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1.
运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定.  相似文献   
2.
王敬  刘安生 《中国稀土学报》1997,15(4):367-370,379
采用透射电子显微术(TEM),研究了用磁控溅射技术在柔性金属基体上制备的、钇稳定的ZrO2(YSZ)为过镀层的YBa2Cu3O7-y(YBCO)薄膜的横断面结构。所得YBCO膜的超导临界转变温度Tc为91K,临界电流密度Jc=2×103A/cm2(77K,0T)。基体为Ni基合金(HasteloyC)。YSZ层为致密、均匀的细晶组织,约12μm厚,具有织构取向,并与基体紧密连接。YBCO层的厚度不均匀,约500nm;YBCO/YSZ界面有时连接较差,在该界面上有杂质出现,杂质有可能引发裂纹。  相似文献   
3.
高压电子显微镜的原位技术是研究金属和其他材料中晶体缺陷的一种重要的、有效的方法。本文研究了中温条件下铜中辐照缺陷的形成、演变过程,详细地介绍了所采用的缺陷分析方法。结果表明,层错环在{111}面上,为间隙型;其周界为弗兰克型不全位错,柏氏矢量(?)=a/3 <111>,这种不全位错只能在{111}面上攀移,不能滑移;当层错长到一定大小时,层错面经a/6 <112>型切变发生非层错化反应,层错消失,留下柏氏矢量(?)=a/2 <110>型的全位错。最后文中讨论了非层错化反应过程的能量。  相似文献   
4.
我们在具有Y稳定的ZrO_2(YSZ)层的蓝宝石上获得高质量的YBa_2Cu_3O_7(YBCO)高温超导薄膜。在零磁场下,77k时,其临界电流密度达到1.6×10 ̄6A/cm ̄2。本文确定了多层膜超导材料的取向关系。YBCO膜的(001)面平行于YSZ过渡层的(100)表面。YSZ层厚为20nm。并且,由于Ba自YBCO层的外扩散,YSZ层含有Ba。尽管蓝宝石与YSZ层间的晶格铅配很大,由于YSZ层具有[100]择优取向,仍能获得准单晶的YBCO薄膜。在YBCO薄膜中,观察到均匀分布的、微小尺寸的Y_2BaCuO_5(211相)沉淀粒子,它们也有利于提高临界电流密度。  相似文献   
5.
本文叙述了透射电镜中作为耐热支持膜用的碳膜的制备方法。这种碳膜用来支持偏钛酸粉末。在高压电镜中加热到965℃,碳膜仍不发生变形和起皱,而且图像能保持均匀的衬度。所观察的试样偏钛酸在加热过程中分解,脱氢,其显微结构像仍然清晰,表明这种支持膜适用于从室温至1000℃的原位加热实验。  相似文献   
6.
高压电子显微镜的发展   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文介绍了高压电子显微镜的发展历史、现状以及应用情况和对未来的展望。  相似文献   
7.
弛豫SiGe外延层的UHV/CVD生长   总被引:5,自引:3,他引:2  
利用自制的冷壁石英腔UHV/CVD设备,600℃条件下,通过Ge组分渐变缓冲层技术,在Si(100)衬底上成功地生长出完全弛豫、无穿透位错的Si0.83Ge0.17外延层,并在其上获得了具有张应变的Si盖帽层.另外,还在550℃下生长了同样结构的样品,发现此样品厚度明显变薄,组分渐变层的应变释放不完全,位错网稀疏而且不均匀,其上的Si0.83Ge0.17外延层具有明显的穿透位错  相似文献   
8.
本文用高压电镜研究了锆在高静液压下挤压变形后的显微组织。通过和常规拉拔锆的对照观察,发现静液挤压有促使锆多种变形机构动作的作用。一、孪生易于开动。在直径为20~30μm的细晶粒条件下,变形10%~30%时,可形成大量厚约0.5μm的{10(?)2}型孪晶。二、在横截面上观察到亚带仅宽0.5μm左右的微扭折带群。经过多个~3°的倾侧型小角界面,实现了近二十度的围绕挤压轴向的点阵转动。锆的这种变形机构尚未见过报导。另外,本文描述了用电子衍射研究六方晶系孪晶关系的一种方法。  相似文献   
9.
超音速喷涂Ni/Cu界面结构研究*邵贝羚刘安生王晓华邹琳瑛王敬张建国施昌勇周贻茹(有色金属研究总院,北京100088)超音速火焰喷涂(HVOF)技术在制备高性能金属陶瓷涂层方面已成为不可替代的先进技术。同时,HVOF金属涂层的研究也开始受到关注。其耐...  相似文献   
10.
菊池花样自动识别系统   总被引:2,自引:0,他引:2  
为实现EBSP花样的全自动实时在线标定,用Hough变换实现了对电子背散射衍射花样带宽和夹角的自动识别。可实时识别多条菊池带,并选取其中封闭三角形,给出三角形的边宽和夹角,为全自动标定菊池花样打下基础。用Hough变换将菊池图像中的某一条菊池边从直角坐标转换到用ρ、θ表示的Hough空间,将菊池图像中的某一条菊池边从直角坐标转换到用ρ、θ表示的换算公式如下:  相似文献   
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