1.2～1.4GHz 300W宽带硅微波脉冲大功率管

介绍了L波段宽带硅微波脉冲300W大功率晶体管研制结果。该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻和热稳定等新工艺技术,在1.2～1.4GHz频带内,脉宽150μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于300W,功率增益大于8.75dB,效率大于55%。     

GSM短消息系统在远程数据采集中的应用

本文介绍了GSM短消息系统在远程数据采集中的一个实现方案。详细阐述了系统实现的原理,介绍了系统中使用的关键技术,给出了系统实现的硬件框图和软件流程,最后给出了软件实现I2C总线的方法。     

基于NIOS的无中心电话系统中噪声的分析与抑制

在Ahera的FPGA开发平台上，使用Nios软核处理器构建无中心电话系统。重点介绍如何运用数字信号处理理论，在Matlab平台上分析硬件电路仿真时出现的语音噪声，并提出了解决方案。     

GSM短消息系统在远程数据采集中的应用

本介绍了GSM短消息系统在远程数据采集中的一个实现方案。详细阐述了系统实现的原理，介绍了系统中使用的关键技术，给出了系统实现的硬件框图和软件流程，最后给出了软件实现I^2C总线的方法。     

1.46～1.66GHz 250W宽带硅微波脉冲大功率管

报道了L波段高端中脉冲250W宽带硅微波脉冲大功率晶体管研制结果.该器件采用微波功率管环台面集电极结终端结构、非线性镇流电阻等新工艺技术,器件在1.46～1.66GHz频带内,脉宽200μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于250W,功率增益大于7.0dB,效率大于45%.     

IP电话的发展方向——媒体网关分解

我国已经正式确定采用H.323建议作为我国IP电话标准。H.323建议是一个较为完备的建议书,它提供了一种集中处理和管理的工作模式,这种工作模式与电信网的管理方式是匹配的。但是,随着IP电话的发展,IP电话网关逐渐成为制约IP电话大规模应用的瓶颈。目前,电信级IP电话网关的容量与程控交换机相差较大,结构复杂,成本也很高。而且,IP电话网关在扩展性、可用性等方面也存在不少问题,限制了IP电话的大规模应用。解决这一问题的有效方法是网关分解,即将网关按其主要功能分解为媒体网关(MG)和媒体网关控制器(MGC)两个部分,其中M…     

千瓦级硅LDMOS 微波功率晶体管关键技术研究

针对雷达、通信、遥控遥测等领域对硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)微波大功率管的迫切需求,开展了硅LDMOS 微波功率晶体管的亚微米精细栅制作、低阻低应力钴硅合金、大尺寸芯片烧结及金属陶瓷全密封管壳平整度控制等关键技术研究,并取得了突破,研制出2 000 W 硅LDMOS 微波功率晶体管,漏源击穿耐压大于140 V,结到管壳热阻0. 19 ℃/ W。在50 V 工作电压、230 MHz 工作频率、脉宽为100 滋s、占空比为20% 、输入功率为6 W 的测试条件下,实现输出功率达到1 330 W,增益23. 5 dB,漏极效率74. 4% ,电压驻波比10:1。该晶体管已实现工程应用。     

基于SOPC技术的事故现场处理平台设计与实现

本文介绍了利用SOPC设计方法,以Altera公司的Nios软核处理器为核心完成的事故现场处理平台的设计。就其中最重要的两部分——SCCB总线控制模块和SRAM读写控制模块的具体实现做了详细介绍,并给出了SRAM写控制器的实际仿真结果。最后,总结了SOPC的设计方法。     

1.44~1.68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管

南京电子器件研究所近期研制成功1.44～1.68GHz 220 W硅微波脉冲功率晶体管.该器件在1.44～1.68 GHz频带内,脉宽200 μs,占空比10%和40V工作电压下,全带内脉冲输出功率大于220 W,功率增益大于7.1 dB,效率大于45%.该器件采用高效梳条状结构,单元间距6μm,发射极和基极线宽1.9μm,金属条间距1.6μm.每个器件由6个面积为1 600μm×800 μm功率芯片组成,每个功率芯片含有2个大功率子胞.整个器件包含12个大功率子胞、20个内匹配电容和200多条连接金丝.     

C312-1型大功率LDMOS功率管外壳

<正>LDMOS功率管在雷达、无线通讯基站、无线广播发射塔等电子系统中具有广泛的应用,而该类器件对外壳的散热和可靠性有很高的要求。南京电子器件研究所最近研制成一种用于封装300 W LDMOS功率管的高可靠外壳—C312-1型多层陶瓷外壳,具有比较优异的性能。该外壳由金属底板、陶瓷框架和陶瓷盖板组成,器件采用金锡封帽工