3G业务定价难点:用户可接受价格 vs 运营商的盈利和运营能力

3G业务定价趋势-内容计费为3G业务的主要定价基础 在3G发展初期，数据业务通常采用的主要是流量计费定价基础和内容价值计费定价基础：这些定价机制要解决的主要问题是，有多少流量或内容是免费的，有多少是付费的。此外．同一种数据业务，是按内容计费，还是按流量计费，或同时计费，也是交叉定价机制里需考虑的问题。这里，我们对目前已经推出3G业务的全球的主要运营商（包括Vodafone，DoCoMo，KDDI，SKT，KTF，SPRINTPCS-）的定价机制进行了分析。分析可见，目前主要运营商3G业务并不以收取流量费为主，有三家运营商的套餐有以内容收费为主。     

一种ASK接收器中的中频对数放大器IC设计

一种适用于ASK接收器中的双极型对数中频放大器,具有接收信号强度指示的功能(RSSI)。这种放大器实现了对数响应的分段近似,同时作为信号解调的一部分。本文介绍了RSSI特殊的具体电路及其结构。该放大器包含五级放大,每一个放大级都由一个限幅放大器和跨导单元组成。此放大器在±1dB的线性度下实现了90dB的动态范围。     

多端互连线网络布线时延的研究

互连线时延是集成电路设计中非常重要的影响因素。本文根据Elmore延迟模型推导出多端互连线的延迟估算公式，得出了在满足设计规则的前提下，多端互连线网络应尽量遵守的布线规则，即互连线之间不要有重叠，且从源点到每个终点都要走最短的曼哈顿路径。这种布线规则可以在不增加芯片面积的基础上使互连线时延减少，这对指导高速IC芯片的版图设计有重要的理论和实践指导意义。     

一种低噪声高线性度射频前端电路设计

介绍了超高频接收系统射频前端电路的芯片设计。从噪声匹配、线性度、阻抗匹配以及增益等方面详细讨论了集成低噪声放大器和下变频混频器的设计。电路采用硅基0.8μm B iCM O S工艺实现,经过测试,射频前端的增益约为18 dB,双边带噪声系数2.5 dB,IIP 3为+5 dBm,5 V工作电压下的消耗电流仅为3.4 mA。     

双频段接收机中的BiFET低噪声放大器

设计了一种采用BiFET结构的低噪声放大器（LNA）,这种结构通过BiCMOS工艺使低噪声放大电路集合了双极型晶体管的低噪声特性和CMOS晶体管的高线性度。应用优化的BiFET Cascode共源共栅结构能够明显地提高低噪声放大器的性能,并且能应用于两个不同频率。本文设计的低噪声放大器在低偏置电流（1．7mA）和低功耗（5．7mW）的情况下能取得1．69dB的噪声系数、15．96dB的电压增益、一8．5dBm的IIP3和-67dB的反向隔离。设计的BiFET低噪声放大器是采用了AMS0．8μm的BiCMOS混合信号工艺,经过优化可以用于工业、室内的远程无线控制系统包括无线门禁系统。     

单片BiCMOS超高频接收机中锁相环的设计

集成电荷泵锁相环的接收芯片工作在ISM频段：290-470MHz,采用AMS0．8μm BiCMOS工艺,npn管的特征频率为12GHz,横向pnp的特征频率为650MHz。锁相环中鉴频鉴相器和电荷泵的设计方案基本消除了死区。压控振荡器采用LC负阻结构,中心振荡频率为433MHz,调谐范围为290-520MHz,频偏为100kHz时的相位噪声约为-98dBC／Hz．分频器采用堆叠式结构以降低功耗,PLL在5V的工作电压下功耗仅为1．4mA。