一种高性能的新结构IGBT

提出了一种低功率损耗的新结构IGBT.该新结构的创新点在于其复合耐压层结构,该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分.虽然在正常工作条件下,该新结构IGBT工作于穿通状态,但器件仍具有非穿通IGBT(NPT-IGBT)的优良特性.该新结构IGBT具有比NPT-IGBT更薄的芯片厚度,从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷.实验结果表明:与NPT-IGBT相比较,新结构IGBT的功率损耗降低了40%.     

国际功率半导体器件与功率集成电路会议（ISPSD）介绍

国际功率半导体器件与功率集成电路会议(International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs．，缩写为ISPSD)是美国电气与电子工程师协会主办的不带地区色彩的国际性学术会议。例如，2001年会议收到论文的地区分布比例为欧洲23％，北美25％，亚洲14％，日本38％。会议地点在北美、欧洲、日本三地轮流举行，每年依序更换，     

以亚钛为还原剂的双中间体库仑滴定

为了克服亚钛与许多弱氧化性物质反应缓慢,不便于直接滴定的缺陷,在前人工作,的基础上试验了以亚钛为还原剂的两种双中间体库仑滴定的条件,证明其可以成立,并可能用于实际测定。 (一)仪器与试剂库仑滴定装置:自装。工作电极分别为2.0×2.0厘米铂片(对亚钛-溴体系)和置于池底的新鲜金属汞(约12平方厘米,用于亚钛-铁体系)。指示终点电流计灵敏度为2.4×10~(-9)安/毫米。     

基于人工神经网络在线学习方法优化磁屏蔽特性参数

磁屏蔽在磁场敏感的装置如原子钟、原子干涉仪等精密设备中发挥重要的作用,在变化外磁场下的某个磁屏蔽内部剩余磁场,可以通过Jiles-Atherton磁滞模型和磁屏蔽系数计算得出,根据计算结果可以进行主动补偿来抵消内部磁场的改变.然而实际应用中磁滞模型中五个与磁屏蔽相关的参数以及磁场衰减的两个参数的准确值的获得是比较困难的,通常根据实测磁滞回线人工匹配调节参数会花费大量时间且很难确保最终参数是全局最优值.基于人工神经网络的机器学习方法已经成为一种对复杂模型进行参数优化的有效手段,得益于现代计算机强大的运算能力,该过程通常远远快于人工参数调节,并有更大概率找到全局最优值,获得优于手工调节的参数值.本文利用人工神经网络在线机器学习的方法,对磁滞模型的五个参数与磁屏蔽的另外两个屏蔽相关参数进行优化测定,并对模拟卫星磁场环境下磁屏蔽内剩余磁场进行预测.通过实际测量屏蔽筒内剩余磁场与预测值比对,发现通过机器学习方法得到的磁屏蔽特性参数优于手动找到的参数,且所用时间大大缩短.该结果不仅有助于更好地进行磁场补偿,用于冷原子系统参数优化调整,更重要的是验证了神经网络在多参数物理系统中的应用,可以使其他多参数共同作用的物理实验进行最优参数的快速确定.     

基于蚁群算法的OFDMA系统接纳控制

由于接纳控制算法的优劣关系到网络资源能否被有效利用。文中提出了一种新的OFDMA系统的接纳控制算法。结合蚁群算法对用户需要的的总传输功率进行计算,并通过该功率对用户进行接纳控制。仿真结果表明,文中所提算法可使系统的总传输功率减小,增加用户的可接入数量,达到资源有效利用的目的。     

基于改进粒子群优化算法的火电厂机组负荷分配

以坑口电厂SIS系统机组负荷优化分配功能模块为应用背景,针对基本粒子群优化算法易陷入局部收敛、收敛速度慢的缺点,提出一种基于惯性权重非线性减小策略的改进粒子群优化算法。并且通过MATLAB与Visual C++混合编程,开发了机组负荷在线优化分配功能模块,提高了算法的计算效率和工程应用价值。     

高密度烃燃料四环[9.2.1.02,10.13,8]十四烷的合成及热裂解

以双环戊二烯和茚为原料,经D-A反应及催化加氢合成高密度烃燃料四环[9.2.1.02,10.13.8]十四烷(TDTD).采用裂解器及色质联用进行了四环[9.2.1.02.10.1 3.8]十四烷的热裂解研究,考察了不同温度及时间对热裂解转化率的影响,结果显示,温度对转化率影响较大.分析裂解产物,推测了裂解机理,以裂解...     

高密度烃燃料四氢环戊二烯三聚体的合成及热裂解

以双环戊二烯为原料,经D-A反应及催化加氢合成了高密度烃燃料四氢环戊二烯三聚体(THTCPD).该三聚体的密度为1.082 g/cm3,体积热值为47.5 MJ/L,闪点为120℃,凝固点为48~49℃.采用裂解器与色谱-质谱联用技术,对THTCPD的热裂解进行了在线监测,结果表明温度对裂解反应影响较大.对裂解产物的结构进行了分析,产物以甲烷、乙烯、丙烯、环戊烯、环戊二烯、苯和甲苯为主.依据产物结构及单分子自由基反应模型,推测得到了9种路径的裂解机理.采用X3LYP法进行了各自由基的热力学计算,得到各反应路径的相对能量及路径比.通过不同温度下的裂解转化率,计算得到热裂解反应动力学方程,经线性拟合得到活化能Ea=6.67×104kJ/mol,指前因子A=133.75.     

CPU电源电路用沟槽棚MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究

本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率 下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%，总功耗则降低约30%，将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。     

超高频功率晶体管金属栅格电极结构的研究

本文提出一种提高晶体管发射区条长有效率的简单而有效的技术——自对准铂硅栅格电极结构。其特点是制造简单、通用性强、在不增加生产工艺难度的情况下就能够显著地提高晶体管的最大输出功率和功率增益。经在3DA200系列超高频中功率晶体管制造中进行试验,在不改变原生产用的版图和工艺的情况下,只在制造过程的中间加入制造铂硅栅格电极这步工艺就能把最大输出功率和额定功率下的功率增益提高为原来的1.5～2倍。同时本文也给出了发射区条长有效率的简明理论分析,所得公式和图表可以用来简单直接地计算出发射区条长有效率,从而根据有效率的改善来决定应取的铂硅栅格的薄层电阻率。