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1.
研究了电场在介质膜光栅结构中的增强效应对其抗激光损伤阈值的影响.使用傅里叶模式方法计算了电场在介质膜光栅浮雕结构内的分布.数值分析表明:电场在介质膜光栅中增强的最大值为入射光的2倍,其最大的位置出现在相对于入射光对面的光栅槽侧壁。实验测试介质膜光栅样品在1 064 nm和12 ns, 51.2°和TE偏振光入射时,其抗激光损伤阈值为6.61 J/cm2.对损伤形貌进行扫描电镜精确分析,发现介质膜光栅的初始损伤产生于电场在介质膜光栅内增强最大的位置处.  相似文献   
2.
斜角入射沉积法制备渐变折射率薄膜的折射率分析   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
斜角入射沉积法是一种制备薄膜的新颖方法,它可以用来制备渐变折射率薄膜.本文首先探讨了膜料的沉积入射角为α,薄膜柱状生长倾斜角为β时的薄膜的填充系数;之后利用drude理论,分析研究了斜角入射沉积法制备渐变折射率薄膜的折射率与薄膜的入射角和生长方向的关系. 关键词: 斜角入射沉积 渐变折射率 填充系数  相似文献   
3.
In this paper, a new type of resonant Brewster filters (RBF) with surface relief structure for the multiple channels is first presented by using the rigorous coupled-wave analysis and the S-matrix method. By tuning the depth of homogeneous layer which is under the surface relief structure, the multiple channels phenomenon is obtained. Long range, extremely low sidebands and multiple channels are found when the RBF with surface relief structure is illuminated with Transverse Magnetic incident polarization light near the Brewster angle calculated with the effective media theory of sub wavelength grating. Moreover, the wavelengths of RBF with surface relief structure can be easily shifted by changing the depth of homogeneous layer while its optical properties such as low sideband reflection and narrow band are not spoiled when the depth is changed. Furthermore, the variation of the grating thickness does not effectively change the resonant wavelength of RBF, but have a remarkable effect on its line width, which is very useful for designing such filters with different line widths at desired wavelength.  相似文献   
4.
对多层介质膜光栅以及介质膜反射镜的激光损伤阈值进行了系统的研究。测试方法采用国际测试标准。测试结果表明,介质光栅的损伤阈值远低于未刻蚀的多层介质膜。对样品损伤形貌的扫描电镜照片分析发现,相比于未刻蚀的多层介质膜,介质膜光栅的初始损伤主要发生在光栅槽形的侧壁,且损伤主要是由驻波场的空间分布引起的本征吸收、制备过程中引入的杂质污染以及刻蚀过程中HfO2的化学计量机失衡引起的。  相似文献   
5.
基于啁啾脉冲放大技术的超短脉冲激光系统是提供超快、超强激光的重要途径,具有良好输出波形和高损伤阈值的多层介质膜脉冲宽度压缩光栅是获得高峰值功率脉冲激光的关键. 基于傅里叶谱变换方法和严格模式理论,分析了多层介质膜光栅(MDG)在超短脉冲作用下的光学特性. 结果表明,当MDG的反射带宽小于具有高斯分布的入射脉冲的频谱宽度时,-1级反射脉冲呈非对称高斯分布,其前沿出现振荡,并且-1级反射脉冲能量开始剧烈下降. 讨论了MDG结构参数对其反射带宽的影响. 分析了MDG与超短脉冲作用时的近场光分布,对提高其抗激光损 关键词: 脉冲压缩光栅 傅里叶谱变换 模式理论 损伤阈值  相似文献   
6.
根据理论预言及实验兴趣,我们设计了一系列实验,对轴子、重中微子、磁单极子、小电荷粒子和超重核块进行寻找。本文系统地报告这一系列实验工作,并且给出这些新奇粒子和奇特物质的限。  相似文献   
7.
目的:研究牛磺酸对顺铂导致培养的原代兔肾近端小管细胞(PTC)损伤的保护作用。方法:在体外建立原代兔肾近端小管细胞培养。采用溴乙锭荧光法测量DNA链间交联和Fur-2/AM测量细胞内游离钙离子浓度。首先将牛磺酸(0.1,1,10g.L^-1)与PTC保温24小时,然后,加入顺铂使其终浓度达到26μmol.L^-1,再继续保温24小时。顺铂损伤组同样培养48小时。前24小时不加入牛磺酸和顺铂,后24小时加入顺铂使其终浓度为26μmol.L^-1。对照组不加入牛磺酸和顺铂,同样培养48小时。结果:顺铂导致损伤组形成DNA链间交联和细胞内游离钙离子浓度升高.牛磺酸1.10g.L^-1可明显降低DNA链间交联和细胞内游离钙离子浓度。结论:牛磺酸可保护顺铂对PTC的损伤。  相似文献   
8.
用卢瑟福背散射方法研究了不同陨石中的超重核块.实验结果表明,在这些陨石中,具有Z≈100,A≈1000的超重核块的相对浓度上限为2ppm.  相似文献   
9.
用背散射实验技术和俄歇电子能谱研究了250-450℃温度范围内 Pt/GaAs的界面性质.样品为在 n-GaAs上溅射 1000A|°的 Pt层.研究结果表明,在 300℃处理 20分钟后,界面产生固相反应.先是Ga原子向Pt扩散并溶于Pt形成固溶体,然后留下的As在界面处生成PtAs_2. 当退火温度高于400℃时,反应终止,生成GaPt和PtAs_2两平衡相,不再出现新相.  相似文献   
10.
将能量为150KeV、剂量为10~(14)~17~(17)/cm~2的砷离子注入(100)P型单晶硅,用~1.8MeV的He~ 束对注入砷的单晶硅进行背散射测量。讨论不同剂量和不同退火条件对砷在硅中浓度分布的影响。结果表明:R_P值随注入剂量的增加而逐渐减少,当剂量>5×10~6离子/cm~2时,变化更为显著。当热退火温度低于950℃时,砷的分布改变不明显,温度>1000℃时,分布曲线便偏离高斯分布。  相似文献   
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