AlGaInP发光二极管内量子效率测量分析

采用两种方法对650 nm AlGaInP LED内量子效率进行测量分析.一是考虑光子循环利用的影响,建立取光效率模型,使用光线追迹法模拟计算取光效率,进而反推出内量子效率.另一方法是变温L-I-V测量分析,在降温过程测量外量子效率随温度的变化,测量出一定温度范围内外量子效率出现最大值且稳定,并根据LED内部的复合机制,从而确定内量予效率值.最后分析两种测量方法,并给出了影响测量的因素.     

大功率半导体激光器加速寿命测试方法

大功率半导体激光器在高可靠性光学系统的应用中,寿命值预测十分关键.采用808 nm波长的无Al大功率半导体单管激光器进行了40、80℃的恒定温度的加速老化试验.应用Arrhenius和对数正态分布的理论对试验结果进行分析,计算出激光器长期退化的激活能为0.52 eV,推导得到激光器室温下工作的平均寿命为15 000 h.并对试验后的器件进行失效分析,找出失效原因.