影响相对论磁控管效率的因素分析

相对论磁控管与普通磁控管效率形成了极大的反差.本文依据打上阳极表面的电子流剩余能量,分析了同步速度、电子小回旋运动、层流厚度、回旋半径、空间直流电荷场与强高频场对效率的影响,并以经典的S波段A6相对论磁控管为例,数值比较了效率随以上各因素的变化,结果表明:强高频场影响是造成相对论磁控管效率低下的主要原因,此结论通过粒子模拟也得到了证实.     

W波段TE62-TEM00准光模式变换器

对准光模式变换器的基本理论和设计方法进行了讨论.以改进型等效电流理论为基础给出了Vlasov辐射器的分析方法,建立了数值模型,并进行了计算分析.继而推导了自适应相位修正Katsenelenbaum-Semenov算法,编制了相位修正反射镜自适应设计分析程序.在上述理论工作的基础上,针对3 mm波段TE62至TEM00准...     

关于当前ATM技术发展中存在问题的探讨

本文主要探讨了当前ＡＴＭ技术发展中存在的一些亟待解决的问题，包括信令标准的混乱、服务质量约定支持的缺乏、拥塞控制算法的不统一、与传统网络互连的困难、ＰＮＮＩ路由算法的有效性和防火墙功能等六个方面。     

相对论磁控管中自磁场的影响

针对相对论磁控管中自磁场的产生与分布、自磁场对电子运动的影响以及自磁场对互作用的影响进行了深入分析。分析认为,由于自磁场分布的不对称,自磁场对不同区域电子束的作用不同。加速器一侧的电子束受到更明显的自磁场作用,促使此区域的电子束角向速度增加,直接激化模式竞争。同时,如果阴极比较靠近加速器一侧的1/4区域(距磁控管对称中心大约1/4高度）,模式竞争将进一步被激化。     

可调谐相对论磁控管的实验研究

实验研究了高有载品质因数下有无阳极端帽时调谐性能的差异,以及低有载品质因数下,没有阳极端帽时的可调谐相对论磁控管性能。研究结果表明：没有阳极端帽时,可调谐相对论磁控管具有更宽的调谐范围;在高有载品质因数下,可以达到2.52～3.31 GHz的调谐范围,输出功率范围为44～790 MW;低有载品质因数下,调谐范围为2.55～3.05 GHZ,调谐范围内输出功率1～1.7 GW。     

PIN限幅器PSpice模拟与实验研究

从PIN二极管基区双极载流子扩散方程出发,通过拉普拉斯变换求解得到PIN二极管子电路模型,从而通过PSpice软件瞬态数值模拟得到了PIN限幅器的尖峰泄漏、平顶泄漏与脉冲功率、上升时间关系。对于I层厚度一定的限幅器,模拟与实验表明脉冲前沿越大,尖峰泄漏功率插入损耗越大,脉冲前沿过缓则可能没有尖峰泄漏现象;尖峰泄漏功率随着输入功率的增加而变大,但尖峰泄漏功率插损也随之增大;尖峰脉冲宽度与I层厚度、输入功率及脉冲前沿均有关系。限幅器尖峰泄漏与平顶泄漏模拟结果与实验数据基本一致。     

预脉冲对相对论磁控管工作性能的影响分析

在阐述预脉冲产生的基础上,分析了预脉冲带来的一系列影响,包括工和电压波形变化,提前生成等离子体,以及预脉冲阶段放大竞争模式等,这些影响与相对论磁控管起振工作频率相联系,从而直接造成了相对论磁控管的基本性能参数,如脉宽、工作频率及输出功率等变化。结合具体实验,对比了有、无预脉冲条件下相对论磁控管工作性能的差异,对预脉冲的影响因素与相对论磁控管性能之间的联系进行了详细的分析。     

在ATM之上运行IP协议的新进展

对ＡＴＭ的三种支持方案进行简要比较之后，介绍了在ＡＴＭ之上运行ＩＰ协议在两个方面的新进展；ＩＥＴＦ的“因特网集成服务”概念和“下一站地址解析协议”。     

帧中继技术及其在我国的状况

介绍了目前正耠起的帧中继技术，给出了几个应用实例，探讨了我国的现状。     

新型准光学瓦级固态功率合成器

本文介绍一种新型短焦距开放腔固态功率合成器的实验结构和实验结果。由4只标称功率为155mW,160mW,160mW和165mW的Gunn二极管,采用串联型接法进行的合成实验,在X波段获得了开机输出功率大于1W,稳定输出功率为850mW。