基于Targa 3100数字非线性编辑卡的图像采集

本文通过对Targa 3100数字非线性编辑卡的特性的介绍，提出了利用该卡进行图像采集的原理，给出了图像采集的流程图，特别是对音视频的同步和VTR控制及关键帧的抽取问题作了更详细的论述。     

出席IEC/ISO/OIML国际会议介绍

我受国家技术监督局委派,前往挪威国奥斯陆市,出席了自5月24日～6月4日举行的IEC/OIML/ISO系列联合会议,技术性汇报如下: 一、国际电工委员会电声学技术委员会(IEC/TC29)会议本次会议于5月22日～5月28日在SAS国际旅社召开会议,由TC29主席,瑞典的B.Johansson教授主持,挪威IEC国家委员会给予条件配合。出席会议的除主席及秘书(L. Nielsen)外,各国代表团人数为:捷克1人,中国1人,丹麦2人,法国4人,德国3人,意大利1人,日     

温度对PSⅡCP4 7/D1/D2/Cytb559复合物荧光光谱特性的影响

采用激励光源为514.5 nm的分幅扫描单光子计数荧光光谱装置对经20℃、42℃和48℃不同温度处理后的反应中心复合物CP47/D₁/D₂/Cyt b559的荧光光谱特性进行了研究.经解析,获得不同温度处理后,CP47/D₁/D₂/Cyt b559复合物最大峰值未发生变化,均在682 nm,说明Chla670的能量都由Chla682接收,但损耗愈来愈小,在48℃时,损耗程度最小,而其荧光百分比未发生多大变化.振动副带～700 nm和～740 nm的中心波长都发生蓝移,在不同温度下分别为:20℃ 703 nm,749 nm;42℃ 697 nm,744 nm;48℃ 694 nm,740 nm.因此可以推测温度的升高,影响了CP47/D₁/D₂/Cyt b559色素蛋白的二级结构以及色素分子的空间位置,使最大峰值处的荧光强度逐渐降低,振动副带逐渐蓝移.42℃的温度已造成影响,48℃影响较大.     

公路货运行业政府管制的变迁

本文首先阐述了管制的概念内涵以及进行管制的必要性 ,并对影响管制的主要因素进行分析 .随后运用管制经济学和规范经济学的基本理论 ,考察公路货运业行业管制制度的变迁与管制效果 ,对管制失效的原因加以分析 .最后对加入 WTO后如何对公路运输行业进行管制加以探讨     

ADSL系统PAR缩减技术研究

PAR即信号峰值与平均值的比率 ,在 ADSL 系统中 ,由于采用 DMT调制 ,随机相位的正弦信号累加可能在某一位置使这些信号同相相加 ,产生幅度非常大的尖峰信号 ,因此 ADSL 系统 PAR值很高 ,PAR值高将给系统性能带来损害 ,本文研究 PAR消减问题 ,通过仿真得到有益的参数 ,为实际设计实现提供了参考。     

红外快速煤车解冻暖房改造成功

我国东北、内蒙和西北地区的火力发电厂、热电厂冬季用煤 ,由于长途运输 ,到达发电厂煤冻在车内 ,冻层厚度 2 0 0～ 50 0mm ,无法卸车。所以北方发电厂都有一个或两个大型暖冻暖房。传统的加热方式 ,大都采用蒸汽热风加热 ,解冻时间长达10～ 14h ,这样中、大型发电厂冬季用煤就     

“先重后单”法用于求空间曲面所围立体的体积

学生在用三重积分求体积时，当体积由比较复杂的空间曲面所围成，同学们由于对这样的空间曲面缺乏了解，作图也比较困难，所以通常做起来会感到束手无策，但是如果曲面为绕某一轴的旋转曲面，通过使用“先重后单”的方法，并且充分利用初等数学的公式，可使问题得到大量的简化。下面我们举几个具体例子。例1求曲面（x2＋y2＋z2）2＝a2（x2＋y2－z2）所界体积。分析与解：实际上这个曲面是WZ平面上双纽线（y2＋z2）2＝a2（y2－z2）绕z轴旋转一周而成。过X轴一点D作平行于Xoy平面的平面截旋转体得一圆环，如图1所示，内半径DA，外半径DB，…     

听力仪器及其校准（一）

听力仪器及其校准（一）中国计量科学院章句才１引言听力仪器是指用于检查听觉功能，评估听力程度，改善听力水平，支持语言训练的设备。包括：听力计、阻抗／导纳仪（由于兼有纯音测听功能，故也称阻抗听力计）、听觉电反应系统（包括脑干诱发电位“ＡＢＲ”，耳蜗电图“...     

应用ICP-AES表征高剂量氧注入过程中的金属污染

研究了采用感应耦合等离子体-原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX-SOI材料过程中金属杂质污染的有效性.同时研究了采用强酸清洗、加SiO2膜覆盖等方法对降低污染程度的效果.利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样,检测结果是一种整体的平均效果.采用强流氧注入机进行高剂量氧注入,发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni;注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染;60nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染.     

InGaAsP/InP双异质结双极晶体管与1.5μm激光二极管的单片集成

介绍一种双异质结InGaAsP/InP双极晶体管,它包括一层用溅射淀积制备的作宽禁带发射区的CdO膜。电流增益已高达40。用CdO层作集电区时,晶体管还能以相反方式工作。该管的主要特点是在结构方面与可作单片集成的1.5μmDH激光器相容。