高靶材利用率高镀膜均匀性条形溅射靶的设计与实现

针对传统条形磁控溅射靶磁场分布不理想、靶材利用率低、镀膜不均匀等不足,通过优化磁场分布,缩小条形靶端部与中部的磁场差距,增大靶材的刻蚀均匀性,增大有效镀膜区,从而提高靶材利用率和改善镀膜均匀性.本文结合模拟仿真、结构设计与工艺验证的方式,开发出一种镀膜均匀性优于3％、靶材利用率超过30％的条形磁控溅射靶.     

新型晶硅电池快速烧结炉的研制

介绍了新型晶硅电池快速烧结炉的研制,提出了适应高阻工艺的快速烧结炉在炉体结构特点、温度控制方式、快速降温冷却等几个方面的改进设计,来提高晶硅电池的转换效率,降低生产成本。根据此设计生产的新型晶硅电池快速烧结炉,应用于产业化晶硅电池的高阻工艺流程中,满足工艺要求,取得了较好的经济效益。     

多靶共焦磁控溅射设备及工艺应用研究

本文介绍了一种用于磷化铟（InP）器件金属剥离工艺的多靶共焦式磁控溅射设备。通过正交实验摸索不同靶基距、靶角度对薄膜均匀性的影响,在靶基距为110～140mm,靶角度处于20。～25。之间时薄膜均匀性优于5%。取最优薄膜均匀性的靶基距、靶角度,实验摸索了不同溅射气压下薄膜的台阶覆盖率,结果表明在一定溅射气压范围内,薄膜台阶覆盖率随溅射气压减小而增加。取最优薄膜均匀性的靶基距、靶角度及最优台阶覆盖率的溅射气压,实验摸索了不同溅射功率下基片的表面温度,结果表明在常用光刻胶耐温范围内,较优的溅射功率为300W～400W。     

条形离子源栅网设计及优化

为克服传统圆形离子源刻蚀基片数量较少、产能较低的劣势,提高离子源栅网的精度、稳定性及使用寿命,设计出一种用于离子束刻蚀的条形离子源栅网。采用ANSYS18.2对栅网进行热应力仿真模拟分析,为进一步增强离子源栅网性能,通过加工前后的真空退火处理,达到改善栅网使用性能、提高稳定性和延长使用寿命的效果。将两种栅网装载至M431-9/UM型离子束刻蚀设备进行实验验证,结果表明相比条形腰孔曲面型栅网,条形圆孔平面型栅网在热应力下形变量更小,更符合离子源对精度、稳定性及使用寿命的要求。     

大型网带式触摸屏玻璃退火炉的研制

介绍了一种大型网带式触摸屏玻璃退火炉的具体设计,对炉体功率分布、稳定均匀性保温设计做了详细的说明,通过温度测试,设备达到设计要求,保温区温度均匀性达到±2℃,温度稳定性为±1℃。     

集群式PVD设备控制系统研究与设计

集群式PVD设备具有产能高、污染控制好、工艺配置灵活等特点,广泛应用于集成电路、MEMS、光学薄膜等半导体晶圆制造薄膜沉积工序。本文针对集群式PVD设备结构和工艺特征进行研究,设计一套满足晶圆传输、定向、烘烤、沉膜等功能控制系统,详细阐述设备各模块功能,控制系统软硬件设计及实现。     

一种大型网带式玻璃退火炉传送系统设计

介绍了一种大型网带式玻璃退火炉传送系统,论述了其设计方案和工作原理,着重阐述了双离合变速机构的设计以及相关计算等。