CVD法不同条件下制备的多壁碳纳米管的Fenton氧化改性

碳纳米管经焙烧和稀硝酸纯化处理后,在相同的实验条件下,采用Fenton试剂产生的·OH分别对CVD法合成的两种制备条件不同的多壁碳纳米管进行氧化改性处理。红外光谱(FT IR)表明,改性后的两种碳管结构中都引入了羟基、羰基和羧基等含氧官能团。此外,由于制备条件不同,导致它们的石墨化程度、缺陷含量和抗氧化能力等性质也不同,因此CVD法制备条件能够对碳管Fenton氧化改性结果产生重要影响。机理分析表明,这些含氧官能团可以看作是具有强亲电性和强氧化性的·OH对碳管上缺陷位置和不饱和键进行攻击的结果。     

过氧化苯甲酰对多壁碳纳米管衍生化的研究

近年来,利用化学修饰制备可溶性的碳纳米管进行了很多研究,使得碳纳米管（CNTs）的衍生化成为一个热点。本文通过在苯溶剂中加热回流的方法实现了碳纳米管和过氧化苯甲酰氧自由基的加成反应。一方面通过红外光谱证明了过氧化苯甲酰氧自由基和多壁碳纳米管之间的类烯加成反应,另一方面通过热重分析研究了反应产物与反应时间和反应物比例之间关系,说明了过氧化苯甲酰对碳纳米管衍生化的影响。     

用电化学方法氧化硫制备硫酸

粒状硫在阳极室内被电化学氧化得到硫酸。实验发现由疏转化为硫酸的量随电流密度的增加而增加，随硫床层厚度的降低而增加。用一定粒径的硫颗粒，生成的疏酸量最大。在电流密度为８４ｍＡ／ｃｍ￣２、粒径为７１０μｍ、硫床层厚度为１．１５ｍｍ时可得到硫酸的最大浓度为３５％，由硫转化为硫酸的能量消耗范围为０．５５～２．１ｋＷｈ／ｋｇ，具体数值与电流密度有关。     

PCB酸性蚀刻液中缓蚀剂对厚铜线路制作的影响

以2-巯基苯并噻唑(2-MBT)、 苯并三氮唑(BTA)和苯氧基乙醇(MSDS)作为缓蚀剂, 研究了其加入在酸性蚀刻液后对PCB厚铜线路的缓蚀效果。通过接触角测试、电化学测试和蚀刻因子得出缓蚀状态,并结合扫描电子显微镜观察铜表面形貌。通过分子动力学计算和量子化学模拟分析缓蚀剂在铜表面的吸附机理。结果表明,2-MBT + MSDS与BTA + MSDS的分子结构可有效地平行吸附在铜表面,且吸附能高于单一缓蚀剂。加入了2-MBT + MSDS的蚀刻液,对厚度约为33 μm铜线路进行刻蚀,铜线路的蚀刻因子提高到6.59,可有效应用于PCB厚铜线路制作。     

第三代移动通信系统的发展分析

文章回顾了移动通信技术从第一代到第二代的演进,对发展第三代移动通信所面临的问题与提交给ITU各种技术标准进行了简单说明,进而重点介绍第三代移动通信标准(ITU-RSPC)、系统结构及基本特征。     

高频有机聚合物SAW湿度传感器的研究

以双端口433.92 MHz的SAW谐振器(SAWR)为敏感元件,分别以聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、磺基水杨酸(SSA)掺入PVP为敏感材料。对PVP掺杂前后湿度传感器的性能测试表明,沉积有PVP的SAWR感湿元件回复缓慢,可逆性差,而沉积SSA-PVP的感湿元件则表现出明显的可逆性,其响应速率和回复性明显均优于单一的PVP传感器,且响应频率与湿度表现出明显地线性相关性,其相关系数R可达0.996 21。     

一种用于导电油墨的特种铜粉制备研究

特种导电油墨是全印制电路技术开发与应用的关键之一。本文报道了利用硫酸铜、碳酸钠、抗坏血酸等为原料,通过固相反应获得纳米非球形铜粉方法。通过SEM、EDS分析表明,获得的产物为一种柱状的高纯铜粉,直径大约500nm,可以作为全印制电路技术用高性能特种油墨的开发。     

Magnetization reversal of Fe ultrathin film on Cu(100)

The magnetization reversal of Fe/Cu(100) ultrathin films grown at room temperature is investigated by using an in situ magneto-optical Kerr effect polarimeter with a magnet that can rotate in a plane of incidence. There occur spin reorientation transitions from out-of-plane to in-plane magnetizations in 8 and 12 monolayers (ML) thick iron films. The coercive fields are observed to be proportional to the reciprocal of the cosine with respect to the easy axis, suggesting that the domain-wall displacement plays a main role in the magnetization reversal process.     

在液镓电极上反丁烯二腈的电氢化二聚

在液镓电极上,反丁烯二腈（ＦＤＮ）的电氢化二聚（ＥＨＤ）不仅能在含离子型表面活性剂如四乙基对甲苯磺酸铵（ＴＥＡ－ＰＴＳ）溶液中发生,同样也能在含低浓度的强表面活性剂如ＴｒｉｔｏｎＸ－１００溶液中进行,在不含有机表面活性剂的溶液中,ＦＤＮ在滴镓电极上产生一个２电子还原波,生成为丁二腈的饱和单体。在水溶液中加入一定浓度的ＴＥＡ－ＰＴＳ或低浓度的ＴｒｉｔｏｎＸ－１００时,原来的２电子还原波分裂成两个连续     

在挠性印制板中埋嵌无源和有源元件

文章介绍了在挠性印制板中埋嵌无源和有源元件的方法。通过化学镀Ni(P)电阻可以实现薄膜电阻的埋嵌,并能保证一定的弯折性。通过对芯片进行背面减薄和倒装连接,可以实现有源芯片的埋嵌。随后还对埋嵌元件的可靠性进行了测试。