水雾化制备Fe74Al4Sn2P10C2B4Si4非晶合金粉末及其磁粉芯性能研究

采用水雾化方法制备Fe7Al4Sn2P10C2B4Si4合金粉末,研究发现该合金具有强的非晶形成能力和高热稳定性,在粉末粒度小于400目时可以形成非晶态合金.采用该非晶粉末制备的磁粉芯在高频下品质因数显著高于MPP粉芯,说明该磁粉芯高频损耗较低.分析表明,非晶合金磁粉芯高频下损耗低的主要原因是电阻率较高.     

La0.8Ca0.2MnO3纳米线的制备及表征

利用Sol-gel法结合氧化铝模板技术制备了La0.8Ca0.2MnO3纳米线, 并研究了两种热处理方法对 La0.8Ca0.2MnO3纳米线结构和形貌的影响. 快速升温到800 ℃得到的La0.8Ca0.2MnO3纳米线较粗, 其直径大于氧化铝模板的孔径, 而经过缓慢升温到400 ℃预处理再升温到800 ℃得到的La0.8Ca0.2MnO3纳米线, 其直径和氧化铝模板的孔径相当, 都约为35 nm. X射线衍射和透射电镜分析结果表明, 两种方法得到的 La0.8Ca0.2MnO3纳米线都是具有钙钛矿结构的属于单斜晶系的多晶材料.     

低起始温度的线性升温热处理对直拉硅中氧沉淀的影响

研究了直拉硅片从不同的温度线性升温(Ramping)到750℃，然后在750℃退火64 h过程中的氧沉淀行为. 结果表明，Ramping对硅片中氧沉淀的形成有明显的促进作用，且起始温度越低促进作用越强. 这是因为在Ramping处理中，低温(450—650℃)热处理阶段氧的扩散速率显著增强，促进了氧沉淀核心的形成，且较低的Ramping升温速率有利于氧沉淀核心的稳定和继续长大. 进一步的实验结果还表明，低起始温度的Ramping处理可应用于硅片的内吸杂工艺，能促进氧沉淀的生成提高硅片的内吸杂能力，减少热预     

微波瑞利散射法测定空气电火花激波等离子体射流的时变电子密度

大气压空气电火花激波等离子体射流的电子密度在亚微秒时间尺度上瞬变,其电子密度的测定很难.基于微波瑞利散射原理,本文测量了空气电火花冲击波流注放电等离子体射流的时变电子密度.实验结果表明:测量系统的标定参数A为1.04 × 105 V·Ω·m–2;空气流注放电等离子体射流的电子密度与等离子体射流的半径和长度有关,结合高速放电影像展示的等离子体射流的等效半径和等效长度,测定的电子密度在1020 m–3的量级,且随时间先快速增长至峰值再成指数衰减.此外,本文还探讨了等离子体射流的不同等效尺度对测定结果的影响;分析结果表明,采用时变等效半径和时变等效长度的计算结果最有效,且第1个快速波峰是由光电离的电离波导致的.     

脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜的低阈值电抽运紫外随机激射

分别采用直流反应溅射法和脉冲激光沉积法在硅衬底上沉积ZnO薄膜, 用X射线衍射、扫描电镜、光致发光谱等手段对两种方法沉积的ZnO薄膜的结晶状态、 表面形貌和光致发光等进行了表征. 进一步对比研究了以上述两种方法制备的ZnO薄膜作为发光层的金属-绝缘体-半导体结构器件的电抽运紫外随机激射. 结果表明, 与以溅射法制备的ZnO薄膜作为发光层的器件相比, 以脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜为发光层的器件具有更低的紫外光随机激射阈值电流和更高的输出光功率. 这是由于脉冲激光沉积法制备的ZnO薄膜中的缺陷更少, 从而显著地减少了紫外光在光散射过程中的光损耗. 关键词： 随机激射 ZnO薄膜 脉冲激光沉积 溅射     

锂离子电池用α-Fe2O3-Ag复合纳米棒负极材料的制备及储锂性能

采用FeOOH纳米棒为前驱体,通过层层自组装法及随后的热处理过程制备出α-Fe2O3-Ag复合纳米棒.采用透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和电化学性能测试对样品的形貌、结构及电化学性能进行了表征.结果表明,Ag纳米颗粒均匀地分布在α-Fe2O3纳米棒的表面.作为锂离子电池负极材料,α-Fe2O3-Ag复合纳米棒表现出了较好的循环性能和较高的比容量.180个循环后,其比容量高达549.8 mA.h/g.     

