射频溅射沉积SiO2膜的工艺及其结构性能研究

利用自制的磁控溅射沉积设备,针对影响SiO2薄膜沉积速率的氩气流量,氧气分压两个关键参数进行工艺研究,并通过扫描电子显微镜(SEM)对沉积完成的Si不O2薄膜表面、剖面结构质量进行表征,结果表明,射频溅射沉积的SiO2薄膜均匀、致密,具有良好的结构性能.     

关于S0I（SIMOX）材料在注入过程中粒子污染的研究

本文描述注氧机在制作SOI（SIMOX）材料时，注入过程对顶层硅中产生粒子污染的影响。结合SIMS测试结果，从光路结构，电器参数、靶室等方面阐述粒子污染的机理，并提出相应的解决措施。     

贵金属磁控溅射镀膜技术及工艺研究

本文介绍了一种独特的贵重金属溅射靶的结构设计,并在此基础上对贵重金属磁控溅射薄膜工艺进行研究,结果表明新型靶的设计可以有效提高靶材利用率达60%以上,沉积的Au薄膜具有良好的均匀性,且附着力大于25.1 N/mm2.     

强流氧离子注入机注入均匀性分析及提高

对强流氧离子注入机的注入靶室进行分析探讨,对影响均匀性指标的靶盘结构、束的形状和束扫描注入方式进行研究,结合主体硬件,增加晶片自旋装置和采用新的扫描方式,来提高注入均匀性指标。     

一台专用强流氧离子注入机的研制

制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了S0I材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别：注氧时间长，注入剂量大，注入过程中要求晶片保持600℃左右的高温，金属污染非常低。本文着重介绍一台专用强流氧离子注入机主要结构单元的研制方法及工艺试验结果分析。