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本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×1016—3×1012cm-2的As+注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As+注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε2-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε2-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。
关键词: 相似文献
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为了准确计算出镀膜过程中每层膜的折射率,介绍了实时监控过程中确定膜层折射率的2种方法:一种是由实测的透射比光谱直接反算出膜层的折射率;另一种是用最小二乘法的优化算法实时拟合折射率。试验结果表明:在线反算适合单点监控,所得折射率误差小于2%。然而在实际镀膜过程中,由于宽带内膜层参数误差较大,一般大于25%。为此,采用最小二乘法拟合,即在整个宽光谱范围内采集每个波长点的信息,所得结果误差很小,一般都在2%~5%之间,有时可达到10%,在很大程度上提高了实际镀膜时膜厚监控的精度。 相似文献
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光纤的能量传输特性及应用 总被引:5,自引:0,他引:5
着重分析了影响光纤传输能量以及光纤传输中造成能量损耗的因素。这些因素主要包括光纤材料、构造、光纤的折射率分布、光纤的长度和芯径、光纤的数值孔径和热效应以及耦合等。同时 ,结合激光二极管点火的实例 ,分析探讨了其背景和应用价值。结论是 :为了尽可能减少能量损耗、提高光纤输出的激光功率和激光功率密度 ,应当选取合适的激光工作波长、较小的光纤长度、较小的芯径和较小的数值孔径 ,应采用渐变折射率分布光纤 ,应减少弯曲与耦合 相似文献
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近年来,Bridges等人在Hamiltonian力学意义下,直接把有限维Hamiltonian系统推广到无穷维,通过引入新的函数坐标,使得偏微分方程在时间和空间的各个方向上都有各自不同的有限维辛结构,这样原偏微分方程就由各个有限维辛结构以及右端的梯度函数决定,称这样的方程为多辛Hamiltonian系统.多辛Hamiltonian系统满足多辛守恒定律,满足多辛Hamiltonian系统的多辛守恒律的离散算法称为多辛算法.以耦合非线性Schr dinger方程为例,研究无穷维Hamiltonian系统的多辛算法,验证了两孤立子碰撞后会发生相互通过、反射及融合现象. 相似文献
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We have studied the interracial reactions between amorphous LaAlO3 thin films and Si substrates, using high- resolution transmission electron microscopy and x-ray photoelectron spectroscopy. It has been shown that the interracial layer between LaAlO3 film and Si substrate chemical states show that the ratio of La 4d3/2 to Al 2p is SiLaxAlyOz. The depth distributions of La, Si and Al of the interfacial layer remains unchanged with the depth compared to that of the LaAlO3 film. Moreover, the Si content, in the interracial layer gradually decreases with increasing thickness of the interracial layer. These results strongly suggest that the Al element is not deficient in the interracial layer, as previously believed, and the formation of a SiLaxAlyOz interracial layer is mainly due to the diffusion of Si from the substrate during the LaAlO3 film deposition. With the understanding of the interracial layer formation, ones can control the interface characteristics to ensure the desired performances of devices using high-k oxides as gate dielectrics. 相似文献