32位嵌入式处理器应用开发ABC

随着ARM处理器在全球范围的流行,32位的RISC嵌入式处理器已经成为嵌入式应用和设计的主流.与国内大量应用的8位单片机相比,32位的嵌入式CPU有着非常大的优势,它为嵌入式设计带来丰富的硬件功能和额外的性能,使得整个嵌入式系统的升级只需通过软件的升级即可实现.     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

纳米加工和纳米电子器件

介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论。     

基于Matlab的磁滞回线实验串口程序设计

实验室中铁磁质磁滞回线的测定实验其串口通信程序是在DOS环境下运行的，交互性差，界面不友好。本文依据Matlab6．0以上版本对串口的支持，设计了基于Matlab的铁磁材料磁滞回线测定的串口通信程序，并给出了具体的实现方法及编制的程序界面。     

测试温度对nc-Si∶H膜光致发光特性的影响

利用常规等离子体化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ膜，并对其光致发光（ＰＬ）特性从１０～２５０Ｋ温度范围内进行了变温测量．实验结果指出，随着测试温度升高，ＰＬ峰值能量发生了５４ｍｅＶ的红移，ＰＬ强度在Ｔ＞８０Ｋ后呈指数下降趋势．ＰＬ峰值能量的红移起因于带隙的收缩，而ＰＬ强度的减弱则是由于非辐射复合起了主导作用．     

SARS CoV内对照RNA病毒样颗粒的构建和表达

在SARS-CoV的核酸检测方法中,由于普遍缺乏安全、稳定、特异的内对照,而不能对样品处理、反转录、扩增以及定量检测实施全程监控。构建的病毒样核蛋白颗粒内对照,能够对SARS-CoV临床检测实施监控。本文通过克隆1.7Kb大肠杆菌噬菌体MS2的装配蛋白和壳蛋白基因以及SARS冠状病毒经过突变产生的270bp内对照片断,并将这些基因连接到载体pTrc99a上表达,进行纯化、定量分析、RT-PCR检测和稳定性试验。获得SARS内对照病毒样核蛋白颗粒,在人血清和SM缓冲液中37℃稳定性可达到30天,能抵抗核糖核酸酶降解。将内对照颗粒加入临床样本中一同检测,能够对检测的全过程(样品处理、反转录和PCR)有效进行监控,与SARS-CoV没有交叉反应。研究表明制备的该病毒样核蛋白颗粒稳定、安全、可靠,可作为SARS冠状病毒RT-PCR检测、定量分析的有效内对照参考品。     

具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件

深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.     

一类综合评价指数编制路径及案例

综合评价指数是一种广义上的统计指数,在讨论了综合评价指数与一般统计指数不同的基础上,引述了综合评价指数一般编制步骤并详细分析研究了综合评价指数编制过程中的权重确定,提出了基于等权设计思想的加权修正综合评价指数编制方法,最后以甘肃省装备制造产业为例进行了展示.