不同光场二阶相干度的实验研究

基于Hanbury Brown-Twiss(HBT)实验,我们借助于两个单光子计数模块,一个50/50分束器和一个快速计数卡(FastCom-P7888)研究了不同光场的二阶相干度。我们首先制备了脉冲相干光,连续相干光以及单原子发出的单光子源,并测量这几种不同光场的二阶相干度g(2)(τ)。我们通过测量俘获在磁光阱(MOT)和远失谐偶极阱(FORT)中的单原子在近共振连续激光激发下所辐射的荧光的二阶相干度,分别得到了g(2)(τ=0)=0.08和g(2)(τ=0)=0.09,借助于实验中产生的脉冲光与单原子,接下来我们将进行触发式单光子源的实验研究。     

基于RSIP核编译码器的设计与FPGA实现

Altera公司的Reed-Solomon(RS)IP核功能强大,但使用该IP核需要进行握手信号的设计。介绍了一种基于IP核来实现RS编译码器的设计方法。分析了RS编译码器IP核握手信号的时序原理,并设计了相应的信号产生模块。介绍了RS IP核的参数配置和使用方法,并提供了整体的模块电路。为验证设计的正确性,对编译码器进行了时序仿真。针对具有最大误码的连续编码数据流进行纠错性能测试。时序仿真结果表明,该译码器能实现最大的纠错性能。     

Cr2O3和CrO3/Cr2O3催化剂的2-氯-1,1,1-三氟乙烷气相氟化反应的活性物种和失活

采用沉淀法和浸渍法制备了2种铬基（Cr₂O₃和CrO₃/Cr₂O₃）催化剂,用于气相氟化2-氯-1,1,1-三氟乙烷合成1,1,1,2-四氟乙烷。研究发现含有低价铬（Cr³⁺）物种的Cr₂O₃催化剂上2-氯-1,1,1-三氟乙烷的稳态转化率为18.5%,而含有高价铬（Cr⁶⁺）物种和低价铬（Cr³⁺）物种的CrO₃/Cr₂O₃催化剂初始转化率达到30.6%,然而存在明显的失活。含有Cr⁶⁺物种的CrO₃/Cr₂O₃催化剂的2-氯-1,1,1-三氟乙烷氟化反应初始TOF值为1.71×10^-4 mol_HCFC-133a·mol_Cr（Ⅵ）^-1·s^-1,高于含有Cr³⁺物种的Cr₂O₃催化剂（4.16×10^-5 mol_HCFC-133a·mol_Cr（Ⅲ）^-1·s^-1）。Cr₂O₃催化剂在氟化反应前后催化剂的物相结构保持不变;而含有高价铬物种的CrO₃/Cr₂O₃催化剂经HF反应后生成了CrO_xF_y活性物种。然而,CrO_xF_y物种在反应中挥发或转化成稳定但无活性的CrF₃,从而导致催化剂失活。     

520nm泵浦780nm+1560nm双共振光学参量振荡器

我们在实验中演示了520nm单频绿光泵浦的基于周期极化磷酸钛氧钾(PPKTP)晶体的780nm+1560nm双共振光参量振荡器,高效制备780nm+1 560nm连续可调谐双色下转换光场。该参量振荡器可输出93.3 mW的1 560nm单频激光和44.6mW的780nm单频激光。通过改变PPKTP晶体的温度所得到的波长粗调范围为:信号光1 529.81nm~1 573.83nm(~44nm),闲置光788.26nm~777.20nm(~11nm);通过连续调谐520nm泵浦激光频率初步得到的闲置光在780.24nm(铷原子D2线)处频率连续调谐范围约1.6GHz。     

超临界流体萃取气相色谱法测定鱼肉中的毒死蜱残留

建立了利用离线超临界CO2萃取气相色谱(SFE-GC)测定鱼肌肉中毒死蜱残留量的分析方法。超临界CO2萃取鱼肌肉中毒死蜱的适宜条件为：温度100℃,压力41．370MPa,CO2流量为1mL／min,动态萃取30min,静态萃取时间15min,调节剂甲醇(添加量0．5mL),收集液丙酮。最小检出量为0．01ng;添加回收率为77.3％～105．1％;相对标准偏差(RSD)为2．4％～15．4％,符合残留分析要求。全程分析时间小于2h。     

Littrow型光栅外腔半导体激光器的输出特性分析

在讨论光栅外腔半导体激光器理论的基础上.对影响Littrow型光栅外腔半导体激光器输出功率和线宽压窄的各种因素进行了数值模拟分析.研制了单纵模高质量激光输出的Littrow型光栅外腔半导体激光器,在工作电流为400 mA时,连续输出功率达到180 mW,线宽优于1 MHz.     

具有单跳与多跳路由选择功能的层次路由协议

分析了层次路由协议中聚类内部以及聚类之间单跳与多跳路径的能量消耗情况.提出了一种混合路由方案,节点自主地根据剩余能量,与邻居节点的距离,以及当选首领的总时间来竞争聚首,同时为了减小节点远距离通信带来的能量开销,无论是在聚类内部还是聚类之间,节点在数据传输阶段均遵循单跳与多跳路由的选择规则.通过和LEACH,DEEG协议对比实验,结果表明新路由方案不仅均衡了聚类负载,还增加了数据收集次数,有效提高了传感器节点的利用率.     

980nm单模运转未镀增透膜光纤光栅激光器

提出了一种工艺简单的980nm未镀增透膜的光纤光栅外腔半导体激光器。首先从理论上分析了边模抑制比(SMSR)与激光二极管前表面反射率R2、外腔长Lext和激光二极管一光纤耦合效率之间的关系,得出边模抑制比随R2和Lext的增大而减小,而随着激光二极管一光纤的耦合效率的提高而增大。从计算结果中还可以看出,即使半导体激光器不镀增透膜(R2=0．3时)。在其它参量合适的情况下,边模抑制比仍可大于40dB。然后,对其进行实验验证。在半导体激光器未镀模的情况下,选择光纤光栅发射率为0．5,外腔长为12．5cm,输人电流为28．8mA(约为阈值电流的2．4倍)时,通过仔细调节恒温、恒流电路,实现了边模抑制比高于40dB的稳定的单纵模输出,外腔激光器的线宽优于1．6MHz。