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1.
转移电子光电阴极电子传输特性的蒙特卡罗模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
本文利用蒙特卡罗模拟方法计算了转移电子光电阴极的光电子输运特性,其中包括阴极的内部量子效率,电子的能量分布函数,谷间转移效率,同时也给出了阴极的时间响应特性. 相似文献
2.
利用旋涂法,通过接枝共聚的方法制备了具有偶氮侧基的聚氮酯高分子聚合物薄膜。并利用二倍频YAG激光(532nm)作为激发光,白光光源作为参考光,在室温下测试了该薄膜在激发光作用前后的吸收光谱,发现该薄膜在430nm-530nm内有较强的吸收。以及随着激光能量的增大和撤去激发光后,随着无光照时间的延长,360nm与500nm波长处吸收强度的变化趋势。 相似文献
3.
4.
通过光谱响应特性实验和记录/读出图像实验,研究了基因变异型细菌视紫红质(BRD96N)分子膜对单色光的光调制特性.发现BRD96N分子膜在550nm—600nm范围内对调制光有吸收增强的现象,且对此范围内不同波长的单色光其调制程度有差异.利用曲线拟和方法发现550nm—600nm吸收增强的变化过程分为快过程和慢过程,其对应的时间常数分别为30s和5min.利用强度调制器的吸收强度与图像灰度之间的关系,分析了560nm—600nm范围内出现图像反转的实验现象.
关键词:
细菌视紫红质D96N分子膜
光谱响应
吸收增强现象
图像反转现象 相似文献
5.
6.
7.
将三阶微扰理论应用于单晶GaAs半导体,结合与实际相接近的能带结构,得到了GaAs中三光子吸收系数的解析式表达式,在考虑了激发电子的逃逸过程的情况下,进而推导了负电子亲和势GaAs光电阴极中三光子光电发射的发射系数的解析表达式.两表达式得到的理论数值分别与用ns量级脉宽、2.06μm波长的激光测得的GaAs中三光子吸收系数和GaAs(Cs,O)光电阴极中三光子发射系数的实验值相比较,吻合较好. 相似文献
8.
硼离子对铕掺杂SiO2干凝胶发光性能的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
采用溶胶-凝胶法制备了Al单掺和B,Al共掺的Eu掺杂SiO2干凝胶。利用荧光光谱、IR,XRD,DSC,TG/DTG等技术研究了硼离子、退火温度对样品发光性质的影响。经500℃以上退火处理用248nm激发的样品,产生Eu^3+离子^5D0→^7FJ的特征发射,^5D0→^7F1的跃迁分裂为两个峰。比较615nm处的发光强度,掺硼酸样品的发光强度是不加硼酸发光强度的3.3倍。这是因为B离子的加入,在材料中形成了Si—O—B键,破坏了网络的对称性,加强了Eu^3+的红光发射。当退火温度上升到850℃用350nm激发时,样品有很强的Eu^2+蓝光发射。Al单掺的发射中心在437nm处,发射半峰宽约为70nm,而B,Al共掺样品的发光中心蓝移到425nm处,单掺样品的蓝光强度几乎是共掺样品强度的2倍。这是由于硼酸的加入改变了基质的网络结构,从而导致单掺和共掺样品发射峰位和强度的改变。 相似文献
10.
研究了不同温度和不同光激发强度下激光分子束外延方法生长的ZnO薄膜样品的发光性能,发现YAG脉冲激光激发,强度超过一定值时会在长波方向上出现一个新的发光峰,此峰可能起源于电子-空穴的复合。室温下氙灯激发的光谱中可以看到峰值位于381nm的近带边紫外发射峰和位于450nm的强的蓝绿带发射,根据光致发光激发光谱的特征给出了一个简单的蓝光发射模型。对比YAG脉冲激光激发和氙灯激发得到的实验光谱,我们认为不同的光谱特征和样品发光的激发机制有关,紫外峰发射需激发强度超过一定值才能观察到,而蓝带发射则在一定的激发强度下迅速饱和。 相似文献