霍尔效应中的副效应及其消除方法

前言近年来霍尔效应在半导体材料测量中,有着广泛的应用.霍尔元件的主要用途:1.测量磁场;2.测量交、直流电路中的电流强度和功率;3.转换信号,能把直流电流转换成交流电流,对它进行调制,可放大直流或交流信号等;4.对各种物理量进行四则、乘方、开方运算.在确定纯度,材料的补偿度、外延异质材料的电学性质、高阻率材料导电类型的判断及新材料的研究等方面,却有它独特的作用.     

用直流矫顽力检验钢材热处理硬度的方法

一、引言至今,许多工厂还多应用破坏性的方法检验钢材热处理质量。例如,用洛氏、布氏硬度计等仪器检查硬度以及打开零件制成试样观察金相组织和表面硬化层深度。由于这些方法不宜用于大批成品和半成品检验,尤其对于形状复杂的零件更感困难。正因为这样,无损检查热处理质量的方法在不断地探索、研究和发展,并越来越多地应用到生产实践中。关于无损检测钢件热处理质量,一般来说包括检查零件热处理之后的硬度,表面硬化层深度(如渗碳层与高频淬火层深度),判别组织,以及分选混料几方面。     

R&S公司的TD-SCDMA测量解决方案

1 前言2000年5月,我国提出的TD-SCDMA技术被国际电联批准为第三代移动通信国际标准。2001年3月TD-SCDMA 标准被3GPP(第三代移动通信伙伴项目)接纳,标志着TD-SCDMA成为未来移动通信领域内的一个重要标准和发展方向。罗德与施瓦茨公司(Rohde & Schwarz )是欧洲最大的电子测量仪器生产厂商,一直活跃在测试与测量、信息及通信技术领域中。作为全球领先的测试与测量设备厂商,R&S公司时刻关注着TD-SCDMA的发展,目前可以提供TD-SCDMA系统的从信号产生到信号分析的全套解决方案--信号源和频谱仪。信号源能够产生配置灵活的TD-SC…     

对霍耳效应原理在测量磁场中的误差分析及其消除方法探讨

前言 利用半导体在磁场中的霍耳效应原理直接测量磁场强度(或空间磁感应强度),是一种应用很广泛的方法。目前国内外厂家已研制和生产出多种型号的高斯计,都是利用上面原理制成的。由于该仪器价值较高,有许多高校因教学经费少,难以开出有关的实验题目。为此,我们自行设计和研制出“霍耳效应场强计”。该仪器线路简单、元件少、操作方便,稳定性好。现介绍于后,供同行们参考。     

MOSFET的低温(77°K)电离辐照特性

本文采用MOSFET的亚阈外推测量技术,研究MOSFET在低温(77°K),~(60)Coγ射线辐照下,辐照感生氧化层电荷和界面态。在77°K辐照下,n沟道MOSFET辐照感生氧化层电荷比室温更加明显。77°K时,辐照感生界面态的增加是室温辐照下的20％左右。p沟MOSFET在77°K辐照下,处于截止偏置的退化大于导通偏置。导通偏置辐照时,未观察到界面态的产生。     

中国移动云视讯媒体质量优化系统设计

随着网络的迅猛发展,视频会议在人们办公中的应用越来越广泛,然而网络自身的固有特性在不同场景下的网络状态波动较大,网络质量不可控,为解决上述网络问题,中国移动云视讯提出媒体质量优化技术,采用媒体优化网关,通过优化协议加速解决跨网络丢包与各品牌终端抗丢包率不一致的问题,实现平台统一及终端融合的目标。     

邻甲氧基苯酚锂络合物的低温红外光谱研究

由于温度的大幅度变化,分子的某些吸收带的强度将会产生明显的改变,但关于分子的红外吸收光谱与温度关系的研究尚少.在有机锂络合物的红外光谱研究中,我们发现邻甲氧基苯酚锂络合物显示了与其他锂络合物明显不同的特性^[1,2],在改变温度过程中,这种不同结构效应的特性更加明显.为此我们从+100～-130℃的较宽温度变化区域内,测定了它的变温红外光谱.     

共振激发微束光致发光单量子点谱仪

光谱优化、高度聚焦束径窄于 2微米激光束的共振激发具有可辨别精细结构的单量子点 ,与象素在16 0万以上电荷耦合 (CCD)灵敏探测技术相结合能研制出微束光致发光 (μ- PL )系统。应用此技术成功地揭示高量子点密度 In As/ Ga As的低维特征。     

用示波器测量脉冲磁导率

引言在雷达和冶炼及计算机等技术中,许多软磁性材料被用来制作脉冲磁器件的铁芯,如何检验软磁材料在脉冲磁化条件下的性能早就引起人们的特别重视。实验表明,软磁铁芯在脉冲作用期间,容易产生强大的涡电流。涡电流是一种纯电动力学效应,按理可以用麦克斯威方程求解,但由于脉冲波形较复杂,求解困难。因此,软磁材料在脉冲磁化条件下的性能,主要靠测量来确定。若涡电流较大,会引起软磁铁芯温度的急剧上升,使铁芯性能改变;而且脉冲作用的时间仅为微秒(或毫微秒的数量级),脉冲波形又为非理想的矩形波,故一般不易测准,若采用脉冲示波器测量还较理想。