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1.
Zhihong Zhao Bin Wang Rui Tan Wenjing Liu Minghui Zhang 《Magnetic resonance in chemistry : MRC》2022,60(4):427-433
In this study, the transverse relaxation time (T2) of activated carbon (AC) in different relative environment humidity was detected firstly by low-field nuclear magnetic resonance (LFNMR). The pore size (diameter) of AC distributions was calculated by the relationship between T2 and surface relaxation rate (ρ), where ρ was obtained by the detection of nine porous materials with known pore size. The results showed that the pore size distributions of AC calculated by ρ < 0.19 nm/ms were in good agreement with that obtained by nitrogen adsorption method and proved that LFNMR as a new detection method was feasible for characterizing AC pore size distribution. 相似文献
3.
利用n维有限射影空间上的一些性质,构作了组合群验的数学模型de-析取矩阵,并研究了它的参数和Hamming距离. 相似文献
4.
Jing Zhihong Ling Baoping Yu Yang Qi Wei Zhang Shufang 《Journal of Sol-Gel Science and Technology》2015,73(1):112-117
Journal of Sol-Gel Science and Technology - A novel gas sensing material, La–Y co-doped TiO2 nanoparticles, was synthesized by sol–gel method and applied to detect organic pollutants... 相似文献
5.
6.
7.
基于深度学习的方法,在HL-2A装置上开发出了一套边缘局域模(ELM)实时识别算法。算法使用5200次放电数据(约24.19万数据切片)进行学习,得到一个深度为22层的卷积神经网络。为衡量算法的识别能力,识别了HL-2A装置自2009年实现稳定ELMy H模放电以来所有历史数据(约26000次放电数据),共识别出1665次H模放电,其中误识别35次,误报率为2.10%。在实际的1634次H模放电中,漏识别4次,漏识别率为0.24%。该误报率和漏报率可以满足ELM实时识别的精度要求。识别算法在实时控制环境下,对单个时间点的平均计算时间为0.46ms,可以满足实时控制的计算速度要求。 相似文献
8.
设γM(G)是连通图G=(V,E)的最大亏格,记EM^-(G)={e∈E(G)|G\e连通,且γM(G\e)=γM(G)}。若EM^-(G)≠0,则称G是γ(G)-可约的;否则称G是γM(G)-不可约的。本文证明了边的剖分不改变图的最大亏格可约性,点的扩张不改变上可嵌入图的最大亏格可约性;并给出了两类满足EM^-(G)=E(G)的非4-边连通图。 相似文献
9.
Clifford 分析中一个带位移的非线性边值问题 总被引:23,自引:0,他引:23
■Gilbert,黄沙、李生训等人对 Clifford 分析中函数性质作了一系列研究.1987年徐振远讨论了实 Clifford 分析中一个基本的边值问题,1989年黄沙、李生训利用陆启铿关于多复变函数于典型域上的调和分析的结果,研究了复 Clifford 分析中的拟变态Dirichlet 边值问题.1990年黄沙研究实 Clifford 分析中一种边值问题. 相似文献
10.
Jian Shen Huizhong Zeng Zhihong Wang Shengbo Lu Huidong Huang Jingsong Liu 《Applied Surface Science》2006,252(22):8018-8021
Polycrystalline Pb(Zr0.55Ti0.45)O3 thin film was deposited on Pt/Ti/SiO2/Si(1 0 0) by radio-frequency-magnetron sputtering method, and the writing of charge bits on the surface of PZT thin film was studied by Kelvin probe force microscopy. It is found that the surface potential of the negative charge bits are higher than those of the corresponding positive ones. When ferroelectric polarization switching occurs, the potential difference becomes even more remarkable. A qualitative model was proposed to explain the origin of the asymmetric charge writing. It is demonstrated that the internal field in the interface layer, which is near the ferroelectric/electrode interface in ferroelectric film, is likely to be the cause for the occurrence of this phenomenon. 相似文献