Ar~(2 )与Li,Na原子碰撞中单电子俘获过程的实验研究

对Ar~(2 )与Li,Na碰撞过程中由于单电子俘获而产生的Arll谱线进行了绝对测量,给出各谱线的发射截面数据。入射离子能量为40—300keV。从发射截面对势能亏损的依赖关系,发现对应中等△E(>0)值的过程具有较大的截面。并且还发现与观察到的光谱线相应的激发态属于一个电子组态中高J量子数的态。     

In_(0.25)Ga_(0.75)As/GaAs应变异质结的离子沟道分析

本文采用Li离子作为背散射-沟道实验的分析束来研究In_(0.75)Ga_(?)As/GaAs应变异质结的结构.沟道效应和角扫描的实验表明,由于晶格失配,异质结的点阵发生应变,晶格常数在生长方向产生～0.04A的拉伸或压缩,于是离子沟道在<110>倾斜方向发生0.9°的扭折,导致沿这个方向的严重退道.对较厚外延层的样品,除应变结构外,在生长过程中还形成失配位错结构及其他点阵缺陷,从而产生附加的退道。     

离子束混合诱导稀土金属Ce与Si的界面反应及硅化物的形成

本文详细讨论了离子束混合下,Ce/Si〈100〉双层膜体系界面反应的动力学过程以及硅化物的形成规律.样品经150KeV Ar离子注入,辐照温度从LNT到300℃,剂量从5×X10~(14)到8.1×10~(16)Ar/cm~2.界面反应形成的硅化物为CeSi_2,其结构为体心正交结构.硅化物是分层生长的,厚度与注入剂量的平方根成线性关系,这说明界面反应是扩散控制的.与近贵金属/硅体系和难熔金属/硅体系相比较可以看出,稀土金属Ce/Si体系的相变过程与难熔金属/硅体系的相似;而混合的动力学行为与近贵金属/硅体系的相似.本文还讨论了化学驱动力和辐射增强扩散对混合的贡献.     

用于液氦温区离子注入的低温装置

本文报道一种用于液氦温区离子注入的低温装置。利用它可以在T<10K的低温条件下进行离子注入,并就地进行1.7—300K的电阻测量。作为应用实例,给出了Al/Si多层膜低温离子束混合的实验结果。实验表明,装置的建立为研究亚稳或非晶材料的超导电性及其他低温性质,提供了一种有力的手段。     

MeV He~+微束用于半导体集成电路的微区分析

本文介绍了我国用于微区分析的MeV离子微探针设备及其在半导体集成电路中的应用,能量为2MeV的He~+束通过一套限束系统,然后由四单元四极磁透镜聚焦到样品表面的束直径为3μm,束流为300pA.利用该设备分析了半导体集成电路中几个不同区域的元素成份及深度分布.     

He在HR-1型不锈钢中的捕获与释放研究

对HR-1型奥氏体不锈钢在室温下注入了70keV 5×10¹⁶—10¹⁸cm²的⁴He离子,进行了上升至1273K的恒时退火实验。使用2.5MeV的质子弹性散射、TEM和SEM分析法研究了He在其中的捕获、迁移与释放特性。 关键词：     

光纤CATV的设计及实施

沁阳市位于河南省西北部，总面积６２３．５平方公里，总人口４２．５万（约１０万余户），所辖１２个乡（镇）４个办事处。继１９９２年市区有线电视开通普及后，１９９７年６月架设了全市乡（镇）广播电视光缆，对市台中心前端进行了升级改造，目前已传输２３套电视节目...     

单、双电荷离子与原子碰撞中的激发态和发射截面比较

本文给出了单、双电荷离子和He,Ne,Ar,碰撞过程中产生的激发态的实验结果。He^q+,Ar^q+(q=1,2)离子束实验室能量为(70—170)×q keV。光学测量由光学多道分析系统(OMA)完成,波长范围为200—800nm。观察到单、双电荷离子和原子碰撞中各种不同的激发过程,讨论了发射截面和入射离子电荷数、势能亏损的依赖关系。 关键词：     

离子束技术在金属中氦行为研究中的应用

结合我们近期的研究工作，本文介绍和讨论了离子束技术在金属中氦行为研究中的应用，还介绍和讨论了氦在金属中的基本特性，如氦的捕获、迁移和氦泡结构等．