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设G是2-连通图,c(G)是图G的最长诱导圈的长度,c′(G)是图G的最长诱导2-正则子图的长度。本文我们用图的特征值给出了c(G)和c′(G)的几个上界。 相似文献
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测量金属表面生成氧化膜在电解质中的电位时,金属/氧化膜/电解质/参比电极构成了多电极体系,其中包括3个电池,由3个电池之间的关系、电池过程中所有的电化学反应、电荷传输步骤和化学反应步骤,导出电位的普遍适用的公式: E=Ea0+sum from s=1 to 3|ηt,s|-1/(ne)v7ΔG7, E=Ec0-sum from s=4 to 6|ηt,s|+1/(ne)v8ΔG8.当金属/氧化膜/电解质电池受到不同的步骤控制时,可以得到不同的简化公式. 相似文献
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Renato Pennachi 讨论了以 S(M,N,C,λ_0)表示的参数系统抽象化定义,给出了参数系统的矩阵表示.Franz R.Pichler 总结 Salovara,Blomberg,Messarovic,Ma-cko,Windeknecht,Klir,Kalman,Zadeh 等人的工作,介绍了一般系统理论中若干以集合论与代数体系为基础的较有成效的动态系统建造与实现理论.G.M.Ostrovsky 等人在大规模复杂系统的优化问题中,运用了带有0—1变量的系数,研究了具有复杂平行序列的结构问题. 相似文献
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解抛物问题的一类新的瀑布型多重网格法 总被引:1,自引:0,他引:1
本文推广石钟兹 ,许学军对椭圆问题提出的新的瀑布型多重网格法到抛物问题 ,建立了相应的理论结果 . 相似文献
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氢在GaAs和InP表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS)来探测。Ga—H,As—H,In—H和P—H键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失。但是As—H振动极容易和Ga—H振动追加声子损失相混淆,只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布。对于GaAs(111)面,低暴露量时只形成Ga—H键,而高暴露量时还可以形成As—H键。而InP(111)表面由于是经过磷气氛退火处理的,在低暴露量下In—H与P—H键均可形成。InP(Ⅲ)面上只看到P—H损失峰,说明这个表面是完全以P原子结尾的。在(Ⅲ)面上出现小面的情形,则表面Ⅲ族和Ⅴ族原子均可同氢成键。
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