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1.
李勇  孙成伟  刘志文  张庆瑜 《物理学报》2006,55(8):4232-4237
通过反应磁控溅射过程中的等离子体发射光谱,研究了制备ZnO薄膜的沉积温度、氧气流量比例R=O2/(O2+Ar)对Zn和O原子发射光谱的影响,并结合ZnO薄膜的结构和物理性能,探讨了沉积温度在ZnO薄膜生长中的作用.研究结果显示:当R≥0.75%时, Zn的溅射产额随R的增加基本呈线性下降规律.当R介于10%—50%时,氧含量的变化相对平缓,有利于ZnO薄膜生长的稳定性控制.Zn原子发射光谱强度随沉积温度的变化可以分为三个阶段.当沉积温度低于250℃时,发射光谱强 关键词: ZnO 薄膜生长 反应磁控溅射 等离子体发射光谱  相似文献   
2.
利用原子力显微镜分析了ZnO薄膜在具有本征氧化层的Si(100)和Si(111)基片上的表面形貌 随沉积时间的演化. 通过对薄膜生长形貌的动力学标度表征,研究了射频反应磁控溅射条件 下,ZnO薄膜的成核过程及生长动力学行为. 研究发现,ZnO在基片表面的成核过程可分为初 期成核阶段、低速率成核阶段和二次成核阶段. 对于Si(100)基片,三个成核阶段的生长指 数分别为β1=1.04,β2=0.25±0.01,β3=0.74;对 于Si(11 关键词: ZnO薄膜 磁控溅射 生长动力学 成核机制  相似文献   
3.
采用反应射频磁控溅射方法,在Si (100) 基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用 原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析、拉曼光谱等表征技术,研究了沉积温度 对ZnO薄膜的表面形貌、晶粒尺度、应力状态等结晶性能的影响;通过沉积温度对透射光谱 和光致荧光光谱的影响,探讨了ZnO薄膜的结晶特性与光学性能之间的关系.研究结果显示, 在室温至500℃的范围内,ZnO薄膜的晶粒尺寸随沉积温度的增加而增加,在沉积温度为500 ℃时达到最大;当沉积温度为750℃时,ZnO薄膜的晶粒尺度有所减小;在室温至750℃的范 围内,薄膜中ZnO晶粒与Si基体之间均存在着相对固定的外延关系;在沉积温度低于500℃时 ,制备的ZnO薄膜处于压应变状态,而750℃时沉积的薄膜表现为张应变状态.沉积温度的不 同导致ZnO薄膜的折射率、消光系数、光学禁带宽度以及光致荧光特性的变化,沉积温度对 紫外光致荧光特性起着决定性的作用.此外,探讨了影响薄膜近紫外光致荧光发射的可能因 素. 关键词: ZnO薄膜 表面形貌 微观结构 光学常数  相似文献   
4.
针对基于均匀圆阵的子空间类DOA估计算法包含大量复数运算、硬件实现复杂的问题,提出了阵元空间中的一种酉变换方法。该方法利用阵列的中心对称性将协方差矩阵和导向矢量分别转化为实对称阵和实矢量,从而大大降低了硬件实现复杂度。基于该酉变换的MUSIC算法在性能上优于传统的MUSIC算法和均匀圆阵模式空间酉MUSIC算法。  相似文献   
5.
考虑宽带源波达方向(DOA)估计问题,提出了一种基于传播算子的宽带谱相关测向算法。该算法通过循环相关运算降低了噪声和干扰对估计结果的影响,通过多尺度布阵可以获得高精度无模糊二维DOA估计。此外,该算法不需要谱峰搜索,具有计算复杂度低的优点。计算机仿真验证了算法的有效性。  相似文献   
6.
令f(z)=h(z)+g(z)为开单位圆盘U内的调和映射.本文首先建立了有界调和映射的精确系数估计,其次得到了满足有界性条件|h(z)|+|g(z)|≤M的正规化调和映射的精确系数估计.作为其应用,得到了双调和映射的一些Landau型定理.这些结果改进和推广了早期作者的相关结果.  相似文献   
7.
本文研究共点放置的极化敏感四维正交矢量天线导向矢量(PACS)中隐含的秩-1模糊问题.论文首先定义了同维数但具有不同形式的PACS之间的两种等价关系,在此基础上分析和讨论了几种典型的四维PACS的秩-1模糊.给出的仿真实验结果验证了文中所得出的结论.  相似文献   
8.
本文对存在于尖锐负跃层浅海中的内波,及其引起的声场起伏进行了初步的实验研究,在3.6公里上测得的声场振幅起伏与内波活动有明显的关联性,但其统计特性不完全一致,所测内波温度谱接近于ω~(-3)而振幅起伏谱接近于ω~(-2),对引起振幅起伏之机制我们倾向于Desaubies的看法。  相似文献   
9.
该文提出一种基于四阶累积量张量联合对角化的联合盲源分离(J-BSS)算法。首先通过计算4阶互累积量将多数据集信号的J-BSS问题转化为4阶张量联合对角化问题。接下来,基于雅可比连续旋转将张量联合对角化这类非线性优化问题,转化为一系列可获取闭式解的简单子优化问题,并通过交替迭代对多数据集混合矩阵进行更新,进而实现J-BSS。实验结果表明,所提算法具有良好的收敛性能,较之现有的同类型BSS及J-BSS算法具有更高的精度。此外,该算法在分离实际胎儿心电信号方面也表现出良好的性能。  相似文献   
10.
蓝宝石基片的处理方法对ZnO薄膜生长行为的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
采用反应射频磁控溅射方法,在经过不同方法处理的蓝宝石基片上,在同一条件下沉积了ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、反射式高能电子衍射等分析技术,对基片和薄膜的结构、表面形貌进行了系统表征.研究结果显示,不同退火条件下的蓝宝石基片表面结构之间没有本质的差异,均为α-Al2O3 (001)晶面,但基片表面形貌的变化较大.在不同方法处理的蓝宝石基片上生长的ZnO薄膜均具有高c轴取向的织构特征,但薄膜的表面形貌差异较大.基片经真空退火处 关键词: ZnO薄膜 反应磁控溅射 基片处理 形貌分析  相似文献   
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