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本文报道了一种工作在16.0～17.0GHz单片集成180°的移相器.文中通过对无源工作的GaAs MESFET的建模,分析了影响移相器性能的主要参数,以及这些参数的最佳取值.制作在2.45×2.80×0.2mm芯片上的移相器其参数为:插损小于4.03dB,输入电压驻波比小于1.66,输出电压驻波比小于1.71,相移偏差在12.5°以内. 相似文献
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C波段GaAs单片6位移相器 总被引：1，自引：0，他引：1
叙述了一种采用单片集成方式实现的Ｃ波段６位数字移相器的设计技术和研制结果。在ＨＰ－８５１０网络分析仪上的测试结果表明：在５．２￣５．８ＧＨｚ频段，移相器插损为７．５±０．５ｄＢ，输入／输出驻波比好于１．５，均方极相移精度在５．５°以内。 相似文献
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ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关叶禹康，俞土法，伍祥冰（南京电子器件研究所，２１００１６）提要＊用微波单片集成电路（ＭＭＩＣ）技术设计制作了高隔离度、超快速ＤＣ－４０ＧＨｚＭＭＩＣ开关（ＳＰＳＴ）。开关采用串联、并联单元ＭＥＳＦＥＴ兼用的电路结构。芯片尺... 相似文献
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设计、研制了一种工作在Ｌ波段的ＧａＡｓ单片低噪声放大器。该放大器在ＨＰ－８５１０Ｂ网络分析仪和ＨＰ－８９７０Ｂ自动噪声仪上的测试结果为：１．１～１．５ＧＨＺ频段，ＮＦ≤２．０ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤０．５ｄＢ；在１．５～２．０ＧＨＺ频段ＮＦ≤２．５ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤±０．５ｄＢ。 相似文献
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叙述了一种采用单片集成方式实现的Ｃ波段６位数字移相器的设计技术和研制结果。在ＨＰ－８５１０网络分析仪上的测试结果表明：在５．２～５．８ＧＨｚ频段，移相器插损为７．５±０．５ｄＢ，输入／输出驻波比好于１．５，均方根相移精度在５．５°以内。 相似文献
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<正>自1978年第一块单片开关电路问世以来,各种电路结构形式以及各种工作频率的单片移相器不断涌现.由于单片移相器具有控制速度快、功耗低、尺寸小、重量轻及频带宽等优点,逐渐取代了采用PIN管作为控制器件的移相器. 相似文献
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