非均匀采样的稀疏信号恢复FPGA实现技术研究

针对宽频段非均匀采样信号恢复的FPGA实现进行了技术研究。以非均匀采样器作为频域稀疏信号的压缩采样模型,应用快速迭代阈值收缩算法(FISTA)求解基于L1范数最小化的稀疏信号恢复优化问题——基追踪抗量化噪声,提出了对求解过程的近似处理方法,使得硬件实现难度大幅降低,最终给出了基于FISTA的信号恢复算法在FPGA上的实现方法,编写了Verilog HDL代码,在逻辑电路仿真工具上进行了仿真,算法运行时间为6.7 ms。结果表明所设计的恢复电路能够正确运行,且具备良好的实时性能。     

PTN资源统计分析系统

在充分阐述PTN资源统计分析系统特点的基础上，从提高工作效率和管理水平、降低人力成本以及合理的设置和使用业务带宽等方面介绍了PTN资源统计分析系统的应用效果。