用SIMS等技术表征镓扩散质量

介绍用ＳＩＭＳ、ＴＥＭ、ＳＲＰ等技术检测Ｃａ扩散杂质分布及工艺中存在的问题，提供改进工艺的技术依据。     

n型硅脉冲激光掺铟的物理过程与缺陷特性研究

用Nd-YAG脉冲激光对n型硅掺铟,形成外p⁺n结。利用二次离子质谱仪(SIMS)、卢瑟福背散射(RBS)等方法,研究了硅内铟的分布,并分析了用20ns脉冲激光硅掺铟的物理过程,发现当激光能量密度足够大时,在硅表面层存在硅-铟混合熔体和液态硅两部分。当激光能量密度较小时,硅表面层仅有液态硅层、用I-V,C-V和深能级瞬态谱(DLTS)等方法研究了p⁺n结的电学性质,发现在p⁺n结的n区存在两个缺陷。一个能通过快速热退火,在600℃,60s条件下消失,研究表明可能为空位与杂质的复合体。另一个通过快速热退火不能消失,可能与位错有关。 关键词：     

金属/有机高分子膜/n-InP肖特基势垒

本文介绍用有机高分子膜(LB膜和聚酰亚胺)代替n型InP肖特基势垒二极管中的薄氧化层,所得到的肖特基势垒二极管的势垒高度大于0.7eV,反向漏电流小于2.3×10~(-5)A/cm~2,性能稳定.还叙述了有机高分子膜的制备方法,电学测量结果,并与金属/薄氧化膜/n-InP肖特基势垒进行了比较,同时讨论了该法的优缺点.     

飞行时间二次离子质谱结合X-射线光电子能谱分析化学清洗后残留的表面有机物

用飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)结合X射线光电子能谱,分析了用化学方法清洗后银片上残留的未知有机物.TOF-SIMS与XIPS提供的互补的表面信息显示,中分子量以上的有机物主要是几种链长22～27碳原子、碳链饱和度很高的多酮类化合物,可能还有一些多酯类化合物.这些有机物中的C=O基团易于采取氧原子指向金属基体表面的取向,通过带部分负电荷的氧原子与金属基体镜像力的作用而增强粘附.     

VLSI中钛硅化物肖特基接触特性与退火条件

基于 Ti Si2 低电阻率的优点 ,采用 Ti制作肖特基二极管。在 VL SI工艺中实现同时完成钛硅化物欧姆接触和肖特基势垒二极管 (SBD)的制作。文中用 AES等技术研究不同退火工艺形成的 Ti/ Si界面形态和结构 ,寻找完善的工艺设计和退火条件。此外还测量 Al/ Ti N/ Ti/ Si结构的金属硅化物 SBD的有关特性。通过工艺实验确定 VL SI中的钛硅化物最佳的制作工艺条件     

表面残留有机沾污物的TOF－SIMS及XPS研究

飞行时间次级离子质谱（ＴＯＦ－ＳＩＭＳ）结合Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）分析了用化学方法清洗后、银片上残留的未知的有机物。结果显示，有机沾污物主要是一些含１８～３０碳原子、碳链饱和度很高的酮类和酯类化合物；个别有机物可能是硬脂酰胺。这种结构特点使有机物中的Ｃ＝Ｏ基团易于采取氧原子指向基体表面的取向，通过带部分负电荷的氧原子与金属基体镜像力的作用而增强粘附。ＴＯＦ－ＳＩＭＳ二维离子像显示有机沾污物在银片表面上呈极稀薄的均匀分布。