两段式固定床富氧－水蒸气气化实验研究

以玉米芯颗粒为原料在两段式固定床气化装置上进行了气化实验,考察了当量比ER、富氧浓度OC和水蒸气配比S/B对气化温度、气化气组分、低位热值、气体产率、气化效率和碳转化率等参数的影响,并比较了两段式固定床与传统下吸式固定床的气化特性。实验结果表明,当量比为0.27时H₂的体积分数、CO的体积分数和气化效率达到最大值;增加富氧浓度能优化气化效果,但富氧浓度大于90%后,燃气质量和气化效率均提高不大;增加S/B能提高H₂的体积分数,但同时会降低CO的体积分数、气体热值、气化效率;当S/B为0.6时,氢气的体积分数达最高值33.3%,H₂/CO比为1.32;相比于传统固定床,两段式固定床气化可明显提高气化温度、氢气的体积分数、碳转化率和气化效率,降低焦油含量。     

Minority Carrier Lifetime in As-Grown Germanium Doped Czochralski Silicon

The minority carrier lifetime of as-grown germanium-doped Czochralski （GCZ） silicon wafers doped with germanium concentrations [Ge]=10^16-10^18 cm^-3 is investigated in comparison with conventional CZ silicon samples. It is found that the lifetime distribution along the ingot changes with the variation of[Ge]. There is a critical value of [Ge] = 10^16 cm^-3 beyond which Ge can obviously influence the lifetime of as-grown ingots. This phenomenon is considered to be associated with the competition or combination between the oxygen related thermal donors （TDs） and electrically active Ge-related complexes. The related formation mechanisms and distributions are also discussed.     

On the Convergence of the Brent Method

1.IntroductionItiswellknownthattheBrentmethodforsolvingsystemsofnonlinearequati0nsistosolvethefo1lowingsystem:bymaldnguseoftheorthogonaltriangulaxfaCtoriz8tion.SupP0sethatwehaveanaPprokimationx(k)tox*,asoluti0nof(1.1).Thenthek-thiterativeprocedurecanbedescribedasfollows[1]:wherehk/Oisthedifferencestepcorrespondingtotheindexk(wewilldiscussthechoicesofhkinSecti0n4)-Constructanorthogonalmatrix(usuallybytheHouseholdtransf0rmation)Step4.Ifj相似文献   

Quantum confinement and surface chemistry of 0.8–1.6 nm hydrosilylated silicon nanocrystals

In the framework of density functional theory(DFT), we have studied the electronic properties of alkene/alkynehydrosilylated silicon nanocrystals(Si NCs) in the size range from 0.8 nm to 1.6 nm. Among the alkenes with all kinds of functional groups considered in this work, only those containing –NH2and –C4H3S lead to significant hydrosilylationinduced changes in the gap between the highest occupied molecular orbital(HOMO) and the lowest unoccupied molecular orbital(LUMO) of an Si NC at the ground state. The quantum confinement effect is dominant for all of the alkenehydrosilylated Si NCs at the ground state. At the excited state, the prevailing effect of surface chemistry only occurs at the smallest(0.8 nm) Si NCs hydrosilylated with alkenes containing –NH2and –C4H3S. Although the alkyne hydrosilylation gives rise to a more significant surface chemistry effect than alkene hydrosilylation, the quantum confinement effect remains dominant for alkyne-hydrosilylated Si NCs at the ground state. However, at the excited state, the effect of surface chemistry induced by the hydrosilylation with conjugated alkynes is strong enough to prevail over that of quantum confinement.