离子注入半绝缘GaAs电激活效率与电激活均匀性的研究

研究了Ｓｉ＾＋和Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋注入到Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ Ｂｒｉｄｇｍａｎ（ＨＢ）和Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ（ＬＥＣ）方法制备的半绝缘ＧａＡｓ衬底电激活效率与均匀性。结果发现：在相同条件下（注入与退火）,不同生长方法的半绝缘ＧａＡｓ衬底电激活不同,通常电激活ＨＢ〉ＬＥＣ,ＨＢ ＳＩ－－ＧａＡｓ（Ｃｒ）（１００）Ａ面〉（１００）Ｂ面,Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋双离子     

Si~＋、As~＋双离子注入半绝缘GaAs的研究

本文采用Ｓｉ＋和Ｓｉ＋、Ａｓ＋单、双离子多重注入半绝缘砷化镓［ＨＢ－ＳＩＧａＡｓ（Ｃｒ）］．研究发现，双离子注入层经无包封快速热退火后，激活率和电子迁移率较单Ｓｉ＋注入样品明显提高．Ｒａｍａｎ谱显示结构完整性好，并且有好的载流子剖面分布．文中从化学计量比角度出发分析了激活率提高的原因和从注入离子增强扩散系数分布来解释了多重Ｓｉ＋、Ａｓ＋双注入的载流子浓度剖面分布．     

极(最)值问题的若干错解分析

一、忽视条件的相互制约导致错解例lx、夕、二任R+、x+夕+二=1。求3成‘蕊5。 .’.4成9a一‘(15。.,.4落八3)攫15。令十十+令的最小值·分析:不难找到函数广(x)=130(义2一34)错解:,.’二、,、:任R:.’.:+生》2使f(1)==一1 .1。f(2)=一1而f(3)= 5一万.,+达一)2 y 1~.刃-t-—台多乙.相加有(x+升+约+(令十令+令)》6·十十专+誉李5.由x十升十:=1。得故令+令十令的最小值是5这一反例(厂(劝三一1也行)驳斥了上面的解法.此解“病”在当同时取得f(1)、厂(幻制约条件的右端值一1和5时未必是a取得最大和c取得最小(左端也如此).即给定的条件与方程组(…     

基于“HEART”理念的化学实验教学改革研究

为提高实验教学质量,分析当前实验教学存在的问题,创建先进的“HEART”实验教学理念。以此教学理念为指导,开展了化学实验教学体系、教学方法、教学团队、教学质量评价研究。建立了“二渗透、四结合”的实验教学体系,培养了学生的创新精神和实践能力;形成了以学生为中心的快乐实验教学方法,激发了学生实验的积极性和创造性;建立了实验教学质量评价体系,完善激励机制,敦促教师不断提高实验教学能力;建立了柔性的实验教学改革运行机制,形成了教学改革长效机制。     

重力机械能守恒定律在各惯性系都成立

文章举例说明了重力机械能守恒定律在各惯性系都成立.     

Si^＋,As^＋双离子注放半绝缘GaAs的无包封快速热退火技术的研究

本文采用清华大学ＱＳＷ－３０７５快速热处理设备对Ｓｉ＾＋，Ａｓ＾＋双离子注入半绝缘ＧａＡｓ进行了快速热退火研究。结果表明，在适当条件下退火，注入杂质有高的激活效率，并且杂几乎没有因高温退火引起的扩散再分布，保留了原有的注入分布。在加热位置降温可消除注入晶片滑移的产生。     

弹力机械能守恒定律在各惯性系都成立

论述了弹簧振子机械能守恒定律在各惯性系都成立     

Si~＋、As~＋双离子注入半绝缘GaAs的无包封快速热退火技术的研究

本文采用清华大学ＱＳＷ—３０７５快速热处理设备对Ｓｔ~＋、Ａｓ~＋双离子注入半绝缘ＧａＡｓ进行了快速热退火（ＲＴＡ）研究。结果表明，在适当条件下（９６０℃，３～５Ｓ）退火，注入杂质有高的激活效率，并且杂质几乎没有因高温退火引起的扩散再分布，保留了原有的注入分布。在加热位置降温可消除注入晶片滑移的产生。