SOI电路窄沟槽隔离技术研究

文章利用SOI材料片做衬底,开展了SOI电路窄沟槽隔离技术的研究,解决了窄槽刻蚀、多晶硅回填、平整化等技术难题,获得了优化的SOI电路窄沟槽隔离工艺技术条件;岛与岛之间的隔离击穿达到300 V,为下一步研制生产SOI电路打下了坚实的基础.     

脉宽调制器可靠性评估电路的设计与应用

本文介绍一种评价脉宽调制器可靠性和工艺控制水平的评估电路设计。它是针对Ｘ１５２５脉宽调制器的小批量试制和贯标而设计的。通过微电子测试图形对工艺的控制检测，和单机理失效的评估来对Ｘ１５２５４可靠性进行评价。该电路也适用于一般的双极ＩＣ的可靠性评估。文章给出了多种微电子测试图形及单机理评估电路和单元评估电路。     

P~+-N-N~+功率二极管零输入态反向电流峰值研究

从半导体器件物理角度出发,分析了P+-N-N+功率二极管零输入态下正向恒定电流IF与反向电流峰值IRM的解析关系。根据误差函数与初等函数的近似关系,推出简约解析关系式:(IRM/IF)=a+b×ln(IF+1)。在检测电路中引入反向平衡电流源,利用仿真软件Silvaco-Atlas获得瞬态仿真实验数据。通过Matlab软件对实验数据进行拟合分析,并对简约式适用范围和相关结论进行了验证。研究结果对P+-N-N+功率二极管的应用和相应电路系统的可靠性具有指导意义。     

100 nm P型超浅结制作工艺研究

介绍了一种P型超浅结的制作工艺。该工艺通过F离子注入和快速热退火技术相结合,获得了比较先进的100nm以内的P型超浅结;重点研究了影响超浅结形成的沟道效应和瞬态增强扩散效应;详细介绍了制作过程中对沟道效应和瞬态增强扩散效应的抑制。     

强电场下亚微米ESD注入型NMOS IDT-VGS微分负阻现象研究

采用优化ESD注入条件改善了NMOS器件结构。对该亚微米ggNMOS ESD防护电路单元进行了传输线脉冲TLP法测试。测试结果表明,优化后的多插指通道保护结构的静电释放电流均匀性得到改善。对该ESD注入型NMOS输出特性的研究发现,在强场下漏极电流I_DT是一种复合电流,随着栅源电压超过阈值V_GS0,它会呈现I_DT-V_GS微分负阻现象。从MOS-Bipolar复合模式下的碰撞电离和Snapback效应两方面对I_DT-V_GS微分负阻现象进行了理论分析。研究结果可用于优化CMOS/BiCMOS IC的ESD设计。     

热激励硅基谐振型压力传感器技术研究

提出一种以电阻发热实现梁激励的单梁硅基谐振型压力传感器结构。利用硅/硅键合、减薄抛光和IC工艺技术,开展硅基谐振型压力传感器技术的研究,解决了三维体加工与IC工艺兼容的关键技术问题,成功地研制出热激励硅基谐振型压力传感器样品。该器件在常压下测试,其品质因子Q值达到1362.5,证实了该谐振型压力传感器结构是可行的。这为研制硅基谐振型压力传感器提供了一种新的方法。     

正向稳态到零输入态P~+-N-N~+功率二极管瞬变研究

从半导体器件物理角度,分析了从正向恒定电流IF(3A)转变到零输入的P+-N-N+功率二极管的瞬态响应,解释了瞬态过程中电流反向并达到反向峰值IR-peak(IR-peak>IF)的原因。通过在检测电路中采用反向平衡电流源,减小被短路的正向恒流电源对零时刻二极管瞬态响应的干扰,并利用仿真软件Silvaco-Atlas进行瞬态仿真,对结论进行了验证。     

一种功率型光耦合单片集成光电检测电路

针对功率型光电检测电路微弱光信号检测和功率输出的需求,研制了一种集成光电探测传感器和信号处理电路,且带功率驱动功能的单片光电检测电路.从理论上探讨了光电探测器的工艺兼容与系统噪声匹配,设计了专用的光电探测器以及适用于功率型光电集成电路(OEIC)的信号处理单元.采用B6035双极工艺,进行了版图设计和流片测试.测试结果表明,该电路的电源电压工作范围、静态功耗和传输延迟时间等综合性能优于同类型混合组装电路.     

2.5D硅转接板关键电参数测试技术研究

硅转接板是3D IC中实现高密度集成的关键模块,获取其技术参数对微系统的设计至关重要.以实际研制的一种2.5D硅转接板为研究对象,对大马士革铜布线(Cu-RDL)、硅通孔(TSV)关键电参数的测试结构与测试方法进行了研究,并对TSV电参数测试结构的寄生电容进行了分析.研究结果表明,研制的2.5D硅转接板中10 μm×8